本系列將帶來(lái)FPGA的系統(tǒng)性學(xué)習(xí)，從最基本的數(shù)字電路基礎(chǔ)開(kāi)始，最詳細(xì)操作步驟，最直白的言語(yǔ)描述，手把手的“傻瓜式”講解，讓電子、信息、通信類專業(yè)學(xué)生、初入職場(chǎng)小白及打算進(jìn)階提升的職業(yè)開(kāi)發(fā)者都可以有系統(tǒng)性學(xué)習(xí)的機(jī)會(huì)。

系統(tǒng)性的掌握技術(shù)開(kāi)發(fā)以及相關(guān)要求，對(duì)個(gè)人就業(yè)以及職業(yè)發(fā)展都有著潛在的幫助，希望對(duì)大家有所幫助。后續(xù)會(huì)陸續(xù)更新 Xilinx 的 Vivado、ISE 及相關(guān)操作軟件的開(kāi)發(fā)的相關(guān)內(nèi)容，學(xué)習(xí)FPGA設(shè)計(jì)方法及設(shè)計(jì)思想的同時(shí)，實(shí)操結(jié)合各類操作軟件，會(huì)讓你在技術(shù)學(xué)習(xí)道路上無(wú)比的順暢，告別技術(shù)學(xué)習(xí)小BUG卡破腦殼，告別目前忽悠性的培訓(xùn)誘導(dǎo)，真正的去學(xué)習(xí)去實(shí)戰(zhàn)應(yīng)用。話不多說(shuō)，上貨。

本篇實(shí)現(xiàn)基于叁芯智能科技的SANXIN -B01 FPGA開(kāi)發(fā)板，以下為配套的教程，如有入手開(kāi)發(fā)板，可以登錄官方淘寶店購(gòu)買(mǎi)，還有配套的學(xué)習(xí)視頻。SANXIN-B01 Verilog教程-郝旭帥團(tuán)隊(duì)

SPI是串行外設(shè)接口(Serial Peripheral Interface)的縮寫(xiě)。SPI，是一種高速的，全雙工，同步的通信總線，并且在芯片的管腳上只占用四根線，節(jié)約了芯片的管腳，同時(shí)為PCB的布局上節(jié)省空間，提供方便，正是出于這種簡(jiǎn)單易用的特性，如今越來(lái)越多的芯片集成了這種通信協(xié)議。

SPI的通信原理很簡(jiǎn)單，它以主從方式工作，這種模式通常有一個(gè)主設(shè)備和一個(gè)或多個(gè)從設(shè)備，中間靠三線或者四線連接（三線時(shí)為單向傳輸或者數(shù)據(jù)線雙向傳輸）。所有基于SPI的設(shè)備共有的，它們是MISO、MOSI、SCLK、CS。

MISO– Master Input Slave Output,主設(shè)備數(shù)據(jù)輸入，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸出。

MOSI– Master Output Slave Input,主設(shè)備數(shù)據(jù)輸出，從設(shè)備數(shù)據(jù)輸入。

SCLK – Serial Clock,時(shí)鐘信號(hào)，由主設(shè)備產(chǎn)生。

CS – Chip Select,從設(shè)備使能信號(hào)，由主設(shè)備控制。

cs是從芯片是否被主芯片選中的控制信號(hào)，也就是說(shuō)只有片選信號(hào)為預(yù)先規(guī)定的使能信號(hào)時(shí)(高電位或低電位)，主芯片對(duì)此從芯片的操作才有效。這就使在同一條總線上連接多個(gè)spi設(shè)備成為可能。

通訊是通過(guò)數(shù)據(jù)交換完成的，由sclk提供時(shí)鐘脈沖，mosi、miso則基于此脈沖完成數(shù)據(jù)傳輸。數(shù)據(jù)輸出通過(guò) mosi線，數(shù)據(jù)在時(shí)鐘上升沿或下降沿時(shí)改變，在緊接著的下降沿或上升沿被讀取。完成一位數(shù)據(jù)傳輸，輸入也使用同樣原理。因此，至少需要N次時(shí)鐘信號(hào)的改變(上沿和下沿為一次)，才能完成N位數(shù)據(jù)的傳輸。

spi通信有四種不同的模式，不同的從設(shè)備可能在出廠時(shí)就已經(jīng)配置為某種模式。通信的雙方必須是工作在同一模式下，所以我們可以對(duì)主設(shè)備的spi模式進(jìn)行配置，通過(guò)CPOL（時(shí)鐘極性）和CPHA（時(shí)鐘相位）來(lái)控制我們主設(shè)備的通信模式。

mode0：CPOL=0，CPHA=0；

mode1：CPOL=0，CPHA=1；

mode2：CPOL=1，CPHA=0；

mode3：CPOL=1，CPHA=1；

時(shí)鐘極性CPOL是用來(lái)配置SCLK在空閑時(shí)，應(yīng)該處于的狀態(tài)；時(shí)鐘相位CPHA用來(lái)配置在第幾個(gè)邊沿進(jìn)行采樣。

