近期，三安半導(dǎo)體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導(dǎo)體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導(dǎo)體表示，展會(huì)上有多家重要客戶在詳細(xì)詢問三安半導(dǎo)體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認(rèn)采購意向。

湖南三安半導(dǎo)體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務(wù)涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導(dǎo)體功率芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造及服務(wù)，目前建立具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導(dǎo)體是三安光電在SiC領(lǐng)域布局的重點(diǎn)項(xiàng)目。

從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗(yàn)證，并實(shí)現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應(yīng)已基本鎖定。此外，三安已簽署的碳化硅MOSFET長期采購協(xié)議總金額超70億元，另有幾家新能源汽車客戶的合作意向在跟進(jìn)。

值得注意的是，湖南三安與理想合資成立的規(guī)劃年產(chǎn)240萬只碳化硅半橋功率模塊蘇州斯科半導(dǎo)體，已完成動(dòng)力設(shè)備安裝、調(diào)試，待產(chǎn)線通線后進(jìn)入試生產(chǎn)。

今年6月，三安光電宣布與意法半導(dǎo)體在重慶成立合資公司，雙方將攜手新建一座8英寸碳化硅器件制造廠。據(jù)悉，該工廠全部建設(shè)總額預(yù)計(jì)約達(dá)32億美元，計(jì)劃于2025年第四季度開始生產(chǎn)，2028年全面建廠，將采用ST的碳化硅專利制造工藝技術(shù)生產(chǎn)碳化硅器件，湖南三安持股比例為51%，意法半導(dǎo)體持股比例為49%。

加速8英寸布局

化合物半導(dǎo)體市場對(duì)國內(nèi)主流SiC企業(yè)的8英寸襯底進(jìn)度進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)，除了三安光電之外，目前國內(nèi)在研發(fā)8英寸襯底的企業(yè)及機(jī)構(gòu)還有爍科晶體、晶盛機(jī)電、天岳先進(jìn)、南砂晶圓、同光股份、中科院物理所、山東大學(xué)、天科合達(dá)、科友半導(dǎo)體、乾晶半導(dǎo)體等。其中爍科晶體、天科合達(dá)以及晶盛機(jī)電相對(duì)來說進(jìn)度比較快。

襯底之外，外延企業(yè)也在加速建設(shè)8英寸產(chǎn)能，東莞天域計(jì)劃購置94.7 畝地用于建設(shè)SiC外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，用于SiC外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸SiC外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。此外，瀚天天成位于同翔高新城的SiC產(chǎn)業(yè)園的三期項(xiàng)目也極有可能是定位8英寸SiC外延，這兩家企業(yè)目前都在IPO階段。

總體而言，隨著三安光電8英寸襯底的發(fā)布，SiC市場會(huì)越來越熱鬧，競爭也會(huì)越來越激烈，從長期來看，這有助于產(chǎn)業(yè)整體的發(fā)展，至于最后哪些企業(yè)能夠突圍而出，這個(gè)只能騎驢看唱本。

編輯：黃飛