現(xiàn)在，讓我們了解如何使用分立元件構(gòu)建雙向開關(guān)，以實(shí)現(xiàn)預(yù)期的雙向開關(guān)應(yīng)用。

下圖顯示了使用 P 溝道 MOSFET 的基本 BPS 實(shí)現(xiàn)：

使用 P 溝道 MOSFET

當(dāng)點(diǎn)“A”為正時(shí)，左側(cè)體二極管正向偏置并導(dǎo)通，然后是右側(cè)p-MOSFET，以完成點(diǎn)“B”處的導(dǎo)通。

當(dāng)點(diǎn)“B”為正時(shí)，相反的相應(yīng)分量對(duì)傳導(dǎo)變得活躍。

較低的 N 溝道 MOSFET 通過適當(dāng)?shù)?ON/OFF 柵極命令控制 BPS 器件的 ON/OFF 狀態(tài)。

電阻器和電容器可保護(hù) BPS 器件免受可能的浪涌電流浪涌的影響。

然而，使用P溝道MOSFET從來都不是實(shí)現(xiàn)BPS的理想方法，因?yàn)樗鼈兊腞DSon很高。因此，與基于 N 通道的 BPS

設(shè)計(jì)相比，這些可能需要更大、更昂貴的器件來補(bǔ)償熱量和其他相關(guān)的低效率。