截至8月31日，16家SiC相關(guān)上市公司披露了2023上半年年度報告，其中：

襯底外延方面，天岳先進營收增長超172%，晶盛、合盛等實現(xiàn)8英寸SiC突破，東尼獲得大訂單。

器件模塊方面，三安車規(guī)SiC預(yù)計24年上車；華潤微SiC/GaN收入增長3.6倍；士蘭微主驅(qū)SiC MOS Q3交付；中芯集成車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)能2000片/月；斯達新增多個主驅(qū)SiC模塊定點；揚杰主驅(qū)碳化硅模塊預(yù)計25年上車……

更多的財報內(nèi)容和企業(yè)的碳化硅進展，請往下看：

SiC襯底/外延：天岳、三安、東尼、合盛、晶盛

初步統(tǒng)計，天岳先進、三安光電、東尼電子、合盛硅業(yè)、晶盛機電等SiC襯底/外延企業(yè)營收和利潤情況請看下表：

●天岳先進：營收增長172.38%

報告顯示，天岳先進2023年H1營收4.38億元，同比增長172.38%；凈利潤-0.72億元，同比增長1.29%。

天岳先進已經(jīng)實現(xiàn) 6 英寸導(dǎo)電型襯底、6 英寸半絕緣型襯底、4 英寸半絕緣襯底等SiC產(chǎn)品的：規(guī)?；?yīng)，并自主擴徑完成高品質(zhì) 8 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底制備。報告期內(nèi)，公司營業(yè)收入主要來自于6 英寸導(dǎo)電型產(chǎn)品銷售。

根據(jù)今年5月上海臨港新片區(qū)管理委員會對外公示的《關(guān)于“天岳半導(dǎo)體碳化硅半導(dǎo)體材料項目（調(diào)整）”》的環(huán)評審批意見，根據(jù)公告，調(diào)整后，6英寸碳化硅晶片生產(chǎn)規(guī)模擴大至96萬片/年，產(chǎn)能將增加220%。

報告期內(nèi)，天岳先進高品質(zhì)SiC襯底獲得國際客戶的認可。今年5月，天岳先進與英飛凌簽訂了合作協(xié)議，8月24日，天岳先進與客戶F簽訂了一份碳化硅采購協(xié)議，約定2024年至2026年向合同對方供應(yīng)碳化硅產(chǎn)品，合同價值預(yù)估為8.05億人民幣。

●三安光電：車規(guī)SiC 24年上車

報告顯示，三安光電2023年H1營收64.69億元，同比下降4.33%；凈利潤1.70億元，同比下降81.76%。

報告期內(nèi)，三安光電SiC產(chǎn)能達15000 片/月。湖南三安6 吋碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗證，并實現(xiàn)批量出貨，8 吋SiC襯底已實現(xiàn)小批量試制。

SiC MOSFET80mΩ 產(chǎn)品已在光伏及車載充電機客戶端導(dǎo)入批量訂單；車規(guī)級 1200V 16mΩ 已在數(shù)家戰(zhàn)略客戶處進行模塊驗證，預(yù)計于 2024 年正式上車量產(chǎn)。

此外，湖南三安與理想合資成立的規(guī)劃年產(chǎn)240 萬只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導(dǎo)體，已完成動力設(shè)備安裝、調(diào)試，待產(chǎn)線通線后進入試生產(chǎn)。與意法半導(dǎo)體在重慶共同設(shè)立合資代工公司，預(yù)計2025 年完成階段性建設(shè)并逐步投產(chǎn)，2028 年規(guī)劃達產(chǎn)后產(chǎn)能為10000 片/周。

●東尼電子：簽訂6.75億大訂單

報告顯示，東尼電子2023年H1營收7.77億元，同比下降7.30%；凈利潤-0.66億元，同比下降207.41%。

2023上半年，東尼電子募集資金投資項目“年產(chǎn)12萬片碳化硅半導(dǎo)體材料”已實施完畢。今年1月，東尼電子子公司東尼半導(dǎo)體與下游客戶 T簽訂《采購合同》，約定東尼半導(dǎo)體2023 年向該客戶交付 6 英寸碳化硅襯底 13.50 萬片，含稅銷售金額合計人民幣6.75 億元；2024年、2025 年分別向該客戶交付 6 英寸碳化硅襯底 30 萬片和 50 萬片。

