巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)是當(dāng)前Mini/MicroLED廠商最值得研究的課題之一。目的是為了打破傳統(tǒng)封裝和芯片轉(zhuǎn)移技術(shù)的天花板，通過高精度的設(shè)備把巨量的微米級(jí)LED芯片正確且高效地移動(dòng)到目標(biāo)基板及PCB板上，最終實(shí)現(xiàn)Mini/MicroLED的量產(chǎn)需求。

巨量轉(zhuǎn)移過程中存在的主要技術(shù)難點(diǎn)可分為：轉(zhuǎn)移數(shù)量、轉(zhuǎn)移速度、轉(zhuǎn)移精度、轉(zhuǎn)移良率和轉(zhuǎn)移成本。在轉(zhuǎn)移數(shù)量和速度方面，由于具有較高的像素密度，相對(duì)于其他顯示設(shè)備，MicroLED顯示設(shè)備所需組件數(shù)量和轉(zhuǎn)移速度需要大幅提高。

在轉(zhuǎn)移精度方面，必須將單色MicroLED從生長(zhǎng)基板上取下，并和其他兩種顏色的Micro-LED進(jìn)行組裝以形成RGB像素，且轉(zhuǎn)移過程對(duì)位精度要控制在±1.5μm以內(nèi)。在轉(zhuǎn)移良率方面，為了保證Micro-LED顯示設(shè)備的質(zhì)量，業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)是在全高清顯示屏（1920×1080像素）中的無(wú)效像素的數(shù)量應(yīng)控制在3個(gè)以內(nèi)，換算成良率為99.9999%。

在轉(zhuǎn)移成本方面，根據(jù)估算表明，對(duì)于5.8英寸2K分辨率的智能手機(jī)（LED器件尺寸約為10μm）和55英寸4K分辨率的電視（LED器件尺寸約為20μm）這樣的Micro-LED顯示設(shè)備，巨量轉(zhuǎn)移成本將占總成本的20%。由此可見，實(shí)現(xiàn)低成本巨量轉(zhuǎn)移對(duì)于Micro-LED顯示設(shè)備的價(jià)格降低至合理范圍至關(guān)重要。

近日，又有兩項(xiàng)MicroLED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)取得研究新進(jìn)展，分別是MicroLED連續(xù)滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)及MicroLED流體自組裝技術(shù)。

英國(guó)研究者開發(fā)MicroLED連續(xù)滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)，單次轉(zhuǎn)移超75000顆。近日，英國(guó)斯特拉思克萊德大學(xué)（UniversityofStrathclyde）的研究者宣布開發(fā)了一項(xiàng)MicroLED新型轉(zhuǎn)移工藝：連續(xù)滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)，可在一次轉(zhuǎn)印中精準(zhǔn)地轉(zhuǎn)移超75000顆MicroLED，并針對(duì)轉(zhuǎn)移的數(shù)量和良率開發(fā)了自動(dòng)計(jì)量系統(tǒng)。

a)滾輪轉(zhuǎn)印設(shè)備示意圖；b)轉(zhuǎn)印制程（左到右），器件從供體釋放到轉(zhuǎn)移頭，再放置到接收芯片上

研究人員表示，這項(xiàng)工藝可以實(shí)現(xiàn)MicroLED的巨量集成，可在一次轉(zhuǎn)印中轉(zhuǎn)移一個(gè)320x240像素陣列，相當(dāng)于75000顆以上的MicroLED，相對(duì)位置精度達(dá)亞微米級(jí)，而且能夠保持像素陣列的幾何結(jié)構(gòu)，像素空間定位誤差與設(shè)計(jì)布局的偏差控制1μm以內(nèi)。

另外，研究者還采用了基于簡(jiǎn)單光學(xué)顯微鏡的自動(dòng)亞微米級(jí)精準(zhǔn)計(jì)量系統(tǒng)，用于評(píng)估如此大規(guī)模數(shù)量的器件，同時(shí)還可以評(píng)估良率。

除了MicroLED巨量轉(zhuǎn)移，該工藝還可用于其他類型的設(shè)備，包括硅和印刷電子設(shè)備，如柔性和可穿戴電子設(shè)備、智能包裝和射頻識(shí)別標(biāo)簽；同時(shí)，該工藝在光伏設(shè)備制造、藥物輸送系統(tǒng)、生物傳感器和組織工程等生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用中也具有應(yīng)用潛力。

