開(kāi)漏(open drain)(OC開(kāi)集，OD開(kāi)漏)

開(kāi)漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。同理，開(kāi)集電路中的“集”就是指三極管的集電極。

開(kāi)漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。一般的用法是會(huì)在漏極外部的電路添加上拉電阻。完整的開(kāi)漏電路應(yīng)該由開(kāi)漏器件和開(kāi)漏上拉電阻組成。組成開(kāi)漏形式的電路有以下幾個(gè)特點(diǎn)：

1. 利用 外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)。當(dāng)IC內(nèi)部MOSFET導(dǎo)通時(shí)，驅(qū)動(dòng)電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ，MOSFET到GND。IC內(nèi)部?jī)H需很小的柵極驅(qū)動(dòng)電流。
2. 可以將多個(gè)開(kāi)漏輸出的Pin，連接到一條線上。形成 “線與邏輯” 關(guān)系。如圖1，當(dāng)PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個(gè)變低后，開(kāi)漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C，SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓，改變傳輸電平。如圖2, IC的邏輯電平由電源Vcc1決定，而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開(kāi)漏Pin不連接外部的上拉電阻，則只能輸出低電平(因此對(duì)于經(jīng)典的51單片機(jī)的P0口而言，要想做輸入輸出功能必須加外部上拉電阻，否則無(wú)法輸出高電平邏輯)。

圖1

圖2

推挽電路（圖騰柱電路）

推挽電路就是兩不同極性晶體管連接的輸出電路。推挽電路采用兩個(gè)參數(shù)相同的功率BJT 管或MOSFET 管，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱(chēng)的功率開(kāi)關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。推挽電路適用于低電壓大電流的場(chǎng)合，廣泛應(yīng)用于功放電路和開(kāi)關(guān)電源中。

將端口引腳置成推挽輸出方式，這將使能端口引腳驅(qū)動(dòng)器?？傮w上來(lái)講，數(shù)據(jù)輸入端口引腳置成開(kāi)漏方式、數(shù)據(jù)輸出端口引腳置成推挽方式。當(dāng)引腳用于輸出連接上拉電阻(也就是說(shuō)當(dāng)與5V系統(tǒng)接口時(shí))時(shí)配置成開(kāi)漏輸出。