。 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的控制信號(hào)主要是電壓信號(hào),具體來(lái)說(shuō)是施加在IGBT柵極(G)和發(fā)射極(E)之間的電壓。
發(fā)表于 08-14 16:42
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),即絕緣柵雙極型晶體管,是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開(kāi)關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物
發(fā)表于 08-08 09:46
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IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形往前跑,通常是指在焊接過(guò)程中,IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)異常,導(dǎo)致焊接效果不理想。這種現(xiàn)象可能是由多種原因引起的,需要對(duì)
發(fā)表于 08-07 16:03
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和使用壽命。 IGBT功率管發(fā)熱的基本原理 IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)型功率半導(dǎo)體器件,其工作原理是利用柵極
發(fā)表于 08-07 15:40
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。在IGBT的應(yīng)用中,柵極和集電極并聯(lián)電容
發(fā)表于 08-07 15:33
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柵極驅(qū)動(dòng)的參數(shù)要求和驅(qū)動(dòng)條件。 一、IGBT柵極驅(qū)動(dòng)概述 IGBT是一種集MOSFET和雙極型晶體管(BJT)優(yōu)點(diǎn)于一身的復(fù)合型功率半導(dǎo)體器件
發(fā)表于 07-25 10:48
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性能的影響。 驅(qū)動(dòng)電壓 驅(qū)動(dòng)電壓是IGBT驅(qū)動(dòng)波形中最基本的參數(shù)之一,它決定了IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。驅(qū)動(dòng)
發(fā)表于 07-25 10:40
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振蕩的原因 寄生參數(shù)的影響 寄生電容 :IGBT的寄生電容包括柵極-發(fā)射極電容(C_{GE})、柵極-集電極電容(C_{GC})和發(fā)射極-集
發(fā)表于 07-25 10:38
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)是一種功率電子器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和快速開(kāi)關(guān)特性。IGBT焊機(jī)利用IGBT器件的這些特性,通過(guò)精確控制電流和電壓,實(shí)現(xiàn)對(duì)焊接過(guò)
發(fā)表于 07-25 10:37
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電阻的作用 IGBT柵極電阻是連接柵極驅(qū)動(dòng)電路和IGBT的電阻,其主要作用如下: 1.1 限制柵極電流
發(fā)表于 07-25 10:34
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IGBT的正常工作至關(guān)重要。 IGBT的工作原理 IGBT是一種三端子器件,包括柵極(Gate)、集電極(Collector)和發(fā)射極(Em
發(fā)表于 07-25 10:28
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IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電壓是一個(gè)非常重要的參數(shù),它直接影
發(fā)表于 07-25 10:24
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IGBT的工作原理和結(jié)構(gòu) IGBT是一種三端子功率半導(dǎo)體器件,由N型外延層、P型襯底、N型緩沖層、P型集電區(qū)、N型發(fā)射區(qū)、柵極和發(fā)射極組成。IGBT
發(fā)表于 07-25 10:16
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逆變器等。 一、IGBT模塊 IGBT模塊定義 IGBT模塊是一種由多個(gè)IGBT芯片組成的電力電子器件,具有高
發(fā)表于 07-25 09:15
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IGBT等功率電子器件在工作中,由于自身的功率損耗,將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè),一是功率
發(fā)表于 07-19 11:21
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評(píng)論