三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展
5月9日，三星Foundry在以色列舉行的半導(dǎo)體展覽chipex2023上公布了對(duì)3nm gaa mbcfet技術(shù)的最新開(kāi)發(fā)和sram設(shè)計(jì)的影響。
三星解釋說(shuō)，mbcfet提供了比f(wàn)infet更好的設(shè)計(jì)靈活性：在傳統(tǒng)的finfet結(jié)構(gòu)中，無(wú)法調(diào)整包裹柵極的別針高度。由于mbcfet將鰭橫向堆積，因此可以調(diào)整納米板的高度，并且可以選擇比f(wàn)infet更多的聲道寬度。
mbcfet的這些功能提高了sram單元設(shè)計(jì)的靈活性，提供了pmos和nmos之間的最佳平衡。
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