近日，“2023功率與光電半導體器件設計及集成應用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，西安交通大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.casmita.com）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)主辦，西安電子科技大學、中國科學院半導體研究所、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟人才發(fā)展委員會、全國半導體應用產(chǎn)教融合（東莞）職業(yè)教育集團聯(lián)合組織、西安和其光電股份有限公司等單位協(xié)辦。

期間，“平行論壇2：光電子器件及應用”上，西安交通大學研究員李虞鋒帶來了“SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學表征”的主題報告，近場光學技術(shù)，克服了傳統(tǒng)光學顯微鏡的衍射極限，可以實現(xiàn)超分辨率顯微觀測。報告分享了SNOM技術(shù)原理、技術(shù)特點與研究思路，空氣腔陣列圖案化藍寶石基板生長量子阱，半極性 (20-21)藍色和綠色量子阱，金屬等離子體增強型量子阱等研究進展。

報告指出，利用SNOM探究了空氣腔陣列結(jié)構(gòu)LED空間分辨的發(fā)光特性，研究發(fā)現(xiàn)空氣腔結(jié)構(gòu)改善了外延的晶體質(zhì)量、應力以及光提取效率，從而導致空氣腔區(qū)域的IQE和EQE提高；空氣腔區(qū)域晶體質(zhì)量的改善提高了有效載流子濃度，導致大功率下空氣腔區(qū)域中與俄歇復合相關(guān)的非輻射復合增加，droop加?。焕肧NOM探究了（20-21）半極性雙波長LED的發(fā)光特性，研究發(fā)現(xiàn)TDs、SFs和幾乎無缺陷區(qū)域的周期性交替分布導致PL強度和應力呈現(xiàn)周期性波動。

其中，幾乎無缺陷的區(qū)域B，PL強度最高，應力最大，表現(xiàn)出最強的QCSE；綠光的峰值波長主要受In組分而不是QCSE的影響，而藍光的峰值波長主要由應力導致的QCSE決定；綠光的半峰寬受缺陷的影響更為顯著，而藍光的半峰寬受QCSE的影響更為明顯。利用SNOM探究了LSP耦合增強雙波長藍光QWs的微觀特性，研究發(fā)現(xiàn)：觀察到LSP耦合效應隨耦合距離和激發(fā)功率變化逐漸演變的過程；隨耦合距離減小，效率droop加重，說明當QWs自身的輻射復合較強時，LSP對效率droop產(chǎn)生的是負面影響。

審核編輯：劉清