一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于存儲(chǔ)的TBW和寫入放大

mkfounder ? 來源:mkfounder ? 作者:mkfounder ? 2023-07-25 14:38 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

引言:

TBW(Total Bytes Written)是衡量閃存存儲(chǔ)器壽命和耐用性的重要指標(biāo)。但由于寫入放大的影響,實(shí)際TBW值可能會(huì)偏離理論值。本文將介紹TBW的概念以及寫入放大系數(shù),并探討如何降低寫入放大對(duì)存儲(chǔ)器的影響。

TBW:

TBW代表在整個(gè)閃存存儲(chǔ)器的使用壽命內(nèi),可以寫入的總字節(jié)數(shù)。它等于存儲(chǔ)產(chǎn)品的容量乘以PE(Program/Erase)次數(shù)。然而,由于寫入放大現(xiàn)象,實(shí)際寫入的數(shù)據(jù)量與期望寫入的數(shù)據(jù)量不一致。

比如"MK-米客方德"的64GB工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡耐用性高達(dá) 1920 TBW,3萬次 P/E周期

wKgaomS_bEiASbWZAAIIJfdfSEk840.png

寫入放大系數(shù):

寫入放大系數(shù)是一個(gè)衡量閃存存儲(chǔ)器性能的指標(biāo),它表示實(shí)際寫入到存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)量與主機(jī)請(qǐng)求寫入的數(shù)據(jù)量之間的比率。造成寫入放大的主要原因是閃存的工作原理,涉及到存儲(chǔ)介質(zhì)的組織結(jié)構(gòu),包括page、block、plane、die和閃存片等。

SD NAND、SD Card、eMMC、SSD的組成:

Page(頁面):通常大小為4KB。其他的有2K,8K,16K

Block(塊):通常由64個(gè)page組成,有些是128個(gè)。

Plane(平面):多個(gè)block組成。

寫入放大過程:

當(dāng)主機(jī)請(qǐng)求寫入一個(gè)較小的數(shù)據(jù)塊時(shí),閃存可能需要先讀取整個(gè)block,并將原有數(shù)據(jù)和新數(shù)據(jù)一起寫入到新的block中,然后再將原有的block擦除。這個(gè)過程導(dǎo)致實(shí)際寫入的數(shù)據(jù)量大于主機(jī)請(qǐng)求的數(shù)據(jù)量,從而產(chǎn)生了寫入放大。

寫入放大系數(shù)的計(jì)算:

寫入放大系數(shù)的計(jì)算需要每次寫入同樣大小的文件,在相同的時(shí)間間隔內(nèi)進(jìn)行,然后計(jì)算實(shí)際寫入的數(shù)據(jù)量與期望寫入的數(shù)據(jù)量之間的比率。

如何減少寫入放大系數(shù):

為了降低寫入放大系數(shù),可以采取以下方法:

1,塊對(duì)齊寫入:確保主機(jī)寫入的數(shù)據(jù)是以閃存塊為單位進(jìn)行的,這樣可以避免跨多個(gè)閃存塊的寫入操作,減少數(shù)據(jù)冗余。

2,塊擦除:在更新閃存塊之前,先執(zhí)行塊擦除操作。這樣可以確保整個(gè)閃存塊為空白狀態(tài),避免原有數(shù)據(jù)和新數(shù)據(jù)的合并寫入。

3,垃圾回收:定期進(jìn)行垃圾回收操作,將無效或已刪除的數(shù)據(jù)塊清除掉。垃圾回收可以整理閃存存儲(chǔ),減少數(shù)據(jù)碎片,從而降低寫入放大系數(shù)。

4,數(shù)據(jù)合并:在閃存中,不同數(shù)據(jù)塊之間可能存在空白區(qū)域。將新寫入的數(shù)據(jù)合并到這些空白區(qū)域中,而不是單獨(dú)寫入新的數(shù)據(jù)塊,可以減少數(shù)據(jù)冗余。

