IGBT模塊內(nèi)部

雜散電感的定義

IGBT半橋逆變電路工作原理以及當(dāng)IGBT1開(kāi)通關(guān)斷時(shí)的電壓電流波形如圖1所示，Lσ代表整個(gè)換流回路（條紋區(qū)域內(nèi)）所有的雜散電感之和（電容器，母排，IGBT模塊）。

圖1：IGBT半橋電路以及IGBT1開(kāi)關(guān)時(shí)電壓電流波形

由于電流的變化，雜散電感Lσ兩端感應(yīng)出大小為L(zhǎng)σ*dioff/dt的壓降，該壓降被當(dāng)作是一個(gè)電壓尖峰疊加在直流母線電壓VCC上，同時(shí)施加在關(guān)斷的IGBT1兩端。允許的極限電流關(guān)斷速度di/dt及過(guò)壓能力可以從IGBT的RBSOA(反偏安全工作區(qū))曲線（圖2）推導(dǎo)出。如果測(cè)量是通過(guò)IGBT的輔助CE端子，則該曲線是有效的。如果測(cè)量是在IGBT模塊主端子上進(jìn)行的，考慮到主端子與輔助端子之間的雜散電感，規(guī)格書(shū)中會(huì)相應(yīng)給出降額曲線。對(duì)于IGBT兩單元模塊，此圖所示為兩個(gè)換流IGBT開(kāi)關(guān)其中之一兩端電壓。

IGBT模塊內(nèi)部雜散電感值Ls會(huì)直接給出用于計(jì)算，對(duì)于單個(gè)開(kāi)關(guān)IGBT模塊，Ls的值是模塊主端子到輔助端子之間的雜散電感。對(duì)于兩單元IGBT模塊或者包含有多相橋臂的IGBT模塊，Ls的值取決于應(yīng)用中對(duì)應(yīng)的上管和下管之間有效的換流回路。根據(jù)IGBT模塊的結(jié)構(gòu)，該值會(huì)明顯小于上管和下管分別確定的雜散電感之和。在一個(gè)單相橋臂以上的模塊中，從正電源電壓，通過(guò)該相橋臂，回到負(fù)電源電壓的換流回路總是最壞的情況。
可通過(guò)二極管關(guān)斷的過(guò)程測(cè)量?jī)?nèi)部雜散電感。在某一時(shí)刻，當(dāng)二極管的正向電流下降速度保持恒定，二極管仍然沒(méi)有阻斷能力時(shí)，兩端產(chǎn)生壓降。該壓降只能是由于模塊的雜散電感產(chǎn)生，無(wú)其他影響因素。模塊雜散電感可以通過(guò)下式獲得：Ls=△V/diF/dt。

審核編輯：彭菁