MSPMPL系列中的NVM（Non Volatile Memory）非易失性存儲，也就是我們常說的FLASH。

在MSPM0L系列的 FLASH中，一個(gè)Sector為1KB，一個(gè)Bank可達(dá)256KB，而MSPM0L系列中，大部分型號也就只有一個(gè)Bank，所以在只有一個(gè)Bank的型號中，Bank操作會涉及到整個(gè)片內(nèi)的FLASH，F(xiàn)LASH控制器數(shù)據(jù)操作是Word操作，也就是4個(gè)字節(jié)，當(dāng)然也支持1字節(jié)和2字節(jié)的寫入操作。

下面以64KB FLASH的芯片舉例，F(xiàn)LASH的地址分布如下，NONMAIN就是BSL區(qū)域，F(xiàn)ACTORY為出廠預(yù)存數(shù)據(jù)。

下面通過一個(gè)FLASH的寫入的程序來看下FLASH寫入流程：

FLASH擦寫操作無需SYSCONFIG的配置，可以直接調(diào)用函數(shù)來完成，每次執(zhí)行完成擦寫操作的時(shí)候，F(xiàn)LASH的寫保護(hù)寄存器都會置位，也就是自動保護(hù)起來，所以下一次操作之前都需要重新解鎖。

執(zhí)行完成后，在keil中debug查找寫入地址0x00001000的數(shù)據(jù)，已經(jīng)成功寫入所有的數(shù)據(jù)。

配套例程為NVM，需要復(fù)制到SDK目錄下運(yùn)行。

審核編輯：劉清