5,寫入放大感知算法:實(shí)現(xiàn)寫入放大感知的算法,通過調(diào)整寫入策略和數(shù)據(jù)管理,盡量減少寫入放大的發(fā)生。

6,使用高質(zhì)量的閃存控制器:選擇性能良好的閃存控制器,它可以更好地管理寫入操作,減少不必要的寫入。

7,避免頻繁的小寫入:盡量避免頻繁地進(jìn)行小塊的寫入操作,而是優(yōu)先進(jìn)行較大塊的寫入,從而降低寫入放大。

8,使用SLC NAND:選擇SLC(Single-Level Cell)閃存而不是MLC(Multi-Level Cell)或TLC(Triple-Level Cell)閃存。SLC閃存通常有較低的寫入放大系數(shù),但相應(yīng)的成本也更高。

總結(jié):

所以一般的存儲(chǔ)產(chǎn)品的TBW值是由PE,容量和寫入放大系數(shù)決定,

“TBW=PE*容量/寫入放大系數(shù)”

為了最大效率的利用TBW,寫入的數(shù)據(jù)要以page為單位,大于或者少于這個(gè)數(shù)據(jù)都會(huì)造成TBW的浪費(fèi)。

減少寫入放大系數(shù)對(duì)于提高存儲(chǔ)器性能和延長(zhǎng)壽命至關(guān)重要。合理的數(shù)據(jù)管理、寫入策略和硬件選擇是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵。根據(jù)具體情況,選擇適合的優(yōu)化策略,將為存儲(chǔ)設(shè)備提供更好的性能和可靠性。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1845

    瀏覽量

    116007
  • 存儲(chǔ)卡
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    261

    瀏覽量

    28684
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片核心解析

    速度(MB/s, IOPS)、耐久度(TBW, DWPD)、類型(SLC/MLC/TLC/QLC)。 3.4 NOR Flash - 代碼存儲(chǔ)/嵌入式系統(tǒng) 原理:也是浮柵晶體管,但單元獨(dú)立可尋址(類似
    發(fā)表于 06-24 09:09

    10路4K監(jiān)控全天持續(xù)寫入0掉幀!這款工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)卡真有這么絲滑?

    面向高清、多路的視頻監(jiān)控應(yīng)用場(chǎng)景,佰維特存TDC200系列工業(yè)級(jí)SD Card microSD Card采用先進(jìn)的智能數(shù)據(jù)分流技術(shù),能夠智能識(shí)別視頻流數(shù)據(jù)與系統(tǒng)數(shù)據(jù),并通過分區(qū)存儲(chǔ)優(yōu)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),減少
    的頭像 發(fā)表于 06-11 19:09 ?86次閱讀
    10路4K監(jiān)控全天持續(xù)<b class='flag-5'>寫入</b>0掉幀!這款工業(yè)級(jí)<b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>卡真有這么絲滑?

    nt3h211通過I2C向EEPROM寫入數(shù)據(jù),但NFC工具無法讀取寫入的數(shù)據(jù),為什么?

    NFC 讀取器應(yīng)用程序進(jìn)行測(cè)試時(shí),該應(yīng)用程序無法讀取寫入的數(shù)據(jù)。知道可能的原因嗎?難道 I2C 寫入的數(shù)據(jù)沒有映射到 NFC 存儲(chǔ)器嗎?
    發(fā)表于 03-26 06:50

    關(guān)于將Flash寫入FRDM-MCXN947的問題求解

    這次我想問一個(gè)關(guān)于使用 MCXN947 將 Flash 寫入另一個(gè)板的問題。 我嘗試使用 FRDM-MCXN947 的寫入方法作為參考寫入此板,但發(fā)生了錯(cuò)誤。 下面是當(dāng)時(shí)控制臺(tái)的內(nèi)容。
    發(fā)表于 03-17 06:29

    嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)的軟件優(yōu)化策略

    萬次左右。 P/E (Program/Erase Count) :擦寫壽命。耐用性兩個(gè)指標(biāo)之一。 TBW (Total Bytes Written) :總寫入量。是廠商用以界定質(zhì)保期的數(shù)值,即超過
    發(fā)表于 02-28 14:17

    影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?

