如今，大部分快充電源廠商正在探索120W氮化鎵+碳化硅快充PD頭；而在PD這種極度緊湊的應用中，PCB面積極其珍貴，超薄型PD快充通常優(yōu)先選擇厚度低于2mm的表貼器件?；?a target="_blank">半導體針對PD快充“小輕薄”的特點，推出SMBF封裝的B1D04065E碳化硅肖特基二極管，該器件具有體積小、正向導通壓低和抗浪涌能力強等特點，能很好地滿足PD快充對器件的特殊需求。

基本半導體SMBF封裝碳化硅肖特基二極管最大的優(yōu)點是在PCB上的占用面積小，僅為19mm2，其長寬高分別為5.3mm*3.6mm*1.35mm，比SMB封裝（厚度2.3mm）更薄，比DFN系列和TO-252封裝面積更小。

低正向導通壓降：

采用TO-252封裝B1D04065E型號碳化硅肖特基二極管已在PD行業(yè)批量應用，產(chǎn)品與之相比具有更低的正向導通電壓（見下圖）。

高浪涌電流能力IFSM：

全球電網(wǎng)工頻主要采用50Hz和60Hz，以50Hz工頻電網(wǎng)為例，其一個周期內半波脈寬為10ms，器件應用在50Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時，需要標定10ms正弦波浪涌電流能力IFSM，而應用在60Hz電網(wǎng)對應的PFC電路中時，需要標定8.3ms正弦波浪涌電流能力。

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