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國芯思辰 | 新型鐵電存儲器PB85RS2MC可用于多功能風(fēng)速儀

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2023-05-05 10:44 ? 次閱讀
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新型多功能風(fēng)速儀,在測量風(fēng)速的同時必需具有實時保存時間和對應(yīng)測量數(shù)據(jù)的功能;外部存儲器的選擇也是多種多樣的,目前應(yīng)用最多的仍是SRAM加后備電池、EEPROM及NVRAM這三種方案,但是SRAM后備電池的方法增加了硬件設(shè)計的復(fù)雜性,降低了系統(tǒng)的可靠性;EEPROM方式可寫次數(shù)較少(約10萬次),且寫操作時間較長(約10ms)。因此越來越多的設(shè)計者將目光投向了新型的非易失性鐵電存儲器。

風(fēng)速儀.png

上圖是多功能風(fēng)速儀系統(tǒng)框圖,系統(tǒng)傳感器部分主要由風(fēng)速傳感器、溫度傳感器、氣壓傳感器構(gòu)成。它們分別接入A/D轉(zhuǎn)換器的不同通道進(jìn)行分時采樣,采樣結(jié)果被單片機(jī)讀入單片機(jī)內(nèi)部RAM。鍵盤電路主要完成實時鐘的設(shè)置以及讀入外部鐵電存儲器PB85RS2MC的數(shù)據(jù)并通過單片機(jī)在LCD進(jìn)行顯示。

PB85RS2MC鐵電存儲器的配置為262,144×8位,是通過鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲單元和SRAM不同,芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。

poYBAGQ-AbmACN2lAAJiJ-sCYSQ075.jpg

該芯片中使用的存儲單元可用于1E6次讀/寫操作*1,它的讀/寫耐久性大大超過FLASH和EEPROM,且不會像FLASH或EEPROM那樣需要很長的數(shù)據(jù)寫入時間。PB85RS2MC支持SPI接口(模式0和模式3),模式0和模式3,具有先進(jìn)的寫保護(hù)設(shè)計,包括硬件保護(hù)和軟件保護(hù)雙重保護(hù)功能。

PB85RS2MC性能參數(shù):

? 容量128Kb;

? 工作頻率是25兆赫茲;

? 高速讀特性:支持40MHz高速讀命令;

?工作電壓:2.7V-3.6V;

?功耗4.8毫安,待機(jī)功耗9微安;

? 工作環(huán)境溫度范圍:-40℃至85℃;

? 封裝形式:8引腳SOP封裝,符合RoHS;

? 性能兼容富士通賽普拉斯

隨著國產(chǎn)鐵電存儲器容量的增大和價格的優(yōu)勢,鐵電存儲器器件會逐步成為一種主流存儲器,在儀器儀表、工業(yè)控制、數(shù)字家電和通訊產(chǎn)品等方面獲得普遍使用,并且國芯思辰可提供長期穩(wěn)定的供貨和技術(shù)支持。

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