【摘要】

本文針對某產(chǎn)品生產(chǎn)拷機(jī)中不能正常開機(jī)問題，進(jìn)行故障復(fù)現(xiàn)，定位到給單板上的CPU提供時(shí)鐘信號的晶體頻偏超標(biāo)導(dǎo)致CPU無法啟動，最終定位是晶體性能問題需更換器件方案。

一、現(xiàn)象描述

某產(chǎn)品批量發(fā)貨生產(chǎn)中，出現(xiàn)偶發(fā)性不能正常開機(jī)，經(jīng)排查和單板CPU所用的晶體相關(guān)，晶體溫度穩(wěn)定性較差頻偏超標(biāo)導(dǎo)致部分單板晶體無法起振導(dǎo)致。

表1 失效器件關(guān)鍵信息

二、故障分析

本案例中我們按照三部曲來對該故障進(jìn)行定位分析：

1）單板級故障分析：以故障單板作為整系統(tǒng)，對失效晶體系統(tǒng)級參數(shù)進(jìn)行測試分析；

2）芯片級故障分析：脫離單板硬件系統(tǒng)，對失效晶體單體參數(shù)進(jìn)行芯片級測試分析；

3）材料分析：對器件進(jìn)行拆解，深入器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)、性能，準(zhǔn)確定位器件失效原因。

1、單板級分析

如下為現(xiàn)場返回拷機(jī)時(shí)偶發(fā)故障的1#晶體樣品的排查測試過程：在室溫下能在單板上正常工作，測試結(jié)果如下：

1）常溫下，該晶體的振幅為1.2V（峰峰值），如圖1所示，符合手冊標(biāo)稱typical幅值1.26V要求；

圖1 常溫下1#晶體的波形圖

2）為了快速復(fù)現(xiàn)現(xiàn)象，先使用吹風(fēng)機(jī)輔助完成：使用電吹風(fēng)緩慢加熱后，失效晶體的幅值先減小（如圖2），至停振（如圖3），再增大至860mV（如圖4所示）；

圖2 受熱后，1#晶體的波形圖（幅值變?。?/p>

圖3 受熱后，1#晶體的波形圖（停振）

圖4 停止吹風(fēng)后，1#晶體的波形圖

3）使用電吹風(fēng)對正常的晶體加熱后，振幅無明顯變化。

2、芯片級分析

1）晶體參數(shù)測試

按照規(guī)格書給定參數(shù)測試1#樣品常溫及吹風(fēng)機(jī)加熱條件下樣品的晶體參數(shù)， 發(fā)現(xiàn)1#樣品常溫下測試各參數(shù)結(jié)果滿足代碼級規(guī)格書要求，但吹風(fēng)機(jī)40℃加熱時(shí)，樣品出現(xiàn)跳頻，跳頻幅度近120ppm，其他參數(shù)未出現(xiàn)異常。

該產(chǎn)品中要求該晶體參數(shù)為負(fù)載諧振頻率（FL）±20ppm、諧振阻抗（RR）40Ω Max、DLD2<8Ω 。具體測試數(shù)據(jù)如表2所示：

表2 晶體的參數(shù)測試表

對1#樣品進(jìn)行頻譜掃描，結(jié)果如1#樣品有明顯寄生振蕩頻率（如圖5所示），在約40℃ 時(shí)出現(xiàn)主振雙峰情況（如圖6所示），導(dǎo)致樣品跳頻：

圖51#樣品常溫頻譜掃描圖

圖61#樣品約40℃加熱時(shí)頻譜掃描圖

3、材料分析

對正常樣品和1#樣品進(jìn)行開封、內(nèi)部目檢，發(fā)現(xiàn)1#樣品內(nèi)部微調(diào)電極有明顯氧化，并有明顯污染，開封后的圖片，如圖7未正常晶體樣品內(nèi)部圖，圖8為故障1#樣品內(nèi)部圖：

圖7正常樣品開封后圖片

圖8 1#樣品開封后圖片

對故障樣品進(jìn)行多樣品拆解分析，材料實(shí)驗(yàn)室的分析結(jié)論如下：經(jīng)測試分析，故障樣品由于內(nèi)部晶片電極污染，該樣品設(shè)計(jì)或制造工藝不足引起頻譜寄生振蕩，最終導(dǎo)致諧振頻率跳頻。

三、總結(jié)

晶體或者晶振幾乎是我們每一塊單板必需的器件，它的穩(wěn)定與否直接關(guān)系到我們系統(tǒng)的穩(wěn)定性，希望通過本文能給大家在以后類似的故障排查中提供一點(diǎn)思路。案例本身是次要的，技術(shù)文檔分析重在問題排查思路的分享，希望對大家有所幫助。