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      美國KRi 離子源光通信應(yīng)用, 助力5G技術(shù)發(fā)展

      伯東企業(yè)（上海）有限公司 ? 2023-08-07 14:08 ? 次閱讀
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      光通信的信息載體是光波,為了進(jìn)一步提高光通信系統(tǒng)中光信號的傳輸質(zhì)量,滿足光通信系統(tǒng)的使用要求,上海伯東美國 KRi 離子源通過離子束濺射, 輔助薄膜沉積等工藝在離子束鍍膜系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)光模塊, 光器件等薄膜元件的精密加工. 離子源典型應(yīng)用例如, 在光纖連接面鍍 AR 增透膜 (減反射膜), 達(dá)到減少光纖對光的損耗, 增加光的透過率, 減少反射的工藝效果.

      KRi 射頻離子源上海伯東美國 KRi 射頻離子源




      與國產(chǎn)離子源對比, 上海伯東美國 KRi 射頻離子源主要特點(diǎn)
      無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 單次工藝時(shí)間更長, 非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
      提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
      遠(yuǎn)離等離子體: 低基材溫度, 不需要偏壓襯底
      濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
      清潔, 低污染工藝
      優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝, 沉積原子為堅(jiān)硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
      可控制的離子能量, 離子電流密度

      KRi離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
      通常安裝兩個(gè)離子源
      主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
      一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
      基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)
      工藝壓力在小于× 10-4 torr

      離子源濺射沉積上海伯東美國 KRi 離子源 IBSD 濺射應(yīng)用


      美國KRiRFICP射頻離子源技術(shù)參數(shù)

      型號RFICP 40

      RFICP 100

      RFICP 140

      RFICP 220

      RFICP 380

      Discharge 陽極RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      RF 射頻

      離子束流>100 mA

      >350 mA

      >600 mA

      >800 mA

      >1500 mA

      離子動能100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      100-1200 V

      柵極直徑4 cm Φ

      10 cm Φ

      14 cm Φ

      20 cm Φ

      30 cm Φ

      離子束聚焦, 平行, 散射

      流量3-10 sccm

      5-30 sccm

      5-30 sccm

      10-40 sccm

      15-50 sccm

      通氣Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
      典型壓力< 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      < 0.5m Torr

      長度12.7 cm

      23.5 cm

      24.6 cm

      30 cm

      39 cm

      直徑13.5 cm

      19.1 cm

      24.6 cm

      41 cm

      59 cm

      中和器LFN 2000


      上海伯東同時(shí)提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī),高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

      1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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