半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于什么和什么之間

半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)電體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中，只有一小部分的電子能量帶處于允許狀態(tài)，難以流動(dòng)，其他的電子處于禁止帶。因此，隨著溫度的升高，半導(dǎo)體導(dǎo)電能力會(huì)逐漸增強(qiáng)。在本文中，我們將更深入地探討半導(dǎo)體導(dǎo)電能力的原理和影響因素。

半導(dǎo)體的可控電導(dǎo)性質(zhì)是由摻雜原子引入其結(jié)構(gòu)中的雜質(zhì)所產(chǎn)生的，例如硅、鍺等。摻雜后，半導(dǎo)體添加了更多的自由電子或空穴，這些自由電子或空穴能夠在外電場(chǎng)的作用下向?qū)щ婓w導(dǎo)電或自由漂移。摻雜會(huì)引起電子的更多或更少的激發(fā)，而其數(shù)量大小和種類決定了半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。在摻雜的半導(dǎo)體中，其導(dǎo)電性主要分為兩類：P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。

P型半導(dǎo)體中，摻入的雜質(zhì)元素屬于第III族元素，如硼等，它們只有三個(gè)電子，因此它們?nèi)鄙僖粋€(gè)電子，而電子空位即為空穴。這些空穴在外部電場(chǎng)的作用下向著負(fù)極移動(dòng)，導(dǎo)致了電流的流動(dòng)。當(dāng)摻入P型雜質(zhì)后，半導(dǎo)體中的空穴數(shù)目變得比較多，電子運(yùn)動(dòng)比較受制約，使電子的密度較小。在P型半導(dǎo)體中，電流移動(dòng)的是正電荷，即空穴。

N型半導(dǎo)體中，摻入的雜質(zhì)元素屬于第V族元素，如烷基等，它們有五個(gè)電子，因此在晶格內(nèi)會(huì)露出一個(gè)額外的電子。這個(gè)額外的電子會(huì)在晶格內(nèi)自由運(yùn)動(dòng)。受外電場(chǎng)的作用，這些電子會(huì)向正電荷移動(dòng)，從而導(dǎo)致電流的流動(dòng)。在N型半導(dǎo)體中，電子太多，空穴太少，電子比等離子體密度更大，導(dǎo)致電流移動(dòng)的是負(fù)電荷，即電子。

半導(dǎo)體的導(dǎo)電性與多種因素有關(guān)。其中，摻雜濃度是最主要的控制因素。摻雜濃度越高，半導(dǎo)體導(dǎo)電性越強(qiáng)。此外，溫度也對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性產(chǎn)生影響。溫度升高，半導(dǎo)體中的熱運(yùn)動(dòng)加劇，會(huì)導(dǎo)致更多的電子躍遷到允許帶從而導(dǎo)致導(dǎo)電性增強(qiáng)。光照也會(huì)影響半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。在某些半導(dǎo)體中，光可以激發(fā)電子從禁止帶躍遷到允許帶，產(chǎn)生更多的自由電子和空穴，從而增加半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。

除了通常的半導(dǎo)體材料，大量的研究也是在石墨烯和碳納米管等CARBON 基材料上進(jìn)行的。這些材料在最小尺寸的范圍內(nèi)可以顯示卓越的電容、電導(dǎo)率和電子輸運(yùn)性能。因此，這些CARBON 基材料已經(jīng)成為研究新一代電子學(xué)器件的理想材料。

總之，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性介于導(dǎo)電體和絕緣體之間。通過摻雜和調(diào)節(jié)其摻雜濃度、溫度和光照等因素，可以調(diào)節(jié)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能，使其在電子器件中發(fā)揮出巨大的作用。在未來，半導(dǎo)體材料的研究和應(yīng)用將繼續(xù)受到廣泛關(guān)注。