CPOL=0，表示在空閑狀態(tài)時(shí)，時(shí)鐘SCLK為低電平。

CPOL=1，表示在空閑狀態(tài)時(shí)，時(shí)鐘SCLK為高電平。

CPHA=0，表示數(shù)據(jù)采樣是在第1個(gè)邊沿。

CPHA=1，表示數(shù)據(jù)采樣是在第2個(gè)邊沿。

即：

CPOL=0，CPHA=0：此時(shí)空閑態(tài)時(shí)，SCLK處于低電平，數(shù)據(jù)采樣是在第1個(gè)邊沿，也就是SCLK由低電平到高電平的跳變，所以數(shù)據(jù)采樣是在上升沿，數(shù)據(jù)發(fā)送是在下降沿。

CPOL=0，CPHA=1：此時(shí)空閑態(tài)時(shí)，SCLK處于低電平，數(shù)據(jù)發(fā)送是在第1個(gè)邊沿，也就是SCLK由低電平到高電平的跳變，所以數(shù)據(jù)采樣是在下降沿，數(shù)據(jù)發(fā)送是在上升沿。

CPOL=1，CPHA=0：此時(shí)空閑態(tài)時(shí)，SCLK處于高電平，數(shù)據(jù)采集是在第1個(gè)邊沿，也就是SCLK由高電平到低電平的跳變，所以數(shù)據(jù)采集是在下降沿，數(shù)據(jù)發(fā)送是在上升沿。

CPOL=1，CPHA=1：此時(shí)空閑態(tài)時(shí)，SCLK處于高電平，數(shù)據(jù)發(fā)送是在第1個(gè)邊沿，也就是SCLK由高電平到低電平的跳變，所以數(shù)據(jù)采集是在上升沿，數(shù)據(jù)發(fā)送是在下降沿。

硬件簡(jiǎn)介

FLASH閃存 的英文名稱是"Flash Memory"，一般簡(jiǎn)稱為"Flash"，它屬于內(nèi)存器件的一種，是一種非易失性( Non-Volatile )內(nèi)存。

在開(kāi)發(fā)板上有一塊flash（M25P16），用來(lái)保存FPGA的硬件配置信息，也可以用來(lái)存儲(chǔ)用戶的應(yīng)用程序或數(shù)據(jù)。

M25P16是一款帶有寫(xiě)保護(hù)機(jī)制和高速SPI總線訪問(wèn)的2M字節(jié)串行Flash存儲(chǔ)器，該存儲(chǔ)器主要特點(diǎn)：2M字節(jié)的存儲(chǔ)空間，分32個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)256頁(yè)，每頁(yè)256字節(jié)；能單個(gè)扇區(qū)擦除和整片擦除；每扇區(qū)擦寫(xiě)次數(shù)保證10萬(wàn)次、數(shù)據(jù)保存期限至少20年。

C（serial clock：串行時(shí)鐘）為D和Q提供了數(shù)據(jù)輸入或者輸出的時(shí)序。D的數(shù)據(jù)總是在C的上升沿被采樣。Q的數(shù)據(jù) 在C的下降沿被輸出。

ˉS（Chip Select：芯片選擇端），當(dāng)輸入為低時(shí)，該芯片被選中，可以允許進(jìn)行讀寫(xiě)操作。當(dāng)輸入為高時(shí)，該芯片被釋放，不能夠進(jìn)行操作。