8月1日消息，據(jù)報(bào)道，近日首爾大學(xué)研究人員與LG電子合作，開發(fā)出「流體自組裝」（FluidicSelfAssembly，F(xiàn)SA）新技術(shù)，這是一種基于流體制程的新巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。

首爾大學(xué)首席研究員LeeDae-won形象描述了FSA背后的原理：想象一個(gè)裝滿液體的盒子，里面漂浮著許多“小拼圖”。當(dāng)盒子被震動(dòng)時(shí)，這些拼圖碎片自己會(huì)找到它們指定的插槽，就像LED芯片在基板上找到它們的位置一樣。通過仔細(xì)控制液體的粘度，研究人員能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)99.88%的組裝成功率。

采用FSA技術(shù)制造的MicroLED面板(來(lái)源:《自然》雜志)

采用FSA技術(shù)不僅加快了制造速度，而且降低了成本，使其成為有前途的大規(guī)模生產(chǎn)解決方案。不過，雖然該技術(shù)顯示出巨大的潛力，但產(chǎn)品真正實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)并進(jìn)入市場(chǎng)還需要時(shí)間。在LeeDae-won看來(lái)，這項(xiàng)技術(shù)如果要在智能手機(jī)、平板電腦、智能手表和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)設(shè)備等商業(yè)顯示器上全面應(yīng)用，可能需要大約五年的時(shí)間?！爸圃旒夹g(shù)的進(jìn)步、生產(chǎn)過程的可擴(kuò)展性和市場(chǎng)需求都將發(fā)揮推動(dòng)作用?！彼麖?qiáng)調(diào)。

事實(shí)上，早在20多年前就已經(jīng)使用這種做法來(lái)組裝直徑約300微米的元件。

在首次測(cè)試中，研究人員發(fā)現(xiàn)當(dāng)芯片尺寸小于100微米時(shí)，組裝良率會(huì)大幅下降；要想以高產(chǎn)量組裝50微米以下芯片，必須增加從組裝溶液傳到每個(gè)芯片的動(dòng)量。

對(duì)此，研究人員在溶液中加入poloxamer聚合物，提高溶液黏度的同時(shí)，也能清除結(jié)合點(diǎn)上任何微小氣泡或顆粒，提升緊密接觸機(jī)率。最后，研究人員制造出由19,000多個(gè)MicroLED芯片組成的照明面板，每個(gè)芯片都能發(fā)出藍(lán)光，直徑為45微米，實(shí)現(xiàn)高達(dá)99.88%的組裝良率。

目前流體組裝技術(shù)以美國(guó)eLux公司為主，該公司已經(jīng)將MicroLED顯示器的流體自組裝商業(yè)化。

流體自組裝技術(shù)英文全稱FluidicSelfAssembly簡(jiǎn)稱FSA，又稱流水封裝。很少人聽過這個(gè)技術(shù)，聽過或者了解過這個(gè)技術(shù)的人也許會(huì)質(zhì)疑筆者為什么會(huì)講一個(gè)非主流的技術(shù)。這里有兩點(diǎn)理由，一是這個(gè)技術(shù)非常具有創(chuàng)新力，也許是下一代封裝技術(shù)的始祖；二是現(xiàn)在市場(chǎng)依然使用的條帶（Strap）最初是由FSA技術(shù)產(chǎn)生的。

FSA技術(shù)通過4個(gè)步驟可以生產(chǎn)出Strap，通過5個(gè)步驟可以生產(chǎn)出干Inlay，如圖4-82所示其步驟如下：

準(zhǔn)備大量Wafer，這臺(tái)FSA設(shè)備一次開機(jī)就要吃掉幾百萬(wàn)顆芯片，如果沒有那么多芯片這個(gè)機(jī)器根本無(wú)法運(yùn)轉(zhuǎn)。

