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上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標(biāo), 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 IBD 離子束沉積是其典型的應(yīng)用.

KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用
通常安裝兩個離子源
主要濺射沉積源和二次預(yù)清潔 / 離子輔助源
一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應(yīng)性氣體
基板遠(yuǎn)離濺射目標(biāo)
工藝壓力在小于× 10-4 torr

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用

離子源在離子束濺射沉積工藝過程:

KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應(yīng)用

上海伯東美國 KRi 射頻離子源優(yōu)勢
提供致密, 光滑, 無針孔, 耐用的薄膜
遠(yuǎn)離等離子體: 低基材溫度
不需要偏壓襯底
濺射任何材料, 不需要射頻濺射電源
非常適用于復(fù)雜, 精密的多層薄膜制備
清潔, 低污染工藝
沉積原子為堅硬, 耐用的薄膜保留濺射能量
離子能量, 離子電流密度的控制
優(yōu)良的反應(yīng)沉積工藝

KRi 射頻離子源

美國 KRiRFICP 射頻離子源技術(shù)參數(shù)：

型號	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

上海伯東美國 KRi射頻離子源RFICP 系列, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間更長! 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等. 上海伯東是美國 KRi 離子源中國總代理.

上海伯東同時提供濺射沉積系統(tǒng)所需的渦輪分子泵,真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源,霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng)40 年改良及發(fā)展已取得多項專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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