對(duì)于H——o——l——d——和W——， 為保持功能和硬件寫(xiě)保護(hù)功能，在本設(shè)計(jì)中不使用此管腳，在硬件設(shè)計(jì)時(shí)，這兩個(gè)管腳全部被拉高了，即全部失效。

flash采用spi的通信協(xié)議，flash當(dāng)做從機(jī)。serial clcok等效于spi中的sclk，chip select等效于spi中的cs，D等效于spi中的mosi，Q等效于spi中的miso。

flash可以支持mode0和mode3，這兩種模式中，都是在時(shí)鐘的上升沿采樣，在時(shí)鐘的下降沿發(fā)送數(shù)據(jù)。

flash的每一頁(yè)都可以被寫(xiě)入，但是寫(xiě)入只能是把1改變?yōu)?。擦除可以把0改變?yōu)?。所以在正常寫(xiě)入數(shù)據(jù)之前，都要將flash進(jìn)行擦除。

flash的命令表如下：

下面介紹幾個(gè)常用的命令

RDID（Read Identification ：讀ID）：發(fā)送命令RDID（9F），然后接收第1個(gè)字節(jié)的memory type（20H），第二個(gè)字節(jié)的memory capacity（15H）。后續(xù)的字節(jié)暫不關(guān)心。

WREN（Write Enable ：寫(xiě)使能）：在任何寫(xiě)或者擦除的命令之前，都必須首先打開(kāi)寫(xiě)使能。打開(kāi)寫(xiě)使能為發(fā)送命令WREN（06h）。

RDSR（Read Status Register：讀狀態(tài)寄存器）：發(fā)送命令RDSR（05h），然后返回一個(gè)字節(jié)的狀態(tài)值。

狀態(tài)寄存器的格式如下：

WIP（Write In Progress bit）表示flash內(nèi)部是否正在進(jìn)行內(nèi)部操作，寫(xiě)和擦除都會(huì)導(dǎo)致flash內(nèi)部進(jìn)行一段時(shí)間的工作，在內(nèi)部工作期間，外部的命令會(huì)被忽略，所以在進(jìn)行任何命令之前，都需要查看flash內(nèi)部是否正在工作。WIP為1時(shí)，表示flash內(nèi)部正在工作；WIP為0時(shí)，表示flash內(nèi)部沒(méi)有在工作。

READ（Read DATA Bytes：讀數(shù)據(jù)）：發(fā)送命令READ（03H），后續(xù)發(fā)送3個(gè)字節(jié)的地址，然后就可以接收數(shù)據(jù)，內(nèi)部的地址會(huì)不斷遞增。一個(gè)讀命令就可以把整個(gè)flash全部讀完。

PP（Page Program ：頁(yè)編寫(xiě)）：發(fā)送命令PP（02H），接著發(fā)送3個(gè)字節(jié)的地址，然后發(fā)送數(shù)據(jù)即可。切記所寫(xiě)的數(shù)據(jù)不能超過(guò)本頁(yè)的地址范圍。

SE（Sector Erase ：扇區(qū)擦除）：發(fā)送命令SE（D8H），接著發(fā)送3個(gè)字節(jié)的地址。

BE（Bulk Erase：整片擦除）：發(fā)送命令BE（C7H）。

關(guān)于flash的其他的介紹，可以參考03_芯片手冊(cè)->FLASH->M25P16.pdf。

設(shè)計(jì)要求

設(shè)計(jì)flash（M25P16）控制器。

設(shè)計(jì)分析

根據(jù)M25P16的數(shù)據(jù)手冊(cè)得知，其接口為spi接口，且支持模式0和模式3，本設(shè)計(jì)中選擇模式0。

輸入時(shí)序圖如下：

輸出時(shí)序如下：

時(shí)序圖中所對(duì)應(yīng)的符號(hào)說(shuō)明：

根據(jù)輸入和輸出的時(shí)序圖以及參數(shù)表，將SPI的時(shí)鐘的頻率定為10MHz。

在設(shè)計(jì)中，F(xiàn)PGA作為主機(jī)，M25P16作為從機(jī)。

架構(gòu)設(shè)計(jì)和信號(hào)說(shuō)明

此模塊命名為m25p16_drive。

二級(jí)模塊（分模塊）（第一頁(yè)）

二級(jí)模塊（分模塊）（第二頁(yè)）

設(shè)計(jì)中，各個(gè)命令單獨(dú)寫(xiě)出控制器，通過(guò)多路選擇器選擇出對(duì)應(yīng)的命令，然后控制spi_8bit_drive將數(shù)據(jù)按照spi的協(xié)議發(fā)送出去。各個(gè)命令的脈沖通過(guò)ctrl模塊進(jìn)行控制各個(gè)命令控制器，寫(xiě)入的數(shù)據(jù)首先寫(xiě)入到寫(xiě)緩沖區(qū)，讀出的數(shù)據(jù)讀出后寫(xiě)入到讀緩沖區(qū)。