把整盤Wafer中的芯片切成圖4-82中（b）的特定形狀，這樣的形狀可以在流水封裝中翻轉(zhuǎn)為正方向。

進(jìn)入流體沖刷過程，最終停留在指定的方格中，由于流體的沖力和可以讓每一個(gè)方格被芯片按正方向填充。

正面凸點(diǎn)與導(dǎo)電印刷基板連接，這樣就形成了Strap。

將Strap與天線封裝在一起就形成了干Inlay。

FSA生產(chǎn)線是美國(guó)意聯(lián)科技公司發(fā)明的，大概2008年開始運(yùn)轉(zhuǎn)，據(jù)說(shuō)花了1.5億美元的研發(fā)費(fèi)用。一條生產(chǎn)線的年產(chǎn)能達(dá)2億顆，相當(dāng)于30臺(tái)紐豹TAL-1500的產(chǎn)能。當(dāng)年全球沒有成熟的超高頻RFID倒封裝設(shè)備，這樣一臺(tái)龐然大物真的是巨獸一般的存在。但是2008年的時(shí)候全球超高頻RFID標(biāo)簽需求量還不到2億顆，市場(chǎng)還沒有等來(lái)，卻等來(lái)了金融危機(jī)，從此這臺(tái)機(jī)器就放在了意聯(lián)公司位于俄亥俄州Dayton的實(shí)訓(xùn)基地倉(cāng)庫(kù)里，至今一直寂寞的等在那里。如果今后物聯(lián)網(wǎng)發(fā)展像計(jì)算機(jī)一樣風(fēng)靡，相信這臺(tái)大家伙一定能進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)博物館。

另外今年5月3日，韓國(guó)LG電子（LGElectronics）WonjaeChang,JungsubKim，JeongSooLee等，在Nature上發(fā)文，提出了一種基于流體自組裝（FSA）技術(shù)的新轉(zhuǎn)移方法，稱為磁力輔助介電泳自組裝技術(shù)（MDSAT），它結(jié)合了磁力和介電泳（DEP）力，在15分鐘內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了同時(shí)的紅色，綠色和藍(lán)色(RGB)LED轉(zhuǎn)移，轉(zhuǎn)移良率為99.99%。

該報(bào)告中的磁力輔助介電泳自組裝技術(shù)（MDSAT）即是通過在MicroLED中嵌入鐵磁材料鎳，控制整個(gè)運(yùn)動(dòng)，并通過施加以受體孔為中心的局部DEP力，這些MicroLED被有效地捕獲并組裝在受體位點(diǎn)。此外，通過MicroLED和受體之間的形狀匹配，展示了RGBLED的并行組裝。

最后，還制造了發(fā)光面板，顯示出了無(wú)損傷轉(zhuǎn)移特性和均勻RGB電致發(fā)光發(fā)射。研究證明了，磁力輔助介電電泳自組裝技術(shù)MDSAT方法，有望成為有力的轉(zhuǎn)移技術(shù)，用以實(shí)現(xiàn)MicroLED主流商業(yè)產(chǎn)品大批量生產(chǎn)。

磁力輔助介電電泳自組裝技術(shù)magnetic-force-assisteddielectrophoreticself-assemblytechnology，MDSAT流體裝配過程示意圖，以及根據(jù)COMSOL模擬計(jì)算的電泳Dielectrophoresis，DEP和磁力分布。

電泳DEP力，與微發(fā)光二極管顯示材料MicroLightEmittingDiode，MicroLED組裝行為和轉(zhuǎn)移屈服力的關(guān)系。

形狀失配缺陷的顯微鏡圖像和示意圖，以及作為受體孔高度函數(shù)的電泳DEP力和轉(zhuǎn)移屈服的變化。

無(wú)源矩陣微發(fā)光二極管MicroLED面板的圖像，I–V特性和RGB光譜。

行業(yè)正在研究的Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)匯總

Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移是走向量產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，同時(shí)為下一階段RGB像素全彩化做準(zhǔn)備，其旨在將原始襯底上數(shù)量巨大的Micro-LED器件快速精確地轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底表面，使MicroLED器件與其驅(qū)動(dòng)集成電路系統(tǒng)之間形成良好的機(jī)械固定和電氣連接。

為了解決巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的種種技術(shù)難題，許多研究機(jī)構(gòu)提出了各種不同的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)解決方案，目前正在開發(fā)的Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)主要涉及粘彈體印章、激光剝離、滾軸轉(zhuǎn)印、靜電、電磁、流體自組和化學(xué)剝離等。雖然它們各具特色，但是仍不能同時(shí)滿足巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)對(duì)于轉(zhuǎn)移數(shù)量、轉(zhuǎn)移速度、轉(zhuǎn)移精度、轉(zhuǎn)移良率和轉(zhuǎn)移成本的要求。

粘彈體印章轉(zhuǎn)移技術(shù)

