Device Studio (簡稱:DS)作為鴻之微科技(上海)股份有限公司(簡稱:鴻之微)研發(fā)的多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真平臺,可實(shí)現(xiàn)材料原子級建模(百萬量級)、高性能科學(xué)仿真計(jì)算、計(jì)算任務(wù)的監(jiān)控和管理、數(shù)據(jù)可視化分析的全過程,從而實(shí)現(xiàn)材料設(shè)計(jì)與科學(xué)仿真模擬一體化,極大地促進(jìn)和提升科研效率,幫助科研工作者解決當(dāng)今多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真模擬的一系列重要問題。
Device Studio 集成了多種科學(xué)計(jì)算軟件,可滿足用戶在各個(gè)領(lǐng)域的科學(xué)仿真計(jì)算需求。集成了第一性原理平面波計(jì)算軟件 DS-PAW,第一性原理量子輸運(yùn)計(jì)算軟件 Nanodcal,緊束縛模型量子輸運(yùn)計(jì)算軟件 Nanoskim,第一性原理大體系KS-DFT計(jì)算軟件 RESCU,量子化學(xué)計(jì)算軟件 BDF,分子發(fā)光與輸運(yùn)性質(zhì)計(jì)算軟件 MOMAP,材料微觀組織演化模擬軟件 STEMS ,嵌段共聚物自組裝相行為設(shè)計(jì)軟件TOPS,聚合物耗散粒子動(dòng)力學(xué)模擬軟件PODS,以及其他主流的科學(xué)計(jì)算軟件,諸如:VASP、LAMMPS、QE、OVITO 、Gaussian、NWChem等。
Device Studio 基于強(qiáng)大的材料設(shè)計(jì)建模和高性能科學(xué)仿真計(jì)算能力,可廣泛應(yīng)用于量子器件、人工生物、先進(jìn)電池、智能照明、存儲器等產(chǎn)業(yè)中,輔助其在電子材料、合金、生物科技等領(lǐng)域開展材料研發(fā)與設(shè)計(jì),為光電和集成電路等產(chǎn)業(yè)提供專業(yè)的技術(shù)支撐。
本期將給大家介紹Device Studio 結(jié)構(gòu)建模 6.2.4-6.3.4的內(nèi)容。
6.2.4.修改原子坐標(biāo)
如將圖6.2-1(d)中W原子的坐標(biāo)位置由(0.5951619,1.47565329,7.18570423)修改為(1.0,1.5,12.0),具體操作為先鼠標(biāo)選中W原子,則在Properties Explorer(結(jié)構(gòu)屬性區(qū)域)查看到選中的W原子的坐標(biāo)信息為(0.5951619,1.47565329,7.18570423),再鼠標(biāo)分別雙擊合適位置填寫1.0、1.5和12.0,則修改好W原子的坐標(biāo),最后點(diǎn)擊重新計(jì)算鍵長Recalculate LinkerBond快捷圖標(biāo),修改原子坐標(biāo)后結(jié)構(gòu)的3D視圖如圖6.2-1(e)所示。
6.2.5.移動(dòng)選中的原子
對于圖6.2-1(e)所示的結(jié)構(gòu),移動(dòng)左邊的兩個(gè)原子,具體操作如圖6.2-2紅色部分所示,先鼠標(biāo)框選左邊兩個(gè)原子,點(diǎn)擊Move Atom快捷圖標(biāo),則彈出Move Atom界面,在界面中填寫移動(dòng)距離,點(diǎn)擊沿著Z的正方向移動(dòng),移動(dòng)之后點(diǎn)擊新計(jì)算鍵長Recalculate LinkerBond快捷圖標(biāo),移動(dòng)后的結(jié)構(gòu)的3D視圖如圖6.2-1(f)所示。
圖6.2-2: 移動(dòng)選中的原子操作界面
6.3.結(jié)構(gòu)的信息測量
以Si8晶體結(jié)構(gòu)為例描述結(jié)構(gòu)的信息測量一系列操作。準(zhǔn)備結(jié)構(gòu)文件 Si8.hzw,鼠標(biāo)拖動(dòng)該文件到軟件的Project Explorer(項(xiàng)目管理區(qū)域)即可導(dǎo)入結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)的zy面3D視圖如圖6.3-1所示。
圖6.3-1: Si8晶體結(jié)構(gòu)
6.3.1.測量2個(gè)原子之間的距離
對于圖6.3-1所示的晶體結(jié)構(gòu),先點(diǎn)擊Toolbars上的Distance快捷圖標(biāo),再通過鼠標(biāo)分別選中結(jié)構(gòu)中的2個(gè)原子則可測量選中的2個(gè)原子之間的距離如圖6.3-2(a)所示,若不想保留測量數(shù)字,點(diǎn)擊3D Viewer Selection Mode快捷圖標(biāo),選中測量數(shù)字,按鍵盤中的Delete即可。
6.3.2.測量2個(gè)原子之間的向量
對于圖6.3-1所示的晶體結(jié)構(gòu),先點(diǎn)擊Toolbars上的Vector between two atoms快捷圖標(biāo),再通過鼠標(biāo)分別選中結(jié)構(gòu)中的2個(gè)原子則可測量選中的2個(gè)原子之間的向量如圖6.3-2(b)所示。
6.3.3.測量3個(gè)原子之間的夾角
對于圖6.3-1所示的晶體結(jié)構(gòu),先點(diǎn)擊Toolbars上的Angle快捷圖標(biāo),再通過鼠標(biāo)分別選中結(jié)構(gòu)中的3個(gè)原子則可測量選中的3個(gè)原子之間的夾角如圖6.3-2(c)所示。
6.3.4.測量4個(gè)原子之間的二面角
對于圖6.3-1所示的晶體結(jié)構(gòu),先點(diǎn)擊Toolbars上的Dihedral angle快捷圖標(biāo),再通過鼠標(biāo)分別選中結(jié)構(gòu)中的4個(gè)原子則可測量選中的4個(gè)原子之間的二面角如圖6.3-2(d)所示。
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原文標(biāo)題:產(chǎn)品教程丨多尺度材料設(shè)計(jì)與仿真平臺Device Studio(結(jié)構(gòu)操作02)
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