安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

高速低功耗助您裝置小型化

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

該款MOSFET采用先進(jìn)工藝制造,在保證100V額定電壓的同時(shí),正常導(dǎo)通電阻僅為9mΩ。相比業(yè)內(nèi)同類產(chǎn)品,具有明顯 conduction loss 優(yōu)勢(shì)。另外,其寄生參數(shù)也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)與優(yōu)化。輸入電容僅為3370pF,Miller電荷也控制在49nC,有助于實(shí)現(xiàn)高速轉(zhuǎn)換。

此外,ASDM100R090NKQ擁有強(qiáng)大的迪安反向恢復(fù)能力,使其非常適合于不同的開(kāi)關(guān)拓?fù)?尤其是硬開(kāi)關(guān)和高速電路。反向恢復(fù)時(shí)間僅為6ns,反向恢復(fù)電荷為226nC。無(wú)論是在逆變器、PFC電路還是LLC電路中,均可實(shí)現(xiàn)高效率的同步整流。

ASDM100R090NKQ的另一大優(yōu)勢(shì)在于增強(qiáng)的可靠性設(shè)計(jì)。該器件不僅100%測(cè)試于無(wú)限制電感載流(UIS)條件下,還進(jìn)行了100%的柵極電阻(Rg)可靠性篩選。此外,其擁有強(qiáng)大的單脈沖雪崩能力(80mJ),可有效提高M(jìn)OSFET在拓?fù)涔收蠣顟B(tài)下的穩(wěn)健性。

綜上所述,安森德公司這一新推出的高速低功耗MOSFET,性能參數(shù)先進(jìn),可靠性設(shè)計(jì)出色。其在小型化和高效率電源設(shè)計(jì)中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。如果您正在為開(kāi)關(guān)電源或逆變器尋找高性價(jià)比的MOSFET解決方案,ASDM100R090NKQ將是一個(gè)不二之選。

審核編輯：湯梓紅