粘彈體印章微轉(zhuǎn)移印刷技術(shù)最早是2004年由Rogers實(shí)驗(yàn)小組構(gòu)想的[3]，其關(guān)鍵技術(shù)是采用具有一定粘彈柱狀高分子聚合物印章來(lái)調(diào)控與目標(biāo)襯底的粘性力，制備該粘彈體印章普遍是使用聚二甲基硅氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）制成的。當(dāng)Micro-LED顯示器件與粘彈體印章充分接觸時(shí)，二者表面將產(chǎn)生范德華力作用從而形成印章對(duì)器件的粘附。

如圖2所示，此種轉(zhuǎn)移技術(shù)主要分為拾取和放置兩個(gè)步驟：拾取過程主要依靠粘彈體印章與原始襯底之間的范德華力將Micro-LED顯示器件從原始襯底上剝離；放置過程是利用粘彈體印章將Micro-LED顯示器件印制到目標(biāo)襯底上。在這兩個(gè)過程中，解決界面的粘附性問題主要涉及粘彈體印章與Micro-LED器件和Micro-LED器件與襯底兩個(gè)界面之間的關(guān)系。

圖2粘彈體印章轉(zhuǎn)移技術(shù)示意圖

X-Celeprint公司率先開發(fā)了一種可用Micro-LED大規(guī)模轉(zhuǎn)移的粘彈體印章轉(zhuǎn)移技術(shù)。該方法使用柔軟的PDMS印章通過范德華力作用拾取和放置Micro-LED顯示器件，由于粘附作用對(duì)速率十分敏感，當(dāng)印章快速抬起時(shí)，Micro-LED顯示器件可以從原始襯底被拾取并粘附在PDMS印章上。當(dāng)印章緩慢抬起時(shí)，Micro-LED顯示器件可以被粘附至目標(biāo)襯底表面指定位置并與PDMS印章分離。

BOWER等研究了PDMS彈性印章轉(zhuǎn)移技術(shù)，使用粘彈體印章將Micro-LED顯示器件從原始襯底轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底。實(shí)驗(yàn)證明，75μm×90μm芯片的晶圓級(jí)印章轉(zhuǎn)移能夠使一個(gè)印章每次可轉(zhuǎn)移8萬(wàn)多顆Micro-LED，良率達(dá)99.95%，12.8μm×12.8mm和25.6μm×25.6mm的粘彈體印章轉(zhuǎn)移70μm×35μm的Micro-LED芯片，良率達(dá)到99.99%[4]。

激光剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)

激光剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)是一種可以大規(guī)模轉(zhuǎn)移Micro-LED器件的工藝，它利用激光束誘導(dǎo)Micro-LED顯示器件與其原始襯底分離，然后將它們轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上。其中激光誘導(dǎo)正向轉(zhuǎn)移工藝30年前就被Bohandy等人提出，如圖3所示。

圖3激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移過程示意圖

Delaporte等人在激光輔助轉(zhuǎn)移MicroLED顯示器件陣列的過程中，使用激光束誘導(dǎo)Micro-LED器件從其原始襯底分離，然后轉(zhuǎn)移至目標(biāo)襯底表面[5]。激光束的照射導(dǎo)致在生長(zhǎng)襯底和Micro-LED器件之間的界面處產(chǎn)生光與物質(zhì)相互作用，使器件與襯底徹底分離，同時(shí)還會(huì)產(chǎn)生局部機(jī)械力將已經(jīng)脫落的器件推向目標(biāo)襯底。

這種界面相互作用與從藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行GaN基LED激光剝離工藝中所產(chǎn)生的相互作用相同，激光在襯底/外延界面上燒蝕u-GaN層，并將其分解為氮?dú)夂鸵簯B(tài)Ga金屬。UNIQARTA公司研發(fā)的大規(guī)模并行激光傳輸技術(shù)（MassivelyParallelLaser-enabledTransfer，MPLET）適用于各種尺寸和材料，有良好的缺陷檢測(cè)能力和高速檢測(cè)單顆或多顆Micro-LED顯示器件的能力。

此外，研究人員研發(fā)了激光驅(qū)動(dòng)的非接觸式微轉(zhuǎn)移印花技術(shù)，利用激光誘導(dǎo)加熱，在彈性印章和硬質(zhì)微/納米材料之間的界面處開始分離，對(duì)于發(fā)展先進(jìn)的工程系統(tǒng)，例如可伸縮和曲線電子學(xué)，是非常有價(jià)值的，但卻不適用的小尺寸硅芯片。

