半導(dǎo)體成熟制程市況疲弱，晶圓代工廠祭出價格折讓成效不佳，為進一步降低成本，以三星為首的南韓主要晶圓代工業(yè)者開始針對部分成熟制程生產(chǎn)線啟動「熱停機」（Warm Shutdown） ，且「熱停機潮」也蔓延至聯(lián)電、世界先進、力積電等臺廠，凸顯業(yè)者預(yù)期短期內(nèi)訂單不佳狀況難以改善，成熟制程市況冷颼颼。

韓媒報導(dǎo)，三星、Key Foundry及SK海力士旗下SK Hynix System IC等南韓晶圓代工廠近期產(chǎn)能利用率都僅介于40%至50%之間．因應(yīng)終端需求疲軟，上述三家南韓晶圓代工廠已決定關(guān)掉某些成熟制程設(shè)備電源，進行「熱停機」，凸顯晶圓代工成熟制程景氣持續(xù)低迷。

對于晶圓代工熱停機潮蔓延至聯(lián)電、世界先進、力積電等臺廠的傳聞，相關(guān)業(yè)者皆不評論。

聯(lián)電強調(diào)，目前營運展望維持先前法說會上釋出的看法，本季沒有看到市場需求強勁的復(fù)蘇跡象，其中，8吋晶圓廠產(chǎn)能利用率比12吋晶圓廠低，因此，該公司確實會有策略性管理產(chǎn)線的措施，訂單上則和客戶配合。

世界先進方面，該公司先前已于法說會表示，本季整體終端需求仍弱，客戶備貨保守、訂單能見度維持三個月，預(yù)期產(chǎn)能利用率與上季持平、約60%左右，當(dāng)中已將部分設(shè)備調(diào)整與例行維修納入，若有因應(yīng)客戶需求，進行「熱停機」的情況也不意外。

談到成熟制程市況，世界先進董座方略曾說，公司和客戶一起面對市況變化與壓力，包含提供折讓等，但希望后續(xù)隨8吋晶圓代工市況回溫后，能使該公司毛利率隨產(chǎn)能利用率提振而回升，目標(biāo)重回30%甚至40%以上水準(zhǔn)。

力積電則說，在產(chǎn)能利用率不是太高的狀態(tài)下，一切成本也要將電費納入考量，該公司會重新整理、管理生產(chǎn)線，進行成本上調(diào)控，這段時間公司除了要節(jié)約，還要「練兵」，儲備研發(fā)量能。

業(yè)界強調(diào)，當(dāng)以成熟制程為主的晶圓代工廠商，一致性的控制產(chǎn)出，就算無法馬上扭轉(zhuǎn)局面，也有機會達到讓嚴(yán)峻的產(chǎn)業(yè)態(tài)勢不再持續(xù)惡化的效果。

電子業(yè)生產(chǎn)線龐雜，牽涉的設(shè)備機臺眾多，「熱停機」（Warm Shutdown）指業(yè)者因應(yīng)需求不振，關(guān)掉部分閑置產(chǎn)能設(shè)備，雖然設(shè)備仍處于「不斷電」?fàn)顟B(tài)，產(chǎn)線人員不會讓機臺安排過貨，因為過貨會讓機臺耗電幅度大增，若逼不得已，會以最短時間過貨，不需要重新驗機。

由于機臺一旦斷供電之后，重新啟動需要一段時間調(diào)整，如今晶圓代工業(yè)者開始針對成熟制程生產(chǎn)線出現(xiàn)熱停機潮，意味業(yè)者不看好短期接單狀況。

明年境況有望好轉(zhuǎn)？

消費性市場需求慘澹，驅(qū)動IC、電源管理IC、CMOS影像傳感器（CIS元件）及微控制器（MCU）相關(guān)以成熟制程為主力的芯片廠下單力道更顯保守，部分廠商考量庫存水位仍居高不下，甚至?xí)壕徬聠?。業(yè)界普遍預(yù)期， IC設(shè)計業(yè)者要加大成熟制程投片動能，最快要等到2024年，意味今年底前成熟制程市況都不會太好。

消費性市場去年下半年開始進入景氣寒冬，連帶沖擊PC、智能手機及網(wǎng)通等相關(guān)產(chǎn)業(yè)，不僅讓IC設(shè)計廠庫存水位飆高，投片動能也大幅降低，放眼下半年，雖然各領(lǐng)域庫存水位幾乎已經(jīng)回復(fù)正常，但第3季投片量已經(jīng)明顯比第2季明顯下降。

其中，PC相關(guān)領(lǐng)域的高速I／O、數(shù)據(jù)中心的遠(yuǎn)端伺服器管理芯片（BMC）需求仍然相當(dāng)?shù)兔?。供?yīng)鏈指出，PC在第2季的提前備貨需求效應(yīng)下，下半年旺季確定落空，且不論桌上型PC、筆電及Chromebook等都呈現(xiàn)平淡。

至于智能手機領(lǐng)域，在各大研調(diào)機構(gòu)下修今年度智能手機市場規(guī)模后，相關(guān)供應(yīng)鏈投片動能也明顯降溫，僅高通在上半年加大投片動能，聯(lián)發(fā)科截至目前為止仍持保守的投片策略。

晶圓代工成熟制程市況疲軟之際，相關(guān)廠商仍持續(xù)提升制程競爭力，儲備未來景氣好轉(zhuǎn)的能量。其中，聯(lián)電推進低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導(dǎo)體-雙重擴散金屬氧化半導(dǎo)體（BCD）、嵌入式高壓（eHV）等制程技術(shù)；力積電則在CMOS影像傳感器（ CIS）產(chǎn)品開發(fā)BSI制程外，亦導(dǎo)入55納米射頻（RF）產(chǎn)品線，擴大未來接單廣度。

聯(lián)電董座洪嘉聰曾說，制程研發(fā)和穩(wěn)定獲利一直是聯(lián)電營運重心，將聚焦具技術(shù)差異化及領(lǐng)先的特殊制程。

就實際進展方面，聯(lián)電日本子公司USJC與車用電子供應(yīng)商日本電裝株式會社（DENSO）今年第2季宣布合作生產(chǎn)絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT），已在USJC的12吋晶圓廠量產(chǎn)，與早期元件相比，新一代IGBT可減少20%功率耗損，預(yù)計2025年月產(chǎn)量將達1萬片，展現(xiàn)聯(lián)電搶攻汽車電子化和自動駕駛趨勢下的龐大商機。

力積電同樣看好5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)及車用等市場，積極推進制程，包括在邏輯暨特殊應(yīng)用產(chǎn)品晶圓代工服務(wù)平臺的28納米顯示驅(qū)動IC制程、55／80納米BCD制程、BSI CMOS影像感測IC制程，以及3D整合芯片技術(shù)平臺、第三代半導(dǎo)體功率元件制程等。

在AI領(lǐng)域上，力積電不缺席，正在開發(fā)高速運算芯片所需的記憶體晶圓堆疊技術(shù)（Wafer-on-Wafer，WoW），客戶非常感興趣。