一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星進軍化合物半導體代工市場,各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報

產(chǎn)業(yè)大視野 ? 來源:產(chǎn)業(yè)大視野 ? 2023-07-13 16:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)韓媒BusinessKorea報道,三星電子即將進軍氮化鎵市場,目的是為了滿足汽車領域對功率半導體的需求。

報道引用知情人士的說法指出,三星電子近期在韓國、美國舉辦了2023年三星晶圓代工論壇活動?;顒又?,三星宣布將在2025年起,為消費級、數(shù)據(jù)中心和汽車應用提供8吋氮化鎵晶圓代工服務。

d255f0ba-1fcc-11ee-962d-dac502259ad0.png

據(jù)悉,氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢,可以滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。當前,氮化鎵的應用已經(jīng)不再局限于快充等消費電子市場,而是向數(shù)據(jù)中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進。

報道強調(diào),隨著全球消費電子、電動汽車領域的技術升級和需求成長,功率半導體的價格一直在上漲。因此,市場希望于碳化硅、氮化鎵這樣的化合物材料所制造功率半導體,達到比傳統(tǒng)單晶硅基半導體更高的電源轉換效率、更高的功率密度,此外耐用性會更佳,進一步迎合汽車應用的等惡劣作業(yè)環(huán)境。

現(xiàn)階段,包括英飛凌、意法半導體等大廠都在投資擴大碳化硅半導體的生產(chǎn),并且與中國企業(yè)合作。韓國企業(yè)如三星、SK集團等,同樣關注功率半導體產(chǎn)業(yè)鏈,積極開發(fā)新技術。SK海力士已收購代工廠商Key Foundry,正在開發(fā)氮化鎵代工技術。而另一家企業(yè)DB Hi-Tech 也于2022年開始研發(fā)碳化矽、氮化鎵加工正成技術,目標是2024年完成氮化鎵開發(fā)、2025年開始商業(yè)化生產(chǎn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 氮化鎵
    +關注

    關注

    61

    文章

    1796

    瀏覽量

    118066
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    2209

    瀏覽量

    76831
  • 半導體代工
    +關注

    關注

    0

    文章

    7

    瀏覽量

    6757

原文標題:三星進軍化合物半導體代工市場,各廠商加速入局GAN市場氮化鎵行業(yè)快報

文章出處:【微信號:robotn,微信公眾號:產(chǎn)業(yè)大視野】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    臺積電宣布逐步退出氮化晶圓代工業(yè)務,力積電接手相關訂單

    近日,全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化(GaN)晶圓代工業(yè)務,預計在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了
    的頭像 發(fā)表于 07-07 10:33 ?1019次閱讀
    臺積電宣布逐步退出<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>晶圓<b class='flag-5'>代工</b>業(yè)務,力積電接手相關訂單

    化合物半導體器件的定義和制造工藝

    化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎,展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化(GaAs)為例,其電子遷移率高達8500cm2/V·s,本征電阻率達10?Ω·cm,是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料
    的頭像 發(fā)表于 05-28 14:37 ?676次閱讀
    <b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b>器件的定義和制造工藝

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!

    從清華大學到未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市未來科技有限公司(以下簡稱“未來”)在第
    發(fā)表于 05-19 10:16

    全球化合物半導體市場預計到2030年將達250億美元!

    根據(jù)YoleGroup最近公布的市場預測,全球化合物半導體市場到2030年的市場規(guī)模有望達到約250億美元。這一預測顯示了
    的頭像 發(fā)表于 03-04 11:42 ?589次閱讀
    全球<b class='flag-5'>化合物</b><b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>市場</b>預計到2030年將達250億美元!

    三星進軍玻璃基板市場,尋求供應鏈合作

    近日,三星電子宣布了一項重要計劃,即進軍半導體玻璃基板市場。據(jù)悉,三星電子正在積極與多家材料、零部件、設備(特別是中小型設備)公司尋求合作,
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:32 ?592次閱讀

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化GaN)被稱為第半導體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大
    發(fā)表于 01-15 16:41

    突破極限:化合物半導體與EDA的協(xié)同進化之路

    局限性。為了滿足這些高性能需求,化合物半導體材料如氮化GaN)和碳化硅(SiC)等應運而生,它們以其卓越的電學特性,為新一代電子設備提供
    的頭像 發(fā)表于 12-25 14:25 ?518次閱讀

    代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化介紹

    ? 第代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅(SiC)和氮化
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1457次閱讀
    第<b class='flag-5'>三</b>代寬禁帶<b class='flag-5'>半導體</b>:碳化硅和<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>介紹

    半導體氮化(GaN)基礎知識

    半導體氮化GaN)。它以其卓越的性能和廣泛的應用領域,在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:06 ?1734次閱讀
    第<b class='flag-5'>三</b>代<b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)基礎知識

    日本羅姆半導體加強與臺積電氮化合作,代工趨勢顯現(xiàn)

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導體(ROHM)宣布,將在氮化功率半導體領域深化與臺積電的合作,其氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?1063次閱讀

    日本企業(yè)加速氮化半導體生產(chǎn),力推電動汽車續(xù)航升級

    日本公司正積極投入大規(guī)模生產(chǎn)氮化GaN)功率半導體器件,旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化
    的頭像 發(fā)表于 10-22 15:10 ?1275次閱讀

    碳化硅 (SiC) 與氮化GaN)應用 | 氮化硼高導熱絕緣片

    ,而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似,但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV,比氮化和碳化硅小倍。這些化合物的較高帶隙允許
    的頭像 發(fā)表于 09-16 08:02 ?1399次閱讀
    碳化硅 (SiC) 與<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> (<b class='flag-5'>GaN</b>)應用  | <b class='flag-5'>氮化</b>硼高導熱絕緣片

    氮化(GaN)功率半導體市場風起云涌,引領技術革新與產(chǎn)業(yè)升級

    自去年以來,氮化GaN)功率半導體市場持續(xù)升溫,成為半導體
    的頭像 發(fā)表于 08-26 16:34 ?1001次閱讀

    芯干線科技CEO說氮化

    氮化是一種由氮和結合而來的化合物,其中氮在元素周期表排序第7位,排序第31位,7月31日世界氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:03 ?1078次閱讀

    氮化GaN)技術的迅猛發(fā)展與市場潛力

    近年來,氮化(GaN)技術以其在高功率、高效率和高頻率應用中的顯著優(yōu)勢,迅速成為半導體行業(yè)的焦點。尤其是在人工智能(AI)、智能汽車和新能
    的頭像 發(fā)表于 07-24 10:55 ?1110次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)技術的迅猛發(fā)展與<b class='flag-5'>市場</b>潛力