在檢測、生產(chǎn)、設(shè)計過程中，經(jīng)常遇到貼片電容容量值偏低的問題。產(chǎn)品質(zhì)量出問題了嗎？這種現(xiàn)象產(chǎn)生的原因和解決辦法有哪些？對貼片電容容值偏低的原因及相應(yīng)的應(yīng)對方案進(jìn)行了梳理，從測試環(huán)境、測試條件、儀器差異、材料老化等方面進(jìn)行了分析，使廣大技術(shù)人員對貼片電容產(chǎn)品容值偏低現(xiàn)象有更清楚的認(rèn)識，并能做出更好的選擇。

有什么影響因素？

1、測量儀器的差異性對測量結(jié)果有何影響？

大型電容（一般大于1UF）測量時，較易出現(xiàn)容值偏低的現(xiàn)象，其主要原因是施加于電容兩端的實際電壓不能滿足測試條件所需的電壓，而施加于電容兩端的測試電壓因儀器內(nèi)部阻抗分壓的原因與實際顯示的設(shè)定電壓不一致。為最大限度地減少測量結(jié)果誤差，建議對儀表進(jìn)行調(diào)整，盡可能使儀表的設(shè)定電壓與實際加在電容兩端的測量電壓保持一致，使實際與待測電容的輸出電壓保持一致。

2、試驗條件對試驗結(jié)果產(chǎn)生的影響。

本文首先研究了測量條件問題，對于不同容值的貼片電容，將采用不同的測試條件測量容值，主要在測試電壓的設(shè)置和測試頻率的設(shè)置上有所區(qū)別，下表顯示了不同容值的量測條件：

AC電壓頻率電容。

大于10μF1.0±0.2Vrms120Hz。

容量《1000pF《10μF1.0±0.2Vrms1kHz。

電容≧1000pF1.0±0.2Vrms1MHz。

3、測量環(huán)境條件對測量結(jié)果的影響程度；

采用貼片陶瓷電容（X7R/X5R/Y5V）系列產(chǎn)品，即在不同工作溫度下，電容標(biāo)稱的容值與實際容值存在較大差異，即在不同工作溫度下，電容標(biāo)稱的容值與實際容值存在較大差異。舉例來說，當(dāng)溫度為40℃時，測試容量要比25℃時低近20%。可見，當(dāng)外界環(huán)境溫度較高時，電容容值的測試值會明顯偏低。一般建議在20℃下放置一段時間，使材料處于一個穩(wěn)定的試驗環(huán)境中再進(jìn)行容許試驗。

4、是MLCC產(chǎn)物的材料老化現(xiàn)象。

物質(zhì)老化是指電容容值隨時間減小的現(xiàn)象，而在所有以鐵電系物質(zhì)作介質(zhì)的物質(zhì)制品中，這種現(xiàn)象又是必然的。其原因是由于內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨溫度和時間的變化而引起容差降低，屬于可逆現(xiàn)象。在材料處于高于其居里溫度一定時間（建議在150℃/1hour的條件下進(jìn)行容值恢復(fù)）、在環(huán)境溫度恢復(fù)到常溫（常溫25℃以下放置24小時）時，材料的分子結(jié)構(gòu)將恢復(fù)到原來的狀態(tài)。在材料老化開始的另一個循環(huán)中，貼片電容的容限將恢復(fù)到正常規(guī)格內(nèi)。

應(yīng)對措施是什么？

1、測量儀器差異對測量結(jié)果影響的應(yīng)對措施

當(dāng)測量電容容值時，應(yīng)對儀表進(jìn)行調(diào)整，盡可能地使儀表的設(shè)定電壓與產(chǎn)品兩端實際加載的電壓相適應(yīng)，使實際加載在待測物上的電壓與輸出電壓一致。

2、是檢測條件對檢測結(jié)果影響的應(yīng)對措施：

對不同容差的電容，采用不同的測試電壓和測試頻率對其進(jìn)行容差測量。

3.解決環(huán)境條件對測量結(jié)果影響的對策措施：

本品在20℃環(huán)境下放置一段時間，使材料在較穩(wěn)定的試驗環(huán)境中再次測試。

4、解決MLCC產(chǎn)品材料老化現(xiàn)象的措施：

高溫烘烤：將試驗容量偏低的產(chǎn)品置于環(huán)境溫度為：150℃條件下烘烤1小時。當(dāng)溫度為25℃時，放入常溫25℃下24小時再次測試，其容許值將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi)；或者，當(dāng)產(chǎn)品浸入錫爐或過回流焊后，其容許值將恢復(fù)到正常規(guī)格范圍內(nèi)。