一年一度的全球電子成就獎(jiǎng)評(píng)選（World Electronics Achievement Awards)正在火熱進(jìn)行中，該獎(jiǎng)項(xiàng)旨在評(píng)選并表彰對(duì)推動(dòng)全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！

采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET)

同時(shí)兼顧低RDS(on)和強(qiáng)大線性模式性能，并提供業(yè)界領(lǐng)先的功率密度

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A) - PSC1065K20

將小尺寸、高效率與耐用性的優(yōu)點(diǎn)集于一身，可顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性

關(guān)鍵技術(shù)：

強(qiáng)大的線性模式性能可高效可靠地管理浪涌電流。當(dāng)ASFET完全導(dǎo)通時(shí)，低RDS(on)可最大限度地降低I2R損耗。封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強(qiáng)SOA技術(shù)與前幾代D2PAK封裝相比還實(shí)現(xiàn)了10% SOA性能改進(jìn)（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：

采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強(qiáng)安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些 ASFET 提供 80 V 和 100 V 兩種型號(hào)，兼顧低RDS(on)和強(qiáng)大線性模式性能，非常適合進(jìn)的電信和計(jì)算設(shè)備中要求苛刻的熱插拔和軟啟動(dòng)應(yīng)用。與前幾代產(chǎn)品相比具有增強(qiáng)的SOA、數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了經(jīng)過全面測(cè)試的高溫下SOA曲線，以及節(jié)省空間的尺寸，為熱插拔和計(jì)算應(yīng)用提供了優(yōu)化的解決方案，提供了業(yè)界領(lǐng)先的功率密度改進(jìn)。

此外，另一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-80SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應(yīng)計(jì)算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用48 V電源軌的增長趨勢(shì)，在這些應(yīng)用中，環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。

應(yīng)用場(chǎng)景：

“熱插拔”和“軟啟動(dòng)”系統(tǒng)中的浪涌管理；48V 電信和以太網(wǎng)供電 PoE 系統(tǒng)；12V計(jì)算服務(wù)器系統(tǒng)；電子保險(xiǎn)絲和電池管理系統(tǒng)

碳化硅(SiC)肖特基二極管(650 V, 10 A)

關(guān)鍵技術(shù)：

合并PIN（MPS） 碳化硅肖特基二極管

產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

具備不受溫度影響的電容開關(guān)和零恢復(fù)性能，提供先進(jìn)的性能以及出色的品質(zhì)因數(shù)(QC x VF)。其突出的開關(guān)性能幾乎不受電流和開關(guān)速度變化的影響。

合并PIN肖特基(MPS)二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進(jìn)一步提高其性能，并具備其他優(yōu)勢(shì)，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護(hù)電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復(fù)雜性，使硬件設(shè)計(jì)人員能夠在耐用型高功率應(yīng)用中，以更小的外形尺寸實(shí)現(xiàn)更高的效率。

采用真2引腳(R2P) TO-220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項(xiàng)包括表面貼裝(DPAK R2P and D2PAK R2P)和采用真2引腳配置的通孔(TO-247-2)封裝，可在高達(dá)175°C的高壓應(yīng)用中增強(qiáng)可靠性。

應(yīng)用領(lǐng)域:

該工業(yè)級(jí)器件可應(yīng)對(duì)高電壓和高電流應(yīng)用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運(yùn)行性能

審核編輯：彭菁