MASK ROM:是制造商為了要大量生產(chǎn),事先制作一顆有原始數(shù)據(jù)的ROM或EPROM當(dāng)作樣本,然后再大量生產(chǎn)與樣本一樣的 ROM,這一種做為大量生產(chǎn)的ROM樣本就是MASK ROM,而燒錄在MASK ROM中的資料永遠(yuǎn)無(wú)法做修改。
高度集成化的NAND構(gòu)成。(1個(gè)晶體管單元)

數(shù)據(jù)的寫入方法
在Wafer過(guò)程內(nèi)寫入信息
- “1”:將離子注入晶體管
- “0”:不注入離子
數(shù)據(jù)的讀取方法
使讀取單元的Word線電位為0V
使讀取單元以外的Word線電位為Vcc
→ 對(duì)Bit線施加電壓,
如果有電流流過(guò),則判斷為“1”
-
半導(dǎo)體
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存儲(chǔ)器
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ROM
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DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0,而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1,對(duì)嗎?
元器件原理概述
主存中存儲(chǔ)單元地址的分配
MOS存儲(chǔ)單元的工作原理
高性能開關(guān)電流存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)及應(yīng)用
低電壓甲乙類開關(guān)電流存儲(chǔ)單元
存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)

評(píng)論