●合盛硅業(yè)：順利研發(fā)8吋SiC襯底

報告顯示，合盛硅業(yè)2023年H1營收119.38億元，同比下降8.17%；凈利潤17.82億元，同比下降49.71%。

SiC業(yè)務(wù)發(fā)展方面，目前合盛硅業(yè)已完整掌握了SiC全產(chǎn)業(yè)鏈核心工藝技術(shù)，SiC生產(chǎn)線具備量產(chǎn)能力，產(chǎn)品良率處于國內(nèi)企業(yè)領(lǐng)先水平。其中6 英寸襯底和外延片已得到國內(nèi)多家下游器件客戶的驗證，并順利開發(fā)了日韓、歐美客戶；8 英寸SiC襯底研發(fā)順利，并實現(xiàn)了樣品的產(chǎn)出。

此外，碳化硅襯底及外延片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)線項目正在建設(shè)中。

●晶盛機電：已建8吋SiC襯底試驗線

報告顯示，晶盛機電2023年H1營收84.06億元，同比上升92.37%；凈利潤22.06億元，同比增長82.78%。

晶盛機電產(chǎn)品包括SiC襯底和外延設(shè)備。據(jù)報告顯示，晶盛機電還通過自有籽晶多輪擴徑，成功生長出 8 英寸 N 型SiC晶體，建設(shè)了 8 英寸SiC襯底研發(fā)試驗線。

上半年，晶盛機電6 英寸SiC外延設(shè)備實現(xiàn)批量銷售且訂單量快速增長，成功開發(fā)具有國際先進水平的 8 英寸單片式SiC外延生長設(shè)備。

SiC器件/模塊：華潤微、士蘭微、中芯、斯達、中車、揚杰、納芯微

2023上半年，華潤微、士蘭微、中芯集成、斯達半導(dǎo)體、中車時代、揚杰科技和納芯微等SiC器件/模塊企業(yè)成績單請看下表：

●華潤微：SiC/GaN收入增長3.6倍

報告顯示，華潤微2023年H1營收50.30億元，同比下降2.25%；凈利潤7.78億元，同比下降42.57%。

在報告期內(nèi)，SiC和GaN功率器件銷售收入同比增長約 3.6 倍，碳化硅 JBS G3 較 G2 平臺電流密度預(yù)計提升 10%，碳化硅 MOS 性能對標國際一流，持續(xù)豐富 G1、G2 平臺產(chǎn)品系列化，助力碳化硅 MOS 在新能源汽車、光伏儲能、工業(yè)電源等領(lǐng)域多個客戶規(guī)模上量。

此外，碳化硅 MOS 上半年月度銷售額持續(xù)攀升，在SiC功率器件銷售中的比例逐步提升至50%以上，與此同時，車規(guī)級 SiC MOS、SiC 模塊研發(fā)以及 HPD 預(yù)研工作正在有序推進。

氮化鎵方面，華潤微在通訊、工控、照明和快充領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)近10家行業(yè)頭部客戶合作。針對工控和通訊領(lǐng)域的氮化鎵三代產(chǎn)品芯片能量密度明顯提升，封裝體明顯減小，開發(fā)工作有序推進。另外，氮化鎵 8 吋工藝及產(chǎn)品平臺研發(fā)已實現(xiàn)全流程通線，靜態(tài)電性等符合預(yù)期。

●士蘭微：主驅(qū)SiC MOSQ3交付、產(chǎn)能年底6000片/月

報告顯示，士蘭微2023年H1營收44.76億元，同比增長6.95%；凈利潤-0.41億元，同比下降106.88%。

報告期內(nèi)，士蘭微用于光伏的 IGBT 器件（單管）、逆變控制模塊、SiC MOS 器件實現(xiàn)批量出貨。此外，士蘭微已完成第二代平面柵 SiC-MOSFET 技術(shù)的開發(fā)，性能指標達到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進水平。基于公司自主研發(fā)的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生產(chǎn)的電動汽車主電機驅(qū)動模塊，已通過部分客戶測試，爭取在今年三季度實現(xiàn)批量生產(chǎn)和交付。

2023 年上半年，士蘭微加快推進“士蘭明鎵 SiC 功率器件芯片生產(chǎn)線”項目的建設(shè)。截至目前，士蘭明鎵已形成月產(chǎn)3000片6 英寸 SiC 芯片的生產(chǎn)能力，預(yù)計2023 年年底將形成月產(chǎn)6000片6 英寸 SiC 芯片（SiC MOSFET 和 SiC SBD）的生產(chǎn)能力。

