各向異性刻蝕是一種減材微加工技術(shù)，旨在優(yōu)先去除特定方向的材料以獲得復雜且通常平坦的形狀。濕法技術(shù)利用結(jié)構(gòu)的晶體特性在由晶體取向控制的方向上進行蝕刻。

然而，概述了一些定性方面用于解釋各向異性的性質(zhì)：它應該是由于邊緣 Si原子和蝕刻自由基之間的分子相互作用而導致 Si-Si背界強度的變化產(chǎn)生的。蝕刻速率的極坐標圖包含有關(guān)蝕刻反應分子機制的寶貴信息，可用于顯著增強微加工技術(shù)。因此，從束縛強度等原子參數(shù)開始并描繪各向異性圖的工具應該為判斷不同模型的擬合或局限性提供真正的進步。

實現(xiàn)各向異性蝕刻輪廓的第一種方法是側(cè)壁保護方法，例如，在使用基于 CF4的等離子體蝕刻 Si期間，離子輔助反應的效果略微取決于離子能量在這種方法中，晶圓表面的側(cè)壁由 SiO2等無機材料保護或在蝕刻過程中等離子體中產(chǎn)生的有機聚合物，整個晶圓表面及其圖案側(cè)壁均需覆蓋保護材料。由于離子和自由基的方向性，表面的保護層被腐蝕掉，但是由于幾乎沒有撞擊離子，圖形側(cè)壁的保護層沒有被剝離，這是側(cè)壁保護方法的基本機制。