一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中芯國際“承載裝置、晶圓測(cè)試設(shè)備以及晶圓測(cè)試方法”專利公布

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2023-09-05 11:28 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

據(jù)天眼查公司稱,中芯國際于9月1日公布了“承載裝置、晶圓測(cè)試設(shè)備以及晶圓測(cè)試方法”專利,專利為cn116682750a。

該專利的專利權(quán)人是中芯國際集成電路制造(上海)有限公司和中芯國際集成電路制造(北京)有限公司。

wKgaomT2oDmAW4mrAAKlqV152pY086.png

據(jù)專利摘要,一個(gè)軸承裝置、晶圓測(cè)試裝置,以及包括晶片測(cè)試方法,軸承裝置運(yùn)送如下:測(cè)試將晶片,晶片測(cè)試將會(huì)把加熱的主加熱平臺(tái);主加熱平臺(tái)繞圓形輔助加熱平臺(tái)測(cè)試將晶片可以收納的空間用于圍繞主加熱平臺(tái)的屋頂。另外,減少上述探針不均勻受熱而產(chǎn)生的針孔移動(dòng)的危險(xiǎn),有利于提高晶圓測(cè)試的可靠性,減少晶片表面破損引起的收益率損失和可靠性危險(xiǎn)的概率。同時(shí),在對(duì)測(cè)試晶圓的高溫測(cè)試過程中,由于探針芯片的各探針接受均勻的熱,在測(cè)試過程中取消了探針芯片的預(yù)熱程序,提高了生產(chǎn)效率,減少了測(cè)試費(fèi)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 中芯國際
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    1438

    瀏覽量

    66291
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    53

    文章

    5154

    瀏覽量

    129721
  • 軸承
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    2252

    瀏覽量

    32516
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    揀選測(cè)試類型

    揀選測(cè)試作為半導(dǎo)體制造流程的關(guān)鍵質(zhì)量控制環(huán)節(jié),旨在通過系統(tǒng)性電氣檢測(cè)篩選出功能異常的芯片。該測(cè)試體系主要包含直流特性分析、輸出驅(qū)動(dòng)能
    的頭像 發(fā)表于 06-11 09:49 ?617次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>揀選<b class='flag-5'>測(cè)試</b>類型

    降低 TTV 的磨片加工方法

    摘要:本文聚焦于降低 TTV(總厚度偏差)的磨片加工方法,通過對(duì)磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn),有效控制
    的頭像 發(fā)表于 05-20 17:51 ?284次閱讀
    降低<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b> TTV 的磨片加工<b class='flag-5'>方法</b>

    提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR可靠性測(cè)試

    隨著半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度提升,可靠性要求與測(cè)試成本及時(shí)間之間的矛盾日益凸顯。級(jí)可靠性(Wafer Level Reliability, WLR)技術(shù)通過直接在未封裝
    發(fā)表于 05-07 20:34

    半導(dǎo)體制造流程介紹

    本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造制備、制造和
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:14 ?666次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造流程介紹

    測(cè)試的五大挑戰(zhàn)與解決方案

    隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高,對(duì)精確可靠的測(cè)試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用,到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲(chǔ)器(HBM),在
    的頭像 發(fā)表于 02-17 13:51 ?744次閱讀

    功率器件測(cè)試及封裝成品測(cè)試介紹

    AP-200,中間為晶體管檢測(cè)儀IWATSU CS-10105C,右邊為控制用計(jì)算機(jī)。三部分組成了一個(gè)測(cè)試系統(tǒng)。 下圖所示為探針臺(tái),主要對(duì)進(jìn)行電學(xué)檢測(cè),分為載物臺(tái)、探卡、絕緣氣體供應(yīng)設(shè)備
    的頭像 發(fā)表于 01-14 09:29 ?1195次閱讀
    功率器件<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>及封裝成品<b class='flag-5'>測(cè)試</b>介紹

    背面涂敷工藝對(duì)的影響

    一、概述 背面涂敷工藝是在背面涂覆一層特定的材料,以滿足封裝過程的各種需求。這種工藝不僅可以提高芯片的機(jī)械強(qiáng)度,還可以優(yōu)化散熱性能
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對(duì)<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    單面拋光的裝置方法

    單面拋光的裝置方法主要涉及半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,以下是對(duì)其詳細(xì)的介紹: 一、
    的頭像 發(fā)表于 12-12 10:06 ?566次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>單面拋光的<b class='flag-5'>裝置</b>及<b class='flag-5'>方法</b>

    #高溫CV測(cè)試 探索極限,駕馭高溫挑戰(zhàn)!

    武漢普賽斯儀表有限公司
    發(fā)布于 :2024年12月10日 16:46:11

    WAT接受測(cè)試簡介

    WAT是英文 Wafer Acceptance Test 的縮寫,意思是接受測(cè)試,業(yè)界也稱WAT 為工藝控制監(jiān)測(cè)(Process Control Monitor,PCM)。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 15:51 ?1563次閱讀
    WAT<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>接受<b class='flag-5'>測(cè)試</b>簡介

    表面污染及其檢測(cè)方法

    本身、潔凈室、工藝工具、工藝化學(xué)品或水。污染一般可以通過肉眼觀察、過程檢查、或是最終器件測(cè)試中使用復(fù)雜的分析設(shè)備檢測(cè)到。 ▲硅
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:33 ?1736次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>表面污染及其檢測(cè)<b class='flag-5'>方法</b>

    是德科技發(fā)布3kV高壓測(cè)試系統(tǒng)

    是德科技近日推出了全新的4881HV高壓測(cè)試系統(tǒng),進(jìn)一步豐富了其半導(dǎo)體測(cè)試產(chǎn)品線。
    的頭像 發(fā)表于 10-14 17:03 ?806次閱讀

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場(chǎng)。這使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3040次閱讀