引言

CMOS和MEMS制造技術(shù)，允許相對(duì)于其他薄膜選擇性地去除薄膜，在器件集成中一直具有很高的實(shí)用性。這種化學(xué)性質(zhì)非常有用，但是當(dāng)存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時(shí)，這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低，濕法化學(xué)也會(huì)有問題。

通過具有各向同性氣相蝕刻化學(xué)的附加優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)硅層的高蝕刻率。這種技術(shù)要求在氟中可蝕刻的材料不使用高選擇性薄膜，如二氧化硅，或光刻膠，或植入不可蝕刻的摻雜劑。

英思特通過使用NF3和NO的更簡(jiǎn)單的蝕刻化學(xué)來研究CDE中Ge和Si之間的蝕刻選擇性，目的是將Ge用作光學(xué)或MEMS器件的釋放層。通過利用上游等離子體中的NF3和Ar，可以產(chǎn)生大量的氟自由基，從而用于ge和Si蝕刻，而不會(huì)增加碳化學(xué)的復(fù)雜性。

實(shí)驗(yàn)與討論

英思特通過改變RF等離子體功率來進(jìn)行CDE蝕刻的初始表征。在CDE中用400sccm的Ar、75sccm的NF3、70Pa的壓力在不同的RF功率下進(jìn)行各向同性蝕刻；硅晶片和硅晶片上的氮化硅被蝕刻30秒，硅晶片上的鍺被蝕刻8秒（圖1）。接近1000W時(shí)，氟自由基出現(xiàn)飽和狀態(tài)，鍺、硅和氮化物的蝕刻速率分別達(dá)到2.1μm/min、320納米/分鐘和158納米/分鐘。

圖1：隨著射頻電源功率的變化的蝕刻率

在覆蓋蝕刻速率測(cè)量之后，我們利用結(jié)構(gòu)ICP RIE刻蝕到硅中的晶圓來研究CDE中Ge的橫向蝕刻特性。其結(jié)構(gòu)由SiNx（400nm）/Ge（400nm）/Si的薄膜堆制成，并蝕刻1.7μm，總柱高度為2.5μm。然后在CDE中橫向蝕刻15、30和45秒，在直徑100m的柱上光學(xué)測(cè)量后蝕刻Ge（圖2）。

圖2：夾在SiNx和晶體硅襯底之間的橫向蝕刻的光學(xué)測(cè)量

結(jié)論

干法蝕刻釋放層是集成光子學(xué)和MEMS應(yīng)用的基本工具，這項(xiàng)工作詳細(xì)說明了在硅和氮化硅存在下鍺薄膜的各向同性干法刻蝕。英思特通過使用三氟化氮和Ar的化學(xué)方法，將Ge、Si、SiNx和晶體硅的覆蓋層以及圖案CVD層進(jìn)行各向同性蝕刻。

隨著等離子體功率的增加，蝕刻速率增加；使用O2降低，氧化暴露的Ge和Si受到抑制，但不阻止GeF4和四氟化硅的形成。這項(xiàng)工作不是將N2和O2注入等離子體，而是通過將NO直接注入處理室，來產(chǎn)生基本的N和O自由基。

英思特研究發(fā)現(xiàn)，Si和SiNx的蝕刻速率增加，但由于氧-氮化物或氮化物鍺的形成，導(dǎo)致蝕刻發(fā)生延遲。在純氟蝕刻化學(xué)存在的情況下，我們幾乎沒有觀察到α-Si、Si襯底或氮化硅的蝕刻，并且Ge蝕刻顯著高于覆蓋Ge薄膜蝕刻速率。對(duì)于暴露的硅和氮化硅，除了輕微延遲蝕刻前部和輕微增加蝕刻速率外，添加NO在蝕刻方面沒有任何優(yōu)勢(shì)。

江蘇英思特半導(dǎo)體科技有限公司主要從事濕法制程設(shè)備，晶圓清潔設(shè)備，RCA清洗機(jī)，KOH腐殖清洗機(jī)等設(shè)備的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和維護(hù)。

審核編輯：湯梓紅