目前，主流的閃存芯片通常在128層或232層進(jìn)行堆疊。一些廠商如長江存儲已經(jīng)成功研發(fā)并推出了232層閃存顆粒，其中使用了他們自己研發(fā)的晶棧Xtacking技術(shù)。這種技術(shù)通過兩次堆疊128層和125層閃存顆粒、去除一定冗余并合體的方式，實現(xiàn)了232層的閃存顆粒。

在最新的閃存峰會上，SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。與上一代238層512Gb NAND閃存相比，321層1Tb TLC NAND閃存的效率提高了59%。這是因為在同樣大小的芯片面積上，可以堆疊更多的數(shù)據(jù)存儲單元，從而實現(xiàn)更大的存儲容量，并增加每片芯片的產(chǎn)量。

未來，3D NAND Flash的發(fā)展方向主要集中在提高密度和增加層數(shù)。SK海力士在ISSCC 2023會議上提交了一篇論文，展示了他們?nèi)绾伍_發(fā)出超過300層的3D NAND技術(shù)，并以創(chuàng)紀(jì)錄的194GBps的數(shù)據(jù)讀取速度。

SK海力士表示，他們將進(jìn)一步完善321層NAND閃存技術(shù)，初步計劃在2025年上半年開始量產(chǎn)。這將推動閃存技術(shù)的發(fā)展，為存儲領(lǐng)域提供更高的性能和更大的容量。

編輯：黃飛