一、帶隙基準反饋極性分析:
1.1****原理圖一:
輸出電壓:
我們知道對于上圖的pnp二極管接法,向下看的輸入阻抗是1/gm,那么對于Q1和Q2他們個數(shù)不同,電流相同的情況下,輸入阻抗一樣嗎?換句話說:
對于三極管的gm表示方式:
因為兩個pnp的電流一樣,所以根數(shù)上式,可以得到:
gm1=gm2
也就是:(為了方便,把PNP的輸入阻抗表示成RQ)
主要來分析一下電路的反饋:
反饋信號從輸出端反饋回兩個輸入端 A 和 B
反饋類型是:
電壓-電壓反饋
由于前饋通道的絕對值一樣,所以直接比較正反饋因子和負反饋因子,來分析反饋極性
負反饋因子:
正反饋因子:
觀察βn和βp,兩個分式的分母在同一個量級,而分子:
RQ <
**
所以:
βn<<βp
也就是說這個bg結(jié)構(gòu)含 有兩個反饋環(huán)路 ,一個是正反饋一個是負反饋,負反饋的環(huán)路增益大于正反饋,所以整個系統(tǒng)還是負反饋。
下面我們來看看另外一個比較常見的bg結(jié)構(gòu)
** 1.2 原理圖二:**
輸出電壓:
反饋類型判斷:
反饋量是電流,電流乘以如圖的Req得到電壓(VA、VB)作為運算放大器的輸入,所以反饋類型是:
電流—電壓反饋
正確接法****環(huán)路增益計算:
錯誤接法****環(huán)路益計算:
**1.3 **原理圖三:
對于圖3:
輸出電壓:
反饋類型判斷:
由于反饋量是電流,電流乘以 Req 得到電壓作為輸入,所以反饋類型是
電流-電壓反饋
正確環(huán)路****增益計算:
錯誤環(huán)路****增益計算:
總結(jié):以上三種或者說兩種Bandgap Voltage電路,有 兩個反饋環(huán)路 (正反饋環(huán)路、負反饋環(huán)路),我們需要注意分析電路的結(jié)構(gòu),設(shè)置正確的偏置方法,在反饋類型上確定電路的穩(wěn)定。
**
-
二極管
+關(guān)注
關(guān)注
148文章
10101瀏覽量
171669 -
帶隙基準電路
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
14瀏覽量
10828 -
失調(diào)電壓
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
198瀏覽量
14379 -
PNP管
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
28瀏覽量
7894
發(fā)布評論請先 登錄
低溫漂CMOS帶隙基準電壓源分析

基于LDO穩(wěn)壓器的帶隙基準電壓源設(shè)計
基于BiCMOS工藝的帶隙基準電壓源設(shè)計
一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準源的設(shè)計
基于汽車環(huán)境的帶隙基準電壓源的設(shè)計
14位Pipeline ADC設(shè)計的帶隙電壓基準源技術(shù)

CMOS帶隙基準電壓源曲率校正方法

一種高PSR帶隙基準源的實現(xiàn)

帶隙電壓基準源的設(shè)計與分析

cmos帶隙基準電壓源設(shè)計

評論