為什么需要先進半導體封裝？

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，人類正生活在一個以數(shù)據(jù)為中心的時代。各行各業(yè)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量不斷攀升，持續(xù)推動對高帶寬計算的需求增長。機器學習和人工智能（AI）等應用需要強大的處理能力，因此需要在芯片上更密集地布置晶體管，在封裝中需要更緊湊地互連凸點間距。后者強調(diào)了半導體封裝技術在滿足上述需求時的重要性。在此背景下，英國知名研究公司IDTechEx發(fā)布了這份關于先進半導體封裝材料及工藝的最新研究。

1D到3D半導體封裝

半導體封裝已經(jīng)從板級集成發(fā)展到晶圓級集成，帶來了顯著的進步。晶圓級集成提供了優(yōu)于傳統(tǒng)方案的諸多優(yōu)勢，例如：提高了互連密度，為尺寸敏感應用提供了更小的占位面積，同時還增強了性能。

目前，包括2.5D IC、3D IC和高密度扇出晶圓級封裝等封裝技術，被歸類為“先進半導體封裝”，其特點是凸點間距低于100 μm，能夠?qū)崿F(xiàn)至少10倍的更高互連密度以及更高的集成能力。

帶寬是關鍵

從封裝的角度來看，要提高帶寬，需要考慮兩個關鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個布線層/再分布層（RDL）中實現(xiàn)更精細的線寬/間距（L/S），并具有更高數(shù)量的布線層。另一方面，提高每I/O比特率受到芯粒（chiplets）之間互連距離和介質(zhì)材料選擇的影響。這些因素直接影響著封裝系統(tǒng)的整體性能和效率。

影響封裝模塊帶寬的關鍵因素

釋放高帶寬：探索先進半導體封裝的材料和工藝

從材料和工藝角度深入研究如何實現(xiàn)更高的布線密度和每I/O比特率，揭示了介質(zhì)材料選擇和適當工藝技術所發(fā)揮的關鍵作用。這些因素對封裝系統(tǒng)的整體性能和功能具有重大影響。

電互連：SiO2 vs. 有機介質(zhì)

選擇合適的介質(zhì)材料至關重要，需要考量低介電常數(shù)、最佳CTE（盡可能接近Cu的CTE）等特性，以及確保模塊可靠性的有利機械特性（例如楊氏模量和延伸率等）。這些選擇可以實現(xiàn)更高的數(shù)據(jù)速率，同時保持信號完整性，并有助于更精細的線寬/間距以提高布線密度。

在GPU等高性能加速器中，SiO2等無機介質(zhì)已被廣泛用于實現(xiàn)超精細線寬/間距。然而，由于它們的高RC延遲，在需要高速連接的應用中受到限制。作為一種替代方案，有機介質(zhì)因其成本效益，以及通過低介電常數(shù)減輕RC延遲而獲得關注。不過，有機介質(zhì)仍存在挑戰(zhàn)，包括可能對器件可靠性帶來負面影響的高CTE，以及線寬/間距難以擴展等。

除了選擇合適的材料，封裝制造過程中采用的工藝技術在實現(xiàn)更高數(shù)量I/O以及提高I/O比特率方面也發(fā)揮著至關重要的作用。2.5D封裝工藝中涉及的步驟（光刻、CMP、蝕刻工藝等），以及3D Cu-Cu混合鍵合中的CMP和鍵合工藝，在實現(xiàn)更緊密布線和增加布線密度等方面提出了挑戰(zhàn)。IDTechEx在這份報告中提供了有關材料選擇如何影響制造工藝的詳細見解，幫助用戶全面了解它們對先進半導體封裝的影響。

本報告覆蓋了哪些材料和技術？

報告研究覆蓋的案例

本報告主要可分為四個部分，提供了理解先進半導體封裝材料和工藝的結構化方法。報告第一部分全面介紹了先進半導體封裝的技術、發(fā)展趨勢、關鍵應用和生態(tài)系統(tǒng)，為用戶提供了堅實的概述知識。

第二部分重點介紹了2.5D封裝工藝，深入研究了RDL和微孔介質(zhì)材料、RDL制造技術以及EMC和MUF材料選擇等關鍵技術。本部分中的每個小章節(jié)都詳細分析了工藝流程、技術對標、廠商評估以及未來趨勢，為用戶提供了全面的見解。

EMC材料關鍵考量參數(shù)

EMC材料供應鏈（樣刊模糊化）

關于2.5D封裝的討論繼續(xù)到第三部分，重點聚焦了用于3D芯片堆疊的創(chuàng)新Cu-Cu混合鍵合技術。本章節(jié)提供了對制造工藝的深入研究，并為實現(xiàn)最佳結果提供了材料選擇指南。報告還展示了很多案例研究，重點介紹了使用有機和無機介質(zhì)成功實現(xiàn)Cu-Cu混合鍵合的案例。

有機介質(zhì)先進半導體封裝模塊10年期市場預測

此外，本報告在最后一部分提供了有機介質(zhì)先進半導體封裝模塊的10年期市場預測，對未來預期的市場增長和趨勢提供了重要展望。