●中芯集成：車規(guī)級SiC MOS產(chǎn)能2000片/月

報告顯示，中芯集成2023年H1營收25.20億元，同比上升24.09%；凈利潤-11.09億元。

經(jīng)過兩年的研發(fā)和可靠性驗證，中芯集成SiC MOSFET 技術(shù)研發(fā)已完成工藝平臺搭建，并已完成全系列產(chǎn)品參數(shù)及可靠性認定，用于新能源汽車主驅(qū)逆變的 SiC MOSFET 已實現(xiàn)批量生產(chǎn)(2000片/月)和裝車，產(chǎn)能利用率超過 90%，接下來還將進一步擴大量產(chǎn)規(guī)模。

8月31日，中芯集成發(fā)布公告，公司擬投資設(shè)立控股子公司——芯聯(lián)動力，主要從事SiC等寬禁帶半導(dǎo)體的工藝研發(fā)、生產(chǎn)及銷售業(yè)務(wù)。其中擬參股方包括多家股權(quán)投資機構(gòu)，包括上汽集團、小鵬汽車、寧德時代、立訊精密、陽光電源、瑤芯微等多家新能源（包括汽車與能源）企業(yè)及其下屬產(chǎn)業(yè)投資機構(gòu)。

●斯達半導(dǎo)體：新增多個主驅(qū)SiC模塊定點

報告顯示，斯達半導(dǎo)2023年H1營收16.88億元，同比上漲46.25 %。凈利潤4.30億元，同比增長24.06%。

上半年，使用斯達半導(dǎo)自主 SiC MOSFET 芯片的車規(guī)級 SiC MOSFET 模塊在主電機控制器客戶完成驗證并開始小批量出貨。

同時新增多個使用車規(guī)級 SiC MOSFET 模塊的 800V 系統(tǒng)的主電機控制器項目定點，這將對斯達半導(dǎo) 2024-2030年主控制器用車規(guī)級 SiC MOSFET 模塊銷售增長提供持續(xù)推動力。

●中車時代：新能源車用SiC產(chǎn)品持續(xù)驗證

報告顯示，中車時代半導(dǎo)體2023年H1營收85.70億元，同比增長31.31 %；凈利潤11.54億元，同比上升32.52%。

報告期內(nèi)，中車時代開發(fā)了高性能、高可靠的750V-3300V的 SiC 器件，產(chǎn)品批量應(yīng)用于機車、動車、城軌、柔性輸電、礦用變頻、風電、光伏、高端工業(yè)裝備等領(lǐng)域。新能源車用 SiC 產(chǎn)品處于持續(xù)驗證階段，SiC 產(chǎn)線升級改造項目進度正常，SiC 產(chǎn)品開發(fā)加速推進。

此外，中車時代還構(gòu)建了全套特色先進碳化硅工藝技術(shù)的 4 英寸及 6 英寸兼容的專業(yè)碳化硅芯片制造平臺；完成基于 SiC 半導(dǎo)體功率器件輔助變流器樣機（180kVA）的研制，并著手研制250 kW高壓大功率碳化硅油冷電驅(qū)總成。

●揚杰科技：1200V SiC MOS累計出貨超1kk，主驅(qū)碳化硅模塊25年上車

報告顯示，揚杰科技2023年H1營收26.25億元，同比下降11.07 %。凈利潤4.11億元，同比下滑30.05%。

2022 年開始，揚杰科技陸續(xù)完成1200V 17-240mohm、650V 20-120mohm SiC MOSFET 產(chǎn)品開發(fā)上市，1200V MOS 平臺的比導(dǎo)通電阻（RSP）做到 3.5mΩ.cm2 以下，F(xiàn)OM 值達到 3300mΩ.nC 以下，目前累計出貨量已突破1kk。

車載模塊方面，自主開發(fā)的 HPD 以及 DCM 全碳化硅主驅(qū)模塊將在今年完成 A 樣試制，目前已經(jīng)獲得多家Tier1 和終端車企的測試及合作意向，計劃于 2025 年完成全國產(chǎn)主驅(qū)碳化硅模塊的批量上車。

● 納芯微：推出SiC 二極管、SiC MOSFET

報告顯示，納芯微2023年H1營收7.24億元，同比下降8.80 %；凈利潤-1.32億元，同比下降167.48%。

報告期內(nèi)，納芯微推出了首款 SiC 二極管系列新品并全面送樣。除 SiC 二極管產(chǎn)品外，公司也在積極研發(fā)和驗證 1200V SiC MOSFET 產(chǎn)品。

