隨著大規(guī)模復(fù)雜集成電路的不斷發(fā)展，噪聲對(duì)于集成電路性能的潛在危害越來(lái)越大。近年來(lái)，對(duì)于噪聲的探究已經(jīng)受到了廣泛的關(guān)注。隨著集成電路特征尺寸的進(jìn)一步減小，綜合水平的不斷提高，噪聲已經(jīng)成為一個(gè)不容忽視的問(wèn)題。

不斷提高的小型化技術(shù)和創(chuàng)新邏輯設(shè)計(jì)使噪聲新問(wèn)題從模擬和混合信號(hào)領(lǐng)域蔓延到純模擬和純數(shù)字設(shè)計(jì)領(lǐng)域。噪聲在集成電路中是一個(gè)很大的問(wèn)題，特別是當(dāng)一個(gè)敏感電路要接收弱信號(hào)，而它又位于進(jìn)行著各種計(jì)算、控制邏輯和有頻繁跳變信號(hào)的電路旁路時(shí)，會(huì)影響敏感電路的工作及性能，甚至可以毀掉整個(gè)芯片。

SPICE集成電路分析程序與MOSFET模型

Level 1 簡(jiǎn)單MOSFET模型

Level 2 2μm 器件模擬分析

Level 3 0.9μm 器件數(shù)字分析

BSIM 1 0.8μm 器件數(shù)字分析

BSIM 2 0.3μm 器件模擬與數(shù)字分析

BSIM 3 0.5μm 器件模擬分析與0.1?m 器件數(shù)字分析

Level=6 亞微米離子注入器件

Level=50 小尺寸器件模擬電路分析

Level=11 SOI器件

對(duì)電路設(shè)計(jì)工程師來(lái)說(shuō), 采用什么模型參數(shù)在很大程度上還取決于能從相應(yīng)的工藝制造單位得到何種模型參數(shù)。

指標(biāo)分析

偏置電流與功耗、開(kāi)環(huán)增益、GBW與相位裕 度、壓擺率、Swing Range、失調(diào)、噪聲、 工藝corner分析、溫度特性分析等

單位增益帶寬 GBW≈gm1/(Cc+CGD3)

主極點(diǎn)?p1≈1/[Ro1gm3Ro(Cc+CGD3)]

第二極點(diǎn)?p2≈gm3/(CL+Co)

零點(diǎn) ?z≈1/[(Cc+CGD3)(gm3-1-Rz)]

.ac dec 10 1k 500meg

.noise v(out2) VVDC 10