一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別?

工程師鄧生 ? 來(lái)源:未知 ? 作者:劉芹 ? 2023-08-25 15:41 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅有什么區(qū)別?

場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅都是常見(jiàn)的半導(dǎo)體元件,它們?cè)陔娐窇?yīng)用中廣泛用到,但是它們有不同的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)合。在本篇文章中,我們將詳細(xì)討論場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅的區(qū)別。

1. 工作原理

場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是一種三極管,可以通過(guò)改變柵極電壓調(diào)節(jié)源極和漏極之間的電阻。場(chǎng)效應(yīng)管的原理是利用電場(chǎng)控制載流子濃度,其主要特點(diǎn)是輸入電阻大,高頻特性好。場(chǎng)效應(yīng)管可以分為N溝道和P溝道兩種結(jié)構(gòu)。

可控硅(SCR)是一種雙極性晶體管,也稱(chēng)為晶閘管。它可以在不加門(mén)極控制信號(hào)的情況下,通過(guò)觸發(fā)電流來(lái)控制其導(dǎo)電或斷電??煽毓璧脑硎抢肞N結(jié)反向擊穿時(shí)的正反饋?zhàn)饔?,使電極之間的導(dǎo)通狀態(tài)可控。

2. 結(jié)構(gòu)與性能

場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)一般由源極、漏極和柵極組成。在場(chǎng)效應(yīng)管中,電路信號(hào)通過(guò)柵極輸入到管子內(nèi),控制電子在柵極區(qū)域的跨導(dǎo)。場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)是輸入電阻大,高頻特性好,但是其缺點(diǎn)是輸出功率小。

可控硅的結(jié)構(gòu)一般由陽(yáng)極、陰極和門(mén)極組成??煽毓柚饕糜诮涣麟娐?,其深度能夠承受很高的電壓和電流,但其缺點(diǎn)是僅能在單向電路中使用。

3. 應(yīng)用場(chǎng)合

場(chǎng)效應(yīng)管可以應(yīng)用于低頻、高增益的放大器開(kāi)關(guān)電路,例如音頻放大器、變頻器、振蕩器、調(diào)制電路等。場(chǎng)效應(yīng)管的應(yīng)用之一是在放大器電路中應(yīng)用,其大的輸出電阻非常適合用作對(duì)輸入電信號(hào)的擾動(dòng)極度不敏感的緩沖級(jí)。

可控硅可以應(yīng)用于交流電路,例如電源調(diào)整、電動(dòng)機(jī)控制等??煽毓璧膽?yīng)用之一是在交流電路的電源開(kāi)關(guān)控制器件中,例如控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止,亮度調(diào)節(jié)等。

4. 工作電壓

場(chǎng)效應(yīng)管的工作電壓一般為20V到1000V,應(yīng)用范圍較為靈活,但其電流承載能力相對(duì)較低。場(chǎng)效應(yīng)管的電導(dǎo)電阻很小時(shí),電路消耗的能量也少,可以有效地減少功耗,從而提高系統(tǒng)效率。

可控硅的工作電壓一般比較高,可以支持?jǐn)?shù)千伏的電壓,并且電流承載能力較大。在直流電路中,可控硅可以控制大功率直流電流,但在交流電路中,可控硅僅適用于單向電路中,且控制電流能力受交流電壓的影響。

總結(jié):

場(chǎng)效應(yīng)管和可控硅都是半導(dǎo)體元件,其工作原理、結(jié)構(gòu)和性能特點(diǎn)各有不同。場(chǎng)效應(yīng)管主要應(yīng)用于電路中的放大器和開(kāi)關(guān)電路,而可控硅則適用于交流電路的電源開(kāi)關(guān)或控制器件中。需要根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)合的需求來(lái)選擇不同的半導(dǎo)體元件。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 三極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    145

    文章

    3657

    瀏覽量

    124680
  • 振蕩器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    28

    文章

    4014

    瀏覽量

    140870
  • 場(chǎng)效應(yīng)管

    關(guān)注

    47

    文章

    1185

    瀏覽量

    67142
  • 可控硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    975

    瀏覽量

    73488
  • 變頻器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    253

    文章

    6875

    瀏覽量

    149835
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用辨析:可控硅能否替代MOS?