在第三代半導(dǎo)體技術(shù)方面，納芯微利用SiC材料，實現(xiàn)大功率開關(guān)管及二極管等功率器件應(yīng)用。SiC二極管基于混合式 PIN-肖特基二極管技術(shù)，推出了 1200V系列產(chǎn)品，可實現(xiàn)超低導(dǎo)通電壓<1.4V,極低的反向漏電流 uA 級，額定電流 10 倍以上的抗浪涌電流能力；SiC MOSFET 器件基于平面柵工藝，推出新一代自對準高電流密度產(chǎn)品，可實現(xiàn)優(yōu)異的比導(dǎo)通電阻參數(shù)<4mohm2，損耗更低，同時兼容 15V/18V 驅(qū)動電壓。

SiC設(shè)備：北方華創(chuàng)、晶升、連城、高測營收、利潤大幅增長

2023年上半年，北方華創(chuàng)、高測股份、連城數(shù)控與晶升股份4家SiC設(shè)備企業(yè)營收增長迅速，凈利潤也大幅上升，詳見下表：

●北方華創(chuàng)：外延設(shè)備累計出貨1000腔

報告顯示，北方華創(chuàng)2023年H1營收為84.27億元，同比增長54.79 %；凈利潤17.99億元，同比上升138.43%。

北方華創(chuàng)憑借20余年在半導(dǎo)體裝備領(lǐng)域的成熟經(jīng)驗，可為碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈提供長晶、外延、刻蝕、薄膜、高溫氧化/激活等多種核心工藝設(shè)備，且已實現(xiàn)批量應(yīng)用，為客戶技術(shù)創(chuàng)新及迭代打造全面裝備解決方案。

外延設(shè)備方面，北方華創(chuàng)已發(fā)布包括8英寸及以下的單片及多片大產(chǎn)能硅外延設(shè)備、12英寸硅外延設(shè)備、4/6/8英寸碳化硅外延設(shè)備、8英寸及以下單片及多片大產(chǎn)能硅基氮化鎵外延設(shè)備，共發(fā)布20余款量產(chǎn)型外延設(shè)備，累計出貨近1000腔。

●高測股份：8寸SiC切片機設(shè)備訂單9臺

報告顯示，高測股份2023年H1營收25.21億元，同比增長88.80%；凈利潤7.14億元，同比上升201.27%。

2022年他們推出的碳化硅金剛線切片機和碳化硅專用金剛線已形成批量銷售，2022年底行業(yè)內(nèi)首次推出了GC-SCDW8300型碳化硅金剛線切片機，可兼容8寸和6寸碳化硅晶片的切割需求。目前，該8寸碳化硅金剛線切片機設(shè)備已簽訂訂單9臺，并已經(jīng)在頭部客戶實現(xiàn)試用，受到客戶一致認可。

●連城數(shù)控：液相法長晶爐獲數(shù)臺訂單

報告顯示，連城數(shù)控2023年H1營收18.91億元，同比增長55.16 %；凈利潤2.33億元，同比上升30.35%。

2023 年上半年，連城數(shù)控技術(shù)研發(fā)成果包括創(chuàng)新推出單晶爐設(shè)備“一鍵拉晶”系統(tǒng)、液相法碳化硅長晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺訂單、碳化硅立式感應(yīng)合成爐科研成果通過專家團鑒定等。

截至2023年6月末，該公司設(shè)備類產(chǎn)品在手訂單90.06億元左右，其中晶體生長及加工設(shè)備訂單77.94億元。

● 晶升股份：8英寸碳化硅長晶設(shè)備已實現(xiàn)交付

報告顯示，晶升股份2023年H1營收1.14億元，同比增長75.79 %；凈利潤0.15億元，同比上升447.17%

報告期內(nèi)，晶升股份開展了多個SiC設(shè)備在研項目，包括8英寸碳化硅單晶爐改進、碳化硅單晶爐自動化系統(tǒng)開發(fā)、電阻爐大尺寸碳化硅單晶生長工藝研究、碳化硅原料合成工藝優(yōu)化、多片式碳化硅外延設(shè)備開發(fā)等。

晶升股份宣布其在7月初已向多家客戶交付了8英寸碳化硅長晶設(shè)備，部分客戶已經(jīng)取得了一定的研發(fā)成果，并正在不斷優(yōu)化工藝制程。