大家好，我是【廣州工控傳感★科技】154N-001G-R壓力傳感器事業(yè)部，張工。

每個(gè)壓力傳感器的核心是敏感元件，它將壓力轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。 各種高精度、壓阻式壓力傳感 MEMS 芯片有助于實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

154N-001G-R壓力傳感器芯片的特點(diǎn)是專(zhuān)注于在更小的封裝中實(shí)現(xiàn)更高的靈敏度和性能、增強(qiáng)介質(zhì)耐受性、易于處理以及在其整個(gè)生命周期內(nèi)提供信號(hào)的能力。154N-001G-R芯片中的傳感材料是硅膜片，在施加壓力時(shí)會(huì)彎曲。 這種變形或機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致作為電阻橋配置植入隔膜中的壓敏電阻的電阻率發(fā)生變化。

使用硅傳感器芯片測(cè)量壓力是基于壓阻效應(yīng)，這是由隔膜兩端的壓力差引起的機(jī)械應(yīng)力。根據(jù)電阻器的方向，這種變化可以增加或減少。 然后，電橋電路將此變化轉(zhuǎn)換為與施加的電壓差成比例的電信號(hào)。

154N-015A-C用于汽車(chē)行業(yè)以支持發(fā)動(dòng)機(jī)管理和安全系統(tǒng)，原因如下：

硅中電阻的壓阻變化是基于材料中的彈性張力與半導(dǎo)體的特殊能帶結(jié)構(gòu)的相互作用。 結(jié)果，可以獲得比簡(jiǎn)單金屬高100倍的K因子。測(cè)量元件由單晶硅制成。 由應(yīng)力引起的不可逆變形和重排是多晶材料中的已知效應(yīng)。 因此，在拉伸單晶薄膜后，154N-015A-C傳感器始終恢復(fù)到原始狀態(tài)而不變形。壓阻效應(yīng)發(fā)生在材料塊內(nèi)部。 表面的電化學(xué)老化，如傳感器可能發(fā)生的那樣。

壓力傳感器的不同方法

154N-015A-R 絕對(duì)壓力傳感器測(cè)量相對(duì)于密封真空參考的壓力，因此無(wú)論溫度變化如何，它都能保持精確和準(zhǔn)確。 對(duì)于密封芯片，通過(guò)在真空下將硅陽(yáng)極鍵合到固體玻璃基板（正面或背面）來(lái)產(chǎn)生絕對(duì)真空。

對(duì)于正面壓力應(yīng)用，被測(cè)介質(zhì)與芯片正面的有源電子元件直接接觸。 這種測(cè)量方法可以測(cè)量干燥和非腐蝕性氣體和空氣。

為了測(cè)量非腐蝕性氣體和流體的壓力，例如涉及燃料或石油應(yīng)用的那些，必須避免正面接觸。 取而代之的是，介質(zhì)通過(guò)背面的一個(gè)孔進(jìn)入，一個(gè)參考真空室以玻璃蓋的形式添加到前面。DP86-001D 傳感器測(cè)量?jī)蓚€(gè)施加壓力之間的差異。 前側(cè)較高的壓差會(huì)導(dǎo)致輸出信號(hào)發(fā)生正變化。 如果背壓高于前壓，則輸出信號(hào)變?yōu)樨?fù)值。 這些傳感器適用于非腐蝕性氣體和流體，例如與過(guò)濾器監(jiān)測(cè)或流量控制相關(guān)的那些。

顧名思義，表壓傳感器154N-015G-R用于測(cè)量氣體或液體的液位或體積。 它是一種特殊類(lèi)型的差壓傳感器，因?yàn)檎婊虮趁娑急┞对诃h(huán)境壓力下，而另一側(cè)則暴露在被測(cè)介質(zhì)中。由于154N-030G-R壓力傳感器芯片的靈活配置，以下技術(shù)進(jìn)步是可能的：

如果用于絕對(duì)測(cè)量的參考室采用原子鍵合密封，則與其他熔塊鍵合技術(shù)相比，壓力傳感器可確保較高的長(zhǎng)期穩(wěn)定性。使用背面的154N-050G-R壓力傳感器可實(shí)現(xiàn)密封設(shè)計(jì)，因?yàn)榫A級(jí)封裝允許電子設(shè)備與應(yīng)用流體或氣體之間的清晰分離。

電屏蔽可以直接設(shè)計(jì)到MEMS層系統(tǒng)中，以減少對(duì)芯片性能的電磁和電化學(xué)影響。用于壓力傳感元件和傳感器封裝的堅(jiān)固焊點(diǎn)的可選芯片背面金屬化可實(shí)現(xiàn)顯著的介電電阻和高機(jī)械穩(wěn)健性。較新的模具設(shè)計(jì)提供了為絕對(duì)和相對(duì)壓力創(chuàng)建平臺(tái)產(chǎn)品的靈活性，只需對(duì)壓力傳感器組件進(jìn)行較小的設(shè)計(jì)更改。