    影響25Q20D閃存芯片寫入速度和使用壽命的因素有哪些?首先我們來談?wù)動(dòng)绊?b class='flag-5'>寫入速度九個(gè)方面:存儲(chǔ)容量和架構(gòu):存儲(chǔ)容量的增加會(huì)導(dǎo)致芯片內(nèi)部的數(shù)據(jù)管理和尋址更為復(fù)雜,從而影響
    的頭像 發(fā)表于 01-22 16:48 ?682次閱讀
    影響25Q20D閃存芯片<b class='flag-5'>寫入</b>速度和使用壽命的因素有哪些?

    EEPROM存儲(chǔ)器的工作原理 EEPROM與FLASH存儲(chǔ)器的比較

    EEPROM存儲(chǔ)器的工作原理 基本結(jié)構(gòu) : EEPROM由浮柵晶體管構(gòu)成,每個(gè)浮柵晶體管可以存儲(chǔ)一個(gè)比特的數(shù)據(jù)。浮柵是一個(gè)隔離的導(dǎo)電區(qū)域,可以捕獲和保持電子,從而改變晶體管的閾值電壓。 寫入操作
    的頭像 發(fā)表于 12-16 16:35 ?2036次閱讀

    PROM器件與其他存儲(chǔ)器的區(qū)別

    PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器)是一種早期的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),它允許用戶通過特定的編程過程將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器中,一旦寫入,這些數(shù)據(jù)在沒有擦除操作
    的頭像 發(fā)表于 11-23 11:18 ?1578次閱讀

    存儲(chǔ)芯片的TBW和MTBF:關(guān)鍵指標(biāo)解析與提升策略

    在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域,存儲(chǔ)芯片的TBW(Terabytes Written,太字節(jié)寫入量)和MTBF(Mean Time Between Failure,平均無故障工作時(shí)間)是衡量其性能與可
    的頭像 發(fā)表于 11-13 10:35 ?1525次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>芯片的<b class='flag-5'>TBW</b>和MTBF:關(guān)鍵指標(biāo)解析與提升策略

    ROM芯片如何寫入和擦除

    1. PROM(可編程只讀存儲(chǔ)器) PROM是一種一次性可編程的ROM,一旦編程后就無法更改。寫入PROM的過程如下: 寫入過程 :使用專用的PROM編程器,通過紫外線照射或電子方式將數(shù)據(jù)寫入
    的頭像 發(fā)表于 11-04 10:19 ?3022次閱讀

    最大限度地提高M(jìn)SP430? FRAM的寫入速度

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高M(jìn)SP430? FRAM的寫入速度.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 10-18 10:09 ?1次下載
    最大限度地提高M(jìn)SP430? FRAM的<b class='flag-5'>寫入</b>速度

    有幾個(gè)關(guān)于放大器的問題求解

    我有幾個(gè)關(guān)于放大器的問題,請(qǐng)TI的專家指點(diǎn): 1、關(guān)于前級(jí)放大倍數(shù)問題 在條件允許的情況下,前級(jí)放大器應(yīng)盡量的提高
    發(fā)表于 09-14 06:01

    求助,關(guān)于儀表放大器REF引腳的疑問求解

    關(guān)于儀表放大器的REF引腳,單電源供電的時(shí)候給個(gè)偏置電壓,一般為電源電壓的一半,我看過一些資料,說是作為參考用,有沒有人能告訴我如何做的參考,對(duì)輸出有什么影響,我現(xiàn)在的情況是,12V單電源供電
    發(fā)表于 09-12 08:26

    如何向EEPROM寫入數(shù)字

    向EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)寫入數(shù)字是一個(gè)相對(duì)直接的過程,但涉及到多個(gè)步驟和細(xì)節(jié)。以下是一個(gè)詳細(xì)的步驟說明,旨在幫助您理解并成功向EEPROM
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:56 ?2143次閱讀

    只讀存儲(chǔ)器的基本結(jié)構(gòu)和工作過程

    只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory,ROM)是一種重要的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備,它以非破壞性讀出方式工作,即只能讀出存儲(chǔ)的信息而無法直接寫入新的信息。這種特性使得ROM在
    的頭像 發(fā)表于 09-05 10:43 ?2500次閱讀