據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星電子為了鞏固在nand閃存市場(chǎng)上的領(lǐng)先地位，再次適用雙線(xiàn)程技術(shù)，制造出300段以上的3d nand，試圖在成本競(jìng)爭(zhēng)上甩開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)公司。

最近，三星集團(tuán)援引業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人的話(huà)表示，計(jì)劃到2024年批量生產(chǎn)300段以上的第9代3d nand。預(yù)計(jì)將采用將nand存儲(chǔ)器制作成兩個(gè)獨(dú)立的程序之后，將其一起組裝的dual stack技術(shù)。三星將于2020年從第7代176段3d nand開(kāi)始首次使用雙線(xiàn)程技術(shù)。

最近，sk海力士公布了到2025年批量生產(chǎn)321段3d nand的計(jì)劃。對(duì)此，不僅是三星，就連業(yè)界專(zhuān)家也表示驚訝。sk海力士與三星的不同之處是使用了“三重stack”技術(shù)，即，將3個(gè)三維nand獨(dú)立層堆砌成120段、110段、91段后，再制造成一個(gè)芯片。

去年10月舉行的“三星techno day 2022”上公布了到2030年建設(shè)1000層的藍(lán)圖。當(dāng)時(shí)業(yè)界專(zhuān)家預(yù)測(cè)說(shuō)，三星在第9代3d nand之后的第10代430段產(chǎn)品上也將適用三重線(xiàn)程技術(shù)。

國(guó)內(nèi)nand業(yè)界有關(guān)負(fù)責(zé)人一致表示：“如果不使用三重nand，要想積累400段以上3d nand是一個(gè)課題?！钡?，triple stack技術(shù)和double stack技術(shù)在費(fèi)用和效率方面存在相當(dāng)大的差異。當(dāng)然，如果使用雙開(kāi)關(guān)型工程，在原材料和生產(chǎn)費(fèi)用方面都有優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，三星在內(nèi)部制定了在第10代3d nand上適用三重slagle工程的技術(shù)發(fā)展藍(lán)圖。另外，為加強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力，正在與東京電子（tel）等半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)進(jìn)行密切合作。

業(yè)界相關(guān)人士表示：“由于存儲(chǔ)器事業(yè)的嚴(yán)重停滯，危機(jī)感增大的三星最近的三維nand配置戰(zhàn)略，可以看作是2024年存儲(chǔ)器市場(chǎng)恢復(fù)的關(guān)鍵階段?！?/p>