滾軸轉(zhuǎn)移技術(shù)

滾軸轉(zhuǎn)移技術(shù)又稱卷到卷或卷到面板印刷技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)低成本、高通量和高效率的印刷Micro-LED顯示器件在柔性襯底或剛性襯底上。2017年7月24日韓國(guó)機(jī)械與材料研究所KIMM的NanoAppliedMechanics團(tuán)隊(duì)對(duì)外提出了自對(duì)準(zhǔn)滾印轉(zhuǎn)移技術(shù)。該技術(shù)可用于厚度小于10μm、尺寸小于100μm的MicroLED顯示器件的轉(zhuǎn)移，其轉(zhuǎn)移速率達(dá)到每秒1萬(wàn)個(gè)器件，可以滿足柔性、可拉伸和便攜式顯示設(shè)備的制成。

如圖4所示，整個(gè)轉(zhuǎn)移過程包括三個(gè)輥轉(zhuǎn)移步驟：第一步是通過涂覆一次性轉(zhuǎn)移膜的壓印輥將控制的薄膜晶體管（ThinFilmTransistor，TFT）陣列拾起并放置到臨時(shí)襯底表面；第二步將Micro-LED顯示器件從其原始襯底剝離并轉(zhuǎn)移至臨時(shí)襯底上，同時(shí)通過共晶鍵合的方式將Micro-LED顯示器件與TFT鍵合在一起；第三步將完成鍵合的Micro-LED顯示器件與TFT陣列滾動(dòng)轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底，以形成有源矩陣Micro-LED顯示器。

圖4滾軸轉(zhuǎn)移技術(shù)示意圖

電磁力轉(zhuǎn)移技術(shù)

電磁力轉(zhuǎn)移技術(shù)是通過改變電磁轉(zhuǎn)移頭和Micro-LED顯示器件上鐵磁層之間的磁引力來(lái)捕獲和釋放Micro-LED顯示器件。這個(gè)過程包括用電磁轉(zhuǎn)移頭將Micro-LED從原始襯底上剝離出來(lái)，施加電信號(hào)產(chǎn)生磁性吸引，然后將Micro-LED顯示轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上。每個(gè)Micro-LED顯示器件單獨(dú)的被磁性吸引控制，使選擇性和大規(guī)模的Micro-LED傳輸不需要任何壓縮過程。Yu等人提出了一種基于磁力控制的轉(zhuǎn)移技術(shù)，其設(shè)計(jì)了一種具有獨(dú)特結(jié)構(gòu)的電磁輔助轉(zhuǎn)移印章，如圖5所示。

圖5電磁輔助轉(zhuǎn)移印章示意圖

該電磁印章中含有一個(gè)填滿不可壓縮液體的腔室，位于可壓縮氣體腔室的頂部，液體腔室的頂部為磁響應(yīng)薄膜材料，其可以由外部磁場(chǎng)致動(dòng)而產(chǎn)生形變。外加磁場(chǎng)時(shí)，磁響應(yīng)薄膜的形變可以通過不可壓縮液體傳導(dǎo)至底部氣體腔室，引起氣體壓力變化，從而有效調(diào)節(jié)電磁印章與待轉(zhuǎn)移存底接觸界面的粘附力。

LinghuC等人受到蚜蟲啟發(fā)，設(shè)計(jì)了一種可快速調(diào)節(jié)粘附力的磁驅(qū)動(dòng)印章系統(tǒng)，其使用表面包覆有薄膜的磁性材料填滿儲(chǔ)液槽，通過磁場(chǎng)控制磁性材料以使印章底部發(fā)生變形，從而到達(dá)快速調(diào)節(jié)粘附力的效果。不過該磁控轉(zhuǎn)移印章體積過于龐大，尚不能應(yīng)用于Micro-LED顯示器件的轉(zhuǎn)移。

靜電力轉(zhuǎn)移技術(shù)

