如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān)？
現(xiàn)在，讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān)，以實現(xiàn)預期的雙向開關(guān)應用。
下圖顯示了使用 P 溝道 MOSFET 的基本 BPS 實現(xiàn)：
使用 P 溝道 MOSFET
當點“A”為正時，左側(cè)體二極管正向偏置并導通，然后是右側(cè)p-MOSFET，以完成點“B”處的導通。
當點“B”為正時，相反的相應分量對傳導變得活躍。
較低的 N 溝道 MOSFET 通過適當?shù)?ON/OFF 柵極命令控制 BPS 器件的 ON/OFF 狀態(tài)。
電阻器和電容器可保護 BPS 器件免受可能的浪涌電流浪涌的影響。
然而，使用P溝道MOSFET從來都不是實現(xiàn)BPS的理想方法，因為它們的RDSon很高。因此，與基于 N 通道的 BPS
設計相比，這些可能需要更大、更昂貴的器件來補償熱量和其他相關(guān)的低效率。
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