聯(lián)訊儀器PXIe源測(cè)量單元(SMU)集成高精度源和測(cè)量單元，可利用PXIe源測(cè)量單元構(gòu)建高密度并行測(cè)試系統(tǒng)，以滿足大規(guī)模半導(dǎo)體集成電路的高通道密度，并增加配置的靈活性，最大化測(cè)試效率，降低測(cè)試成本。

聯(lián)訊儀器PXIe SMU基于先進(jìn)的數(shù)字控制技術(shù)，集成的Adaptive PFC（Precision-Fast Control）系統(tǒng)使用戶可根據(jù)負(fù)載特性，調(diào)整相關(guān)參數(shù)來(lái)獲得精確、快速的輸出特性, 即使在高容性負(fù)載情況下，也可最小化過(guò)沖和振蕩。

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主要特點(diǎn)

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高電壓高精度測(cè)量

S2013C 支持200V/1A直流/3A脈沖，分辨率100fA/100nV，電壓精度100μV，電流精度200pA

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AdaptivePFC系統(tǒng)

用戶可利用Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng)，用戶可根據(jù)負(fù)載特性，調(diào)整相關(guān)參數(shù)，獲得更精確，快速的輸出特性

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高速測(cè)量S2013C最高可支持1M的采樣率，NPLC和采樣率可根據(jù)需要設(shè)定，以滿足高速高精度的測(cè)量場(chǎng)景

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Adaptive PFC系統(tǒng)

SMU采用閉環(huán)反饋控制，以確保源的輸出精確的加在負(fù)載上。實(shí)際使用中，對(duì)于不同的負(fù)載，要獲得理想的響應(yīng)，源表的輸出特性需要可配置，然而傳統(tǒng)的SMU使用模擬硬件來(lái)實(shí)現(xiàn)控制循環(huán)，負(fù)載會(huì)直接影響用于調(diào)節(jié)輸出電壓或電流的控制循環(huán)。因此傳統(tǒng)的模擬架構(gòu)很難實(shí)現(xiàn)既快又沒(méi)有過(guò)沖，設(shè)計(jì)剛好能為不同負(fù)載提供理想響應(yīng)的電路幾乎不現(xiàn)實(shí)。

聯(lián)訊PXIe源表采用數(shù)字控制系統(tǒng)， 集成的Adaptive PFC(Precise-Fast Control)系統(tǒng)，可通過(guò)軟件優(yōu)化控制循環(huán)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)不同負(fù)載的響應(yīng)進(jìn)行優(yōu)化。該技術(shù)能夠提供最佳響應(yīng)時(shí)間，縮短測(cè)試時(shí)間，并且消除振蕩，提高測(cè)試的穩(wěn)定性。

通過(guò)數(shù)字閉環(huán)控制調(diào)節(jié)輸出特性

調(diào)整前輸出特性 調(diào)整后輸出特性

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PXIe源測(cè)量單元在晶圓測(cè)試中的應(yīng)用

晶圓（Wafer）制作完成之后，成千上萬(wàn)的裸Die規(guī)則的分布滿整個(gè)Wafer，芯片的管腳全部裸露在外，通過(guò)探針將裸露的芯片與源測(cè)試單元相連，進(jìn)行各項(xiàng)電性能參數(shù)的表征。

聯(lián)訊儀器PXIe源表支持標(biāo)準(zhǔn)PXIe機(jī)箱，用戶可根據(jù)需求配置不同槽位的機(jī)箱，將PXIe源表安裝在機(jī)箱中，從而實(shí)現(xiàn)多路的并行測(cè)試，提高測(cè)試效率！

S2012C在CP（Chip Probing）測(cè)試中的應(yīng)用

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聯(lián)訊源表系列

聯(lián)訊儀器可提供臺(tái)式源表（帶主機(jī)和觸摸屏）以及PXIe 插卡式源表（支持標(biāo)準(zhǔn)PXIe機(jī)箱），用戶可根據(jù)需求靈活選擇。