2012年，蘋果公司旗下的LuxVue公司提出了一種根據(jù)靜電原理運(yùn)行的轉(zhuǎn)移技術(shù)，并成功地利用異性電荷的吸引力的方式吸引MicroLED顯示器件。這種方法的工作原理見圖6。通過向一種包含單極或雙極電極結(jié)構(gòu)的靜電印章施加電壓，該靜電印章通過帶電吸附力從原襯底拾取該Micro-LED顯示器件陣列。然后將目標(biāo)襯底與Micro-LED顯示器件陣列接觸，去除靜電印章的控制電壓，從而將Micro-LED顯示器件陣列釋放到目標(biāo)襯底上。

圖6靜電力轉(zhuǎn)移技術(shù)示意圖

靜電轉(zhuǎn)移技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是可以選擇性地轉(zhuǎn)移單個(gè)元件或部分元件，并且靜電印章的間距與原始襯底上Micro-LED顯示器件的間距不必相同，因此轉(zhuǎn)移非常靈活。然而，在靜電感應(yīng)過程中施加到靜電印章上的電壓很可能會(huì)導(dǎo)致LED被擊穿，從而損壞Micro-LED顯示器件。

PARC開發(fā)了一種確定性的、定向的、并行的MicroLED靜電組裝和轉(zhuǎn)移工藝[8]?？梢陨蓜?dòng)態(tài)電場(chǎng)模式主動(dòng)控制單個(gè)芯片的運(yùn)動(dòng)，將它們排列成確定性的模式，然后轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上，通過投影儀進(jìn)行尋址，以實(shí)現(xiàn)陣列的有源矩陣尋址。也可以使用帶有互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS或大面積薄膜晶體管背板TFT的全電子有源矩陣尋址，實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)并行組裝、微米級(jí)配準(zhǔn)及異構(gòu)集成等功能。

流體自組裝轉(zhuǎn)移技術(shù)

流體自組裝(FluidicallySelfassembled，F(xiàn)SA)技術(shù)通過重力和毛細(xì)管力來(lái)驅(qū)動(dòng)和捕獲驅(qū)動(dòng)集成電路陣列表面上的MicroLED顯示器件。從而實(shí)現(xiàn)Micro-LED的大規(guī)模轉(zhuǎn)移。以富士康旗下的elux公司提出的FSA為代表，其轉(zhuǎn)移技術(shù)是將大量Micro-LED顯示器件放置于轉(zhuǎn)移系統(tǒng)中，以流體力或磁力轉(zhuǎn)移作用力使得芯片以一定的速度快速移動(dòng)，以動(dòng)態(tài)注入速率穿過目標(biāo)襯底，然后懸浮液體將MicroLED顯示器件捕獲在孔中，同時(shí)液體還被作為介質(zhì)以實(shí)現(xiàn)器件和襯底之間電氣和機(jī)械連接，并自行完成與襯底相應(yīng)組裝位置的對(duì)位組裝。

據(jù)報(bào)道，每小時(shí)可以實(shí)現(xiàn)超過5000萬(wàn)個(gè)設(shè)備的填充(傳輸)速率。Yeh等人通過流體自組裝技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從生長(zhǎng)晶片到硅襯底的梯形砷化鎵基板的轉(zhuǎn)移，其過程如圖7所示。

圖7流體自組裝轉(zhuǎn)移技術(shù)示意圖

Cho等采用流體自組裝方式，將圓形芯片、表面具有低熔點(diǎn)合金涂層的襯底和自組裝溶液放在一起，加熱并振蕩，Micro-LED顯示器件在流動(dòng)時(shí)被低熔點(diǎn)合金捕獲并與襯底形成電氣連接，在1分鐘內(nèi)將1.9萬(wàn)多塊藍(lán)色Micro-LED組裝在襯底上，成功率達(dá)到99.9%[9]。

化學(xué)剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)

化學(xué)剝離是指通過選擇性蝕刻工藝將LED從藍(lán)寶石基板上分離。Chan等介紹了一種納米級(jí)LED的化學(xué)剝離方法，結(jié)合膠體光刻和光電化學(xué)刻蝕，具有通過金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延生長(zhǎng)的活性和犧牲多量子阱層，并釋放到溶液中蝕刻犧牲MQW層[10]。優(yōu)化蝕刻條件以最大限度地減少咬邊粗糙度，從而限制對(duì)有源MQW層的損壞?？蓪ED與襯底有效分離。

總而言之，相比于激光剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)，化學(xué)剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)不需要使用高功率深紫外激光器，成本更低，制程時(shí)間更短，可用于柔性器件的巨量轉(zhuǎn)移。