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優(yōu)恩半導(dǎo)體-USB3.1- ESD靜電放電及插拔脈沖電壓防護(hù) II

深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司 ? 2023-04-11 11:11 ? 次閱讀
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方案簡(jiǎn)介:USB 3.1 新標(biāo)準(zhǔn)的面世為這種運(yùn)用廣泛的數(shù)據(jù)接口帶來(lái)了重大變化,其中包括更高的數(shù)據(jù)速率。該標(biāo)準(zhǔn)將以前的 USB 3.0 標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率提升了一倍(達(dá) 10Gbps),并且使用的是相同的數(shù)據(jù)線,提高數(shù)據(jù)速率同時(shí)也凸顯了系統(tǒng)級(jí) ESD 抗打擊能力的重要性,因?yàn)楦咚傧到y(tǒng)的結(jié)構(gòu)較小,對(duì) ESD 更為敏感。我們的系統(tǒng)一方面需要快速傳輸數(shù)據(jù),另一方面也容易受到 ESD 脈沖、插拔尖峰脈沖電壓等快速瞬變的影響,普通的防護(hù)器件會(huì)對(duì)數(shù)據(jù)的傳輸造成影響。此方案信號(hào)部分采用集成高分子材料 ESD 靜電防護(hù)器件,具有極其低的電容值 0.05pF,在不影響數(shù)據(jù)傳輸?shù)那疤嵯聺M足IEC61000-4-2 Level 4 靜電放電防護(hù)需求,電源 Vbus 部分使用高壓大通流 ESD 器件,滿足目前消費(fèi)類 USB 充電端口的 8/20us 浪涌測(cè)試,使后端的電路得到有效的防護(hù)同時(shí)具有很大的成本優(yōu)勢(shì)。

產(chǎn)品圖示:

pYYBAGQ0z0eAbpp9AACqgXl5V-4081.pngESD12V88D-HApoYBAGQ0z1OAUkDrAACVOl9Jcgg968.pngPESD2510E05V

應(yīng)用示例:符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4

pYYBAGQ0z2eAWce2AAHPft1f7tI043.png
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