暫不分配的端口，在應(yīng)用時(shí)都是由上游模塊進(jìn)行控制，本設(shè)計(jì)測(cè)試時(shí)，編寫(xiě)上游模塊進(jìn)行測(cè)試。

各個(gè)模塊的功能，和連接線的功能在各個(gè)模塊設(shè)計(jì)中說(shuō)明。

spi_8bit_drive設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本模塊負(fù)責(zé)將8bit的并行數(shù)據(jù)按照spi協(xié)議發(fā)送出去，以及負(fù)責(zé)按照spi協(xié)議接收數(shù)據(jù)，將接收的數(shù)據(jù)（8bit）并行傳輸給各個(gè)模塊。

spi_send_en為發(fā)送數(shù)據(jù)使能信號(hào)（脈沖信號(hào)），spi_send_data為所要發(fā)送數(shù)據(jù)，spi_send_done為發(fā)送完成信號(hào)（脈沖信號(hào)）。

spi_read_en為接收數(shù)據(jù)使能信號(hào)（脈沖信號(hào)），spi_read_data為所接收的數(shù)據(jù)，spi_read_done為接收完成信號(hào)（脈沖信號(hào)）。

在發(fā)送邏輯控制中，全部的信號(hào)采用下降沿驅(qū)動(dòng)。利用外部給予的spi_send_en作為啟動(dòng)信號(hào)，啟動(dòng)send_cnt。send_cnt在不發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)為8，發(fā)送數(shù)據(jù)時(shí)，從0到7。

在接收邏輯中，全部的信號(hào)采用上升沿驅(qū)動(dòng)。利用外部給予的spi_read_en作為啟動(dòng)信號(hào)，啟動(dòng)rec_en，經(jīng)過(guò)移位接收數(shù)據(jù)。

在spi_sclk輸出時(shí)，采用組合邏輯。由于設(shè)計(jì)采用spi的模式0，故而spi_sclk不發(fā)送或者接收數(shù)據(jù)時(shí)為0，接收數(shù)據(jù)時(shí)為時(shí)鐘信號(hào)。因?yàn)橐鬄槟Ｊ?，所以在接收數(shù)據(jù)時(shí)，spi_sclk的輸出不能夠先有下降沿，即要求spi_sclk的控制信號(hào)不能由上升沿信號(hào)驅(qū)動(dòng)，所以將rec_en同步到下降沿的rec_en_n。

仿真代碼為：

在仿真中，將時(shí)鐘設(shè)置為10MHz。

所有的信號(hào)采用上升沿驅(qū)動(dòng)。發(fā)送一個(gè)8bit的隨機(jī)數(shù)值，接收一個(gè)8bit的隨機(jī)數(shù)值。

spi_miso信號(hào)為從機(jī)下降沿驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

通過(guò)RTL仿真，可以看出發(fā)送和接收全部正常。

mux7_1設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本模塊負(fù)責(zé)將7個(gè)命令模塊發(fā)出的命令（寫(xiě)使能、寫(xiě)數(shù)據(jù)和讀使能）經(jīng)過(guò)選擇發(fā)送給spi_8bit_drive模塊。

在設(shè)計(jì)中，有的命令模塊不需要進(jìn)行讀?。╬p和se等等），此時(shí)將輸出的讀使能信號(hào)輸出為低電平。

be設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊接收到be_en（整片擦除的脈沖信號(hào)）信號(hào)后，發(fā)送對(duì)應(yīng)的使能和數(shù)據(jù)，等待發(fā)送完成脈沖。發(fā)送完成后，輸出擦除完成的脈沖。

整片擦除的命令為8’hc7。

wren設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊接收到wren_en（打開(kāi)flash內(nèi)部的寫(xiě)使能的脈沖信號(hào)）信號(hào)后，發(fā)送對(duì)應(yīng)的使能和數(shù)據(jù)，等待發(fā)送完成脈沖。發(fā)送完成后，輸出擦除完成的脈沖。

打開(kāi)flash內(nèi)部寫(xiě)使能的命令碼為8’h06。

se設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊接收到se_en（擦除扇區(qū)的寫(xiě)使能的脈沖信號(hào)）信號(hào)后，發(fā)送對(duì)應(yīng)的使能和數(shù)據(jù)，等待發(fā)送完成脈沖。發(fā)送完成后，接著發(fā)送高八位地址，中間八位地址和低八位地址。全部發(fā)送完成后，發(fā)送se_done信號(hào)。

