欠壓復(fù)位（以下稱為BOR）是單片機可靠性的一項重要功能，通常用于解決電源問題，下面將介紹欠壓復(fù)位的另一個問題。

單片機的“電量不足”是電源電壓不足或暫時降低，低于可靠運行所需的水平。許多單片機具有保護電路，該電路可檢測電源電壓何時低于此水平，并將設(shè)備置于復(fù)位狀態(tài)，以確保在電源恢復(fù)時正確啟動。此操作也稱為“欠壓復(fù)位”，英文縮寫為“BOR”。類似的功能稱為低電壓檢測（LVD），它更復(fù)雜，增加了對多個電壓電平的檢測，可以在觸發(fā)復(fù)位之前產(chǎn)生中斷。

BOR通常由控制寄存器中的某個位使能。通常，當(dāng)BOR引起復(fù)位時，狀態(tài)位會置1。該狀態(tài)位在復(fù)位后仍然有效，并允許程序檢測到問題并執(zhí)行其他恢復(fù)或記錄事件。

如果BOR被禁用會怎樣？一般情況下，其表現(xiàn)為電源電壓穩(wěn)定下降。至于原因，可能是電源老化或電池放電。

如上圖所示，V1是正常電源電壓。V2是微控制器可能無法可靠運行的點。我將V3顯示為操作完全停止的點。在V2和V3之間是一個“危險區(qū)域”，在該區(qū)域可能發(fā)生錯誤并且操作不可靠。當(dāng)電源進出危險區(qū)域時，該設(shè)備可以正常工作數(shù)年，然后損壞！出現(xiàn)故障。BOR級別設(shè)置為高于V2，并通過復(fù)位設(shè)備來代替危險區(qū)域。重置不太可靠，但總比不確定好。接下來，我介紹一種情況，其中電源正常運行，但使用BOR解決了另一個問題。

當(dāng)電源關(guān)閉時，電壓不會一直下降。相反，其他電源將電源電壓保持在危險區(qū)域。這種電壓的另外一種叫法是“虛假電量”。目前，沒有BOR可以檢測到這種情況并引起復(fù)位。再次打開電源時，設(shè)備可能無法正常上電，因為可能不會觸發(fā)上電復(fù)位電路。由于電源電壓低于最小值并且沒有復(fù)位，因此后續(xù)操作不確定。

以Microchip的單片機為例，在驗證是本人用的是PIC16F877-20I/L。這該單片機是工業(yè)版本，工作溫度范圍為-40°C至+85°C。采用16MHz時鐘時，電源范圍為+4.0V至+5.5V。模塊內(nèi)部的工作電壓（V1）是+5V。顯示器顯示的是，單片機（V2）上的虛假電量電壓約為+1.5V。

還有其他兩種情況，“RAM數(shù)據(jù)保持電壓（VDR）”為+1.5V，“典型值”?！癡DD啟動電壓”（VPOR）以確保內(nèi)部上電復(fù)位為0V，“典型值”。將所有這些情況加在一起可以告訴我們，該設(shè)備處于危險區(qū)域之內(nèi)。由于電壓遠高于此電壓，因此無法預(yù)期上電復(fù)位（VPOR）。此外，由于虛假電量處于RAM保持電壓下，因此也無法預(yù)期的欠壓會使設(shè)備保持活動狀態(tài)（VDR）。誰知道設(shè)備的其余部分在做什么？

為什么打開BOR可以解決此問題？欠壓復(fù)位觸發(fā)規(guī)范（VBOR）的范圍是+3.7V至+4.35V，典型值為+4.0V。虛假電量電平遠低于BOR的觸發(fā)電壓。問題解決了。但是，為什么微控制器在實驗室中可以正常工作并以許多次電源循環(huán)正常運行仍然是個謎。

總結(jié)，虛假電量可能有幾種情況：外部信號，電路中的多個電源，電容器需要時間才能完全放電。