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幾年前,設(shè)計(jì)人員主要依靠基礎(chǔ)資料手冊(cè)和自己掌握的知識(shí)來(lái)選擇元件,并將元件整合到設(shè)計(jì)中。如今,許多半導(dǎo)體公司已經(jīng)認(rèn)識(shí)到,為了在越來(lái)越短的時(shí)間期限內(nèi)將復(fù)雜設(shè)計(jì)推向市場(chǎng),設(shè)計(jì)人員承受著巨大的壓力,因此現(xiàn)在需要建立完整的設(shè)計(jì)支持工具生態(tài)系統(tǒng),助設(shè)計(jì)人員一臂之力。根據(jù)所涉及的技術(shù)和制造商,支持工具可能包括評(píng)估板/套件、SPICE 模型和仿真工具、參考設(shè)計(jì)、選型指南、應(yīng)用手冊(cè)以及其他有價(jià)值的資料。當(dāng)然,新技術(shù)的成熟及其生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)大都需要時(shí)間。大概是因?yàn)樘蓟?(SiC)廣泛用于可再生能源和電動(dòng)汽車等新興的大功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,許多人仍然將 SiC 視為一種“新”技術(shù),并且認(rèn)為其支持生態(tài)系統(tǒng)很不完善。
01SiC 產(chǎn)品組合對(duì)任何生態(tài)系統(tǒng)而言,起初最關(guān)鍵的是有多少可用的產(chǎn)品組合。許多人認(rèn)為,SiC 產(chǎn)品僅限于 MOSFET 和二極管??焖贋g覽一下安森美 (onsemi) 的 EliteSiC 產(chǎn)品線,就會(huì)發(fā)現(xiàn)它有 120 多款各種類型的二極管,工作電壓最高可達(dá) 1,700 V。此外,還有 100 多款 650 V、900 V 和 1,200 V SiC MOSFET,以及 30 多款基于安森美自有 SiC MOSFET 和二極管的功率集成模塊 (PIM)。產(chǎn)品線中還包括其他器件,例如至關(guān)重要的柵極驅(qū)動(dòng)器(如 NCP51705),用于確保 SiC 器件正常運(yùn)行并發(fā)揮理想性能。
圖 2:如何選擇 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具
03物料和供應(yīng)鏈構(gòu)建 SiC 器件可能很有挑戰(zhàn)性,特別是要保持充分的過(guò)程控制以確保高可靠性。只有對(duì)晶圓和產(chǎn)品進(jìn)行全面認(rèn)證,結(jié)合有效的故障分析技術(shù)充分理解故障模式,并落實(shí)糾正措施計(jì)劃,才能避免出現(xiàn)問(wèn)題。安森美基于縝密的設(shè)計(jì)方法、嚴(yán)格的生產(chǎn)監(jiān)控、制造控制、適當(dāng)?shù)暮Y選和穩(wěn)健的認(rèn)證,開(kāi)發(fā)了一套全面的跨功能方法來(lái)評(píng)估旗下的 SiC 產(chǎn)品,只有通過(guò)評(píng)估之后才會(huì)將產(chǎn)品投放市場(chǎng)。隨著汽車和可再生能源等利用 SiC 技術(shù)的主要應(yīng)用的增長(zhǎng),人們開(kāi)始擔(dān)憂 SiC 產(chǎn)品的供貨問(wèn)題。這種擔(dān)憂似乎是基于一個(gè)誤解,即 SiC 產(chǎn)品難以制造,產(chǎn)能有限。造成這種問(wèn)題的原因之一在于,SiC 產(chǎn)品制造是一個(gè)多階段過(guò)程,通常由不同公司負(fù)責(zé)不同階段。然而,安森美是一家具備 SiC 及相關(guān)方案端到端供應(yīng)能力的大型供應(yīng)商。在美國(guó)新罕布什爾州,制造過(guò)程從生長(zhǎng)單晶 SiC 材料開(kāi)始,然后生產(chǎn)晶圓襯底,接著生長(zhǎng)薄外延層,之后是若干器件加工步驟,最后是封裝產(chǎn)品。安森美的整個(gè)制造過(guò)程采用端到端垂直整合的模式,每個(gè)步驟都要進(jìn)行詳盡的可靠性和質(zhì)量測(cè)試,以確保產(chǎn)品幾乎零缺陷。
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原文標(biāo)題:碳化硅生態(tài)系統(tǒng)走向成熟,這三點(diǎn)必須要考慮
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