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IGBT 是由 4 個(gè)交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導(dǎo)體晶體管，通過施加于金屬氧化物半導(dǎo)體 (MOS) 柵極的電壓進(jìn)行控制。雖然第三代寬禁帶技術(shù)碳化硅正獲得越來越多的關(guān)注，但許多應(yīng)用仍適合繼續(xù)使用IGBT， 在技術(shù)的不斷發(fā)展和升級(jí)下，IGBT可實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗和更高的功率密度。

作為智能電源和智能感知技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者，安森美(onsemi)也推出多款超高能效明星IGBT，具備業(yè)界領(lǐng)先的性能水平，能最大程度降低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，助力客戶的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。一起來看看我們的推薦產(chǎn)品吧~

第7代1200V IGBT

安森美FGY75T120SWD正是采用新穎的第7代場(chǎng)截止IGBT和二極管技術(shù)，以及TP247三引腳封裝，性能極佳，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗低，用于太陽能、不間斷電源(UPS)和儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)等基建應(yīng)用提供高能效。

這款新的1200V溝槽型場(chǎng)截止（FS7）IGBT在高開關(guān)頻率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出，其低開關(guān)損耗可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系統(tǒng)成本。對(duì)于高功率能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，F(xiàn)S7器件的正溫度系數(shù)使其能夠輕松實(shí)現(xiàn)并聯(lián)運(yùn)行。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一個(gè)優(yōu)化的二極管，實(shí)現(xiàn)低VF，減少開關(guān)損耗，可在高達(dá)175℃的結(jié)溫（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的開關(guān)性能領(lǐng)先市場(chǎng)現(xiàn)有1200V IGBT。經(jīng)7倍額定電流的測(cè)試，這種高可靠性的IGBT產(chǎn)品展現(xiàn)出出類拔萃的抗閂鎖能力。R系列針對(duì)以導(dǎo)通損耗為主的中速開關(guān)應(yīng)用如電機(jī)控制和固態(tài)繼電器進(jìn)行了優(yōu)化。FGY100T120RWD在100 A時(shí)VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

掃碼獲取更多產(chǎn)品資料 新的IGBT功率集成模塊，I型，中性點(diǎn)鉗位(NPC)，Q2 Pack NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模塊是高密度的三電平NPC Q2 Pack集成電源模塊，這些電源模塊結(jié)合了高性能IGBT和堅(jiān)固的反并聯(lián)二極管。NXH400N100H4Q2F2電源模塊具有場(chǎng)截止技術(shù)的高效溝槽IGBT和快速恢復(fù)二極管，低開關(guān)損耗降低了系統(tǒng)功耗，模塊設(shè)計(jì)提供了高功率密度。這些電源模塊具有低電感式布局、低封裝高度、最高結(jié)溫為175℃、最低結(jié)溫為-40℃的特點(diǎn)，是用于1500V太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的理想電源模塊。

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高性價(jià)比的IGBT，超場(chǎng)截止-1200 V，Power TO247

FGY60T120SQDN IGBT 采用堅(jiān)固耐用、經(jīng)濟(jì)高效的超場(chǎng)截止 (FS) 溝槽結(jié)構(gòu)，能夠為要求苛刻的開關(guān)應(yīng)用提供出色性能，提供低導(dǎo)通電壓，并最大限度降低開關(guān)損耗，非常適合于UPS和太陽能設(shè)備的應(yīng)用。此外，該器件結(jié)合了一個(gè)軟性和快速的組合封裝續(xù)流二極管，具有低正向電壓。具體參數(shù)包括工作電壓1200V、工作電流60A以及功耗517瓦，采用TO-247-3封裝。

掃碼獲取更多產(chǎn)品資料 隔離型雙溝道IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器

NCD57252/3/5/6是大電流雙通道隔離IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，從輸入到每個(gè)輸出的內(nèi)部電隔離2.5或5 kVrms，兩個(gè)輸出通道之間也提供功能隔離。該器件在輸入端接受3.3 V至20 V的偏置電壓和信號(hào)電平，在輸出端接受高達(dá)32V的偏置電壓。

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