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GaN開發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時的要點(diǎn)

jf_pJlTbmA9 ? 來源:TDK ? 作者:TDK ? 2023-08-22 17:06 ? 次閱讀
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隨著能夠高頻驅(qū)動的半導(dǎo)體“GaN”的普及,開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實(shí)。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料,但根據(jù)驅(qū)動頻率的不同,磁芯損耗(鐵耗)會有很大的變化,這是變壓器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。本文將介紹為GaN開發(fā)的PC200材料的特點(diǎn)及使用時的要點(diǎn)。

目錄

支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列

相對以往的鐵氧體材料的優(yōu)越性

性能參數(shù) (f×B)

磁芯溫度的參考實(shí)驗(yàn)

使用PC200材料時的注意事項(xiàng)

支持高頻的材料的特點(diǎn)及產(chǎn)品系列

TDK支持高頻的Mn-Zn系鐵氧體支持PC95材料的量產(chǎn)。
PC200材料是一種鐵氧體材料,在700 kHz~4 MHz的頻率之間損耗小,在1.8 MHz~2 MHz左右之間電能轉(zhuǎn)換能力最大。
例如,為了抑制蓄電池電壓的電壓變動,汽車的ECU必須搭載DC-DC轉(zhuǎn)換器,但是為了EMI對策,開關(guān)頻率上升到了避免AM帶的頻率(1.8~2.2MHz)。
可以說,PC200材料是最適合這種高頻驅(qū)動的變壓器的材料。p>

圖1:高頻開關(guān)元件 GaN用鐵氧體材料

wKgaomTCRyuAILoDAAAnaqNdZzo721.png

■期待通過使用PC200對產(chǎn)品產(chǎn)生的效果
?通過高頻化應(yīng)對變壓器的小型化
?高頻驅(qū)動條件下的溫度上升抑制效果

■主要用途
?民生設(shè)備:高效率、小型適配器、開關(guān)電源等
?工業(yè)設(shè)備:DC?DC轉(zhuǎn)換器、高輸出小型開關(guān)電源、逆變器
?車載產(chǎn)品(EV、HEV):車載充電器 、 DC-DC轉(zhuǎn)換器等

材料品名 頻率范圍*1(kHz) 產(chǎn)品狀態(tài) 樣品
PC95 -300 量產(chǎn)體制 可提供
PC50 300 - 1000 量產(chǎn)體制 咨詢
PC200 700 - 4000 事前準(zhǔn)備 可提供
(咨詢*2)

*1 頻率范圍是大致范圍。需要在實(shí)機(jī)上進(jìn)行動作驗(yàn)證。
*2 關(guān)于PC200能支持的尺寸和數(shù)量,敬請咨詢。

高頻動作時相對以往鐵氧體材料的優(yōu)越性

材料特性比較

未指定公差時,是代表值

PC95
(Mn-Zn)
PC50
(Mn-Zn)
PC200
(Mn-Zn)
起始磁導(dǎo)率 : μi @25℃ 3300±25% 1400±25% 800(Typ.)
磁芯損耗 @80℃ / kW/m3 @500kHz, 50mT 215 80 40
@1MHz, 50mT 880 480 150
@2MHz, 30mT - 850 160
飽和磁通密度 : Bs(mT) @100℃ 410 380 410
居里溫度 : Tc / ℃ 215 240 280

圖2:磁芯損耗(Pcv)的溫度依賴性

wKgZomTCRzCAFO17AAByotVO57k242.png

圖3:磁導(dǎo)率

wKgaomTCRzqAWfYdAABCvQ62nco731.png

性能參數(shù) (f×B)

可根據(jù)性能參數(shù)(f×B)的圖表計(jì)算出驅(qū)動頻率能使用的磁通密度ΔB。

圖4:性能參數(shù)

wKgaomTCRz2AOMDgAABWEARs3No656.png

動作磁通密度與磁芯損耗(磁芯的發(fā)熱)相關(guān)。
動作磁通密度通過以下公式計(jì)算,受到飽和磁通密度或磁芯損耗限制的值為設(shè)計(jì)值。
磁通密度:B動作電壓:E圈數(shù):N磁芯的截面積:A開關(guān)開的時間:τ

wKgZomTCR0CAOu_6AAADTGs4dU4958.png

回掃、順向式轉(zhuǎn)換器中,在300KHz以下動作時受飽和磁通密度限制,在第一第三象限使用LLC共振、全橋式等B的電路時受磁芯損耗的限制。

尤其在200KHz以上時,請參考右圖的f×B曲線設(shè)定動作磁通密度。

磁芯溫度的參考實(shí)驗(yàn)

PC200材料的鐵氧體磁芯在高頻動作時可以抑制發(fā)熱。
因材質(zhì)不同,最佳動作頻率有所變化。

使用熱像儀進(jìn)行的各使用條件的磁芯溫度比較

Frequency
(MHz)
0.3 1 2
B
(mT)
80
(PC200 : 66)
50 30
f×B
(MHz?mT)
24
(PC200:20)
50 60
PC95 wKgaomTCR0KARIjzAAAQD0EMJeM430.png wKgZomTCR0SAUgHgAAAQZmwhbfQ398.png - wKgaomTCR0eAWUhbAAAQb5JlLEY611.png
PC50 wKgZomTCR0qAVBwwAAAKtFt4U18060.png wKgaomTCR02AAyWqAAAPJEoMzwA102.png wKgaomTCR1CABSMKAAAPhoQVphE505.png
PC200 wKgaomTCR1KAKyBSAAAQsZ_KfUY251.png wKgZomTCR1SAasZCAAAKBSlKmXU905.png wKgaomTCR1eAZEkqAAAJ77E7x-4259.png

圖5:確認(rèn)溫度時使用的電路

wKgZomTCR1mARq8VAAAYm3LT8_I821.png

使用PC200材料時的注意事項(xiàng)

如圖6所示,在大磁通下使PC200材料動作時,μi增加20%,磁芯損耗增加130%。
使用PC200材料設(shè)計(jì)產(chǎn)品時,推薦在Hdc=50(A/m)以下的條件下使用。
圖7是超過Hdc=50(A/m)的事例
①在第一、第三象限使之動作時,在一側(cè)超過。
②使直流重疊后超過。

圖6:以大磁通量使PC200材料動作時的變化

wKgaomTCR1-ADHh0AAB_PvllQjU925.png

圖7:驅(qū)動狀態(tài)(磁滯回線)

wKgZomTCR2KAR1M_AAAsCmzLvLE754.png

審核編輯:彭菁

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