    在電力電子系統(tǒng)中,可控硅(晶閘管)與MOS場(chǎng)效應(yīng)管)均屬于關(guān)鍵開(kāi)關(guān)器件。針對(duì)工程師常提出的"是否可用可控硅直接替換MOS"這一問(wèn)題,答
    的頭像 發(fā)表于 06-11 18:05 ?335次閱讀
    開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用辨析:<b class='flag-5'>可控硅</b>能否替代MOS<b class='flag-5'>管</b>?

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)

    場(chǎng)效應(yīng)管代換手冊(cè)
    發(fā)表于 01-08 13:44 ?2次下載

    場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 如何降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲

    在設(shè)計(jì)場(chǎng)效應(yīng)管驅(qū)動(dòng)電路時(shí),降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來(lái)降低場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲: 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 : 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場(chǎng)效應(yīng)管供電,可以
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:17 ?1318次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)介紹 如何測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的功能

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,主要通過(guò)改變輸入端的電壓來(lái)控制輸出端的電流。場(chǎng)效應(yīng)管廣泛應(yīng)用于放大、開(kāi)關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。 場(chǎng)效應(yīng)管
    的頭像 發(fā)表于 12-09 16:02 ?2938次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì)與劣勢(shì) 場(chǎng)效應(yīng)管的負(fù)載能力分析

    場(chǎng)效應(yīng)管的優(yōu)勢(shì) 高輸入阻抗 :場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高,這意味著它們需要的驅(qū)動(dòng)電流非常小,這對(duì)于低功耗應(yīng)用非常有利。 低噪聲 :場(chǎng)效應(yīng)管由于其高輸入阻抗和低導(dǎo)通電阻,通常比雙極型晶體
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:58 ?1455次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案

    場(chǎng)效應(yīng)管常見(jiàn)問(wèn)題及解決方案 1. 場(chǎng)效應(yīng)管的基本原理 場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制型器件,其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種主要類(lèi)型:結(jié)型
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:57 ?1586次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體區(qū)別是什么呢

    場(chǎng)效應(yīng)管與晶體在多個(gè)方面存在顯著的區(qū)別,以下是對(duì)這兩者的比較: 一、工作原理 場(chǎng)效應(yīng)管 : 導(dǎo)電過(guò)程主要依賴(lài)于多數(shù)載流子的漂移運(yùn)動(dòng),因此被稱(chēng)為單極型晶體
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:55 ?2276次閱讀

    常見(jiàn)場(chǎng)效應(yīng)管類(lèi)型 場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,它利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流的流動(dòng)。場(chǎng)效應(yīng)管的主要類(lèi)型結(jié)型
    的頭像 發(fā)表于 12-09 15:52 ?2129次閱讀

    晶體場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別 晶體的封裝類(lèi)型及其特點(diǎn)

    晶體場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別 工作原理 : 晶體 :晶體(BJT)基于雙極型晶體的原理,即通過(guò)控
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:42 ?1032次閱讀

    什么是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類(lèi)型,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:41 ?3617次閱讀

    N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)管什么區(qū)別

    , P-Channel FET)是場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)的兩種基本類(lèi)型,它們?cè)趯?dǎo)電機(jī)制、極性、驅(qū)動(dòng)電壓、導(dǎo)通電阻、噪聲特性、溫度特性以及應(yīng)用領(lǐng)域等方面存在顯著差異。以下是對(duì)這兩種場(chǎng)效應(yīng)管區(qū)別的詳細(xì)闡述:
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:38 ?4845次閱讀

    電力場(chǎng)效應(yīng)管和MOSFET的區(qū)別

    電力場(chǎng)效應(yīng)管(Power Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)Power FET)和MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
    的頭像 發(fā)表于 09-13 14:20 ?1650次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)場(chǎng)效應(yīng)管和集成運(yùn)放

    場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET),又稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管,是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電壓控制型半導(dǎo)體器件。它主要由柵極(G)、源極(S)和漏極(D
    的頭像 發(fā)表于 08-15 15:25 ?1295次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管的控制電壓的主要參數(shù)

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種廣泛應(yīng)用于電子電路中的半導(dǎo)體器件,其工作原理是通過(guò)改變柵極電壓來(lái)控制漏極和源極之間的電流。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:18 ?2177次閱讀

    場(chǎng)效應(yīng)管與IGBT能通用嗎

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field-Effect Transistor,F(xiàn)ET)和絕緣柵雙極型晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是兩種不同類(lèi)型的半導(dǎo)體器件,它們
    的頭像 發(fā)表于 07-25 11:07 ?3494次閱讀