該模塊采用狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)。SE_STATE（扇區(qū)擦除命令發(fā)送）、H_ADDR（高八位地址發(fā)送）、M_ADDR（中間八位地址發(fā)送）、L_ADDR（低八位地址發(fā)送）、SE_DONE（扇區(qū)擦除完成）。所有的脈沖信號(hào)在未標(biāo)注的時(shí)刻，輸出全部為0。

設(shè)計(jì)代碼為：

在發(fā)送過(guò)程中，由于是每8bit發(fā)送一次，所以在時(shí)序上將看到發(fā)送時(shí)，每8個(gè)脈沖一組，中間會(huì)有明顯的間隔。

pp設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊負(fù)責(zé)將外部寫(xiě)fifo中的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到flash中。wr_fifo_rd為寫(xiě)fifo的讀使能信號(hào)，wrdata為從寫(xiě)fifo中讀出的數(shù)據(jù)，wr_len為需要寫(xiě)入flash中數(shù)據(jù)的長(zhǎng)度，wr_addr為寫(xiě)入地址。

該模塊采用狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)。PP_STATE（發(fā)送pp命令），H_ADDR（發(fā)送高八位地址）、M_ADDR（發(fā)送中間八位地址），L_ADDR（發(fā)送低八位地址）、RDFIFO（讀寫(xiě)fifo）、FIFO_WAIT（等待讀寫(xiě)fifo的數(shù)據(jù)輸出）、SEND（發(fā)送8bit數(shù)據(jù)）、SEND_WAIT（發(fā)送等待，發(fā)送完成后判斷是否發(fā)送完成）。對(duì)于所有的脈沖信號(hào)，沒(méi)有賦值的位置，全部賦值為0。

cnt為記錄已經(jīng)發(fā)送的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)。

設(shè)計(jì)代碼為：

rdsr設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本模塊的功能為讀取m25p16的狀態(tài)寄存器，主要檢測(cè)狀態(tài)寄存器的最低位（WIP）。

WIP（write in progress ：正在進(jìn)行寫(xiě)進(jìn)程），該bie位表示了flash內(nèi)部是否在進(jìn)行寫(xiě)進(jìn)程。如果處于寫(xiě)進(jìn)程時(shí)，flash忽略外部所有的命令，所以建議在執(zhí)行任何命令前，首先進(jìn)行檢測(cè)該位。1表示正在寫(xiě)進(jìn)程中，0表示不處于寫(xiě)進(jìn)程。

如果檢測(cè)到正在寫(xiě)進(jìn)程中，進(jìn)行延遲1ms，然后再次讀取該位狀態(tài)。直到寫(xiě)進(jìn)程結(jié)束。

本模塊采用狀態(tài)機(jī)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。ILDE（發(fā)送讀狀態(tài)寄存器命令）、RDSRSTATE（發(fā)送讀使能）、WIP（判斷wip位）、 DELAY1ms（延遲1ms）。cnt為延遲1ms的計(jì)數(shù)器。

設(shè)計(jì)代碼為：

rdid設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊負(fù)責(zé)讀取flash的ID（2015），驗(yàn)證ID的正確性。

該模塊采用狀態(tài)機(jī)的方式實(shí)現(xiàn)。IDLE（等待讀取ID的命令）、IDSTATE1（讀取高八位ID）、IDSTATE2（讀取中間八位ID）、IDSTATE3（讀取低八位ID）、ID_CHECK（檢測(cè)ID的正確性）。

狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下：

設(shè)計(jì)代碼為：

read_ctrl設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊負(fù)責(zé)將flash的數(shù)據(jù)讀出，寫(xiě)入到輸出緩存中。

該模塊采用狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)。RD_STATE（等待讀命令）、H_ADDR（發(fā)送高八位地址）、M_ADDR（發(fā)送中間八位地址）、L_ADDR（發(fā)送低八位地址）、RDDATA（讀取數(shù)據(jù)）、WRFIFO（將讀出的數(shù)據(jù)寫(xiě)入到FIFO中）、CHECK_LEN（判斷讀取的長(zhǎng)度）。

狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下：

設(shè)計(jì)代碼為：

wr_fifo和rd_fifo調(diào)用

兩個(gè)fifo的寬度設(shè)置為8，深度設(shè)置為256，同步fifo，帶有復(fù)位。

ctrl設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

該模塊根據(jù)外部的命令，按照m25p16的執(zhí)行規(guī)則，進(jìn)行控制各個(gè)模塊的執(zhí)行。

該模塊采用狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)。INIT_RDSR（讀WIP），INIT_RDID（讀ID），INIT_ID（判斷ID），WIP（讀WIP），WIP_DONE（等待WIP），IDLE（空閑狀態(tài)），**STATE（執(zhí)行對(duì)應(yīng)的命令），**WREN（打開(kāi)flash的寫(xiě)使能）。在進(jìn)行任何命令前，都檢查wip。

狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖如下：

在不同的狀態(tài)，mux_sel選擇對(duì)應(yīng)的命令通過(guò)。

drive_busy只有在IDLE狀態(tài)才是低電平。

spi_cs_n信號(hào)， DLE狀態(tài)為高電平、WIP_DONE（INIT_RDID）中spi_read_done信號(hào)為高時(shí) （保證能夠多次讀取狀態(tài)寄存器）、在其他狀態(tài)發(fā)生切換時(shí)，spi_cs_n 為高電平，否則為低電平。

設(shè)計(jì)代碼為：

m25p16_drive設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

本模塊負(fù)責(zé)連接所有二級(jí)模塊，實(shí)現(xiàn)所有的功能。

RTL仿真

本次設(shè)計(jì)涉及到讀取flash的id以及狀態(tài)寄存器，所以在仿真時(shí)需要加入仿真模型。仿真模型放在msim的m25p16_sim_module中。m25p16為仿真模型的頂層文件。

由于讀寫(xiě)和擦除的時(shí)間較長(zhǎng)，RTL仿真中，將只仿真RDSR和RDID，其他的功能測(cè)試在板級(jí)測(cè)試時(shí)進(jìn)行。

仿真代碼如下：

在設(shè)置testbench時(shí)，注意將所有文件全部添加到文件中。

選擇testbench時(shí)，注意選中設(shè)置的m25p16_drive_tb。

利用modelsim仿真，可以得出如下RTL仿真波形。

讀到ID，以及檢測(cè)WIP都是正確的。

板級(jí)測(cè)試

由于m25p16的時(shí)序原因，整個(gè)設(shè)計(jì)工作在10MHz（利用PLL產(chǎn)生）。

在進(jìn)行測(cè)試控制時(shí)，對(duì)最后一個(gè)扇區(qū)進(jìn)行擦除；對(duì)最后一個(gè)扇區(qū)的第一頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入數(shù)據(jù)100個(gè)（1至100）；對(duì)最后一個(gè)扇區(qū)的第一個(gè)進(jìn)行讀取，驗(yàn)證數(shù)據(jù)是否為1至100。

測(cè)試的控制模塊命名為test_ctrl。

此模塊采用狀態(tài)機(jī)實(shí)現(xiàn)。WRFIFO（將1至100寫(xiě)入wrfifo中）、SE（扇區(qū)擦除）、PP（寫(xiě)入flash）、RD（讀出flash）、WAIT_RD（等待讀?。?、CHECK（ 檢測(cè)讀出的數(shù)據(jù)的正確性）。

設(shè)計(jì)代碼為：

將test模塊設(shè)置為頂層。在test模塊中，m25p16_drive例化中，對(duì)于整片擦除不做控制，對(duì)于addr直接指向最后一個(gè)扇區(qū)的第一頁(yè)，len指定為100。

代碼為：

由于開(kāi)發(fā)板上的flash是為FPGA進(jìn)行保存配置信息的，所以管腳都連接在專用管腳上，本次實(shí)驗(yàn)需要將這專用管腳配置為普通io。

右擊器件型號(hào)，選擇device。

點(diǎn)擊device and pin options。

選擇Dual-purpose pins，將其中所有的功能改為普通IO。

點(diǎn)擊ok后，即可進(jìn)行綜合分析。

連接開(kāi)發(fā)板和PC，打開(kāi)邏輯分析儀。

采樣時(shí)鐘選擇10MHz（PLL 的c0），采樣深度設(shè)置為2K。

觀測(cè)信號(hào)如下圖所示。

首先將wrfifo_wr的觸發(fā)條件設(shè)置為上升沿。點(diǎn)擊觸發(fā)后，按下復(fù)位按鍵。觸發(fā)后，可以看到寫(xiě)入數(shù)據(jù)1至100后，然后進(jìn)行SE命令。

將rdfifo_rd的觸發(fā)條件設(shè)置為上升沿（將wrfifo_wr觸發(fā)條件修改為donot care）。點(diǎn)擊觸發(fā)后，按下復(fù)位按鍵。

通過(guò)仿真和下板實(shí)測(cè)，驗(yàn)證控制器設(shè)計(jì)正確。