2023年IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)圓滿舉辦
IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)
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為加強(qiáng)IGBT產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)交流聯(lián)動(dòng)，6月29日，由艾邦智造主辦的”2023年IGBT產(chǎn)業(yè)鏈論壇會(huì)”在昆山金陵大飯店成功舉辦。本次論壇就IGBT產(chǎn)業(yè)化發(fā)展、IGBT芯片研發(fā)、創(chuàng)新材料、工藝制造及應(yīng)用等方面展開探討。
翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生應(yīng)邀作為此次論壇的演講嘉賓，并做《一體化高性能逆變磚模塊技術(shù)研究》主體演講，結(jié)合功率模塊封裝的發(fā)展趨勢、先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)、一體化高性能逆變磚模塊及產(chǎn)品介紹進(jìn)行了全面的專題探討?，F(xiàn)場人氣滿滿，學(xué)術(shù)氣氛非常濃厚。
翠展微電子研發(fā)副總吳瑞先生在會(huì)上介紹到，功率模塊封裝的發(fā)展歷程最早可追溯到1975年賽米控推出全球第一款功率模塊，發(fā)展至今，功率模塊基本分為兩大封裝類型：塑封型模塊和框架型模塊。
封裝技術(shù)為半導(dǎo)體芯片提供電氣連接、機(jī)械支撐、散熱途徑、環(huán)境防護(hù)，也引入了一些問題如寄生參數(shù)、連接問題、熱阻、界面失效等。業(yè)界對(duì)于先進(jìn)功率半導(dǎo)體封裝技術(shù)研究主要在基礎(chǔ)材料、封裝工藝、模塊設(shè)計(jì)方面，圍繞電學(xué)性能、熱管理、機(jī)械性能和可靠性進(jìn)行研究。
電動(dòng)汽車多合一動(dòng)力總成對(duì)功率模塊提出了更高的要求，翠展微電子推出了新方案——一體化逆變磚模塊方案，將DBC直接燒結(jié)在散熱器上，去除了銅底板和導(dǎo)熱硅脂兩個(gè)封裝界面，降低熱阻、減少重量、降低成本，無需涂抹導(dǎo)熱硅脂，裝配簡單，增加可靠性。
本次論壇會(huì)吸引了業(yè)內(nèi)180家企業(yè)，約345位企業(yè)代表參會(huì)，聚焦前沿技術(shù)進(jìn)步與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新應(yīng)用，暢談創(chuàng)新與合作，共享共贏。給予產(chǎn)業(yè)鏈上下游朋友創(chuàng)造了面對(duì)面交流的機(jī)會(huì)，為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)一份力量。
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原文標(biāo)題：2023年IGBT產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)圓滿舉辦
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