三星3納米良率不超過20% 將重新擬定制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)
三星制程工藝時(shí)間節(jié)點(diǎn)更新，2025年2nm，2027年1.4nm 。
三星最新公布的制程工藝技術(shù)路線圖顯示，該公司計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)2納米級SF2工藝，以滿足客戶對高性能處理器的需求。此前，三星已于今年公布，其3納米工藝已滿足大規(guī)模生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)。
三星雖然公布了自家的 3 納米制程工藝已經(jīng)達(dá)到了可以批量生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)，但因?yàn)槿枪に囋隍旪?888 和驍龍 8Gen1 兩款芯片上的表現(xiàn)并不盡如人意。
盡管三星在4納米和5納米工藝上仍然有產(chǎn)量問題，但在3納米工藝上卻面臨更大的良率問題，因此與Silicon Frontline Technology公司合作，改進(jìn)晶圓廠前端工藝和芯片性能已成為他們的必需之舉。
而與目前的4納米和5納米工藝相比，3納米制程工藝在性能和能效比上有較大的提升，但三星3納米解決方案制程自量產(chǎn)以來，良率不超過20%，這讓它們陷入了瓶頸。
根據(jù)最新的技術(shù)路線圖，三星計(jì)劃在2025年推出2納米級SF2工藝，2027年推出1.4納米級SF1.4工藝。
編輯：黃飛
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