概述
PT32L033在非掉電低功耗的性能上充分為血糖/尿酸計(jì)的產(chǎn)品使用周期保駕護(hù)航,一顆紐扣電池至少能保障儀器正常工作3年。本文針對(duì)PT32L033在低功耗方面的軟硬件配置進(jìn)行闡述。
表1. PT32L033在超低功耗上的性能參數(shù)
PT32L033有兩種工作模式,正常工作模式以及低功耗模式,其中低功耗模式根據(jù)休眠的程度又分為普通休眠低功耗模式和深度休眠低功耗模式。
? 普通休眠
Cortex?-M0內(nèi)核停止,但包括Cortex-M0核心的外設(shè)在內(nèi)的所有外設(shè),如NVIC、SysTick等仍在運(yùn)行,F(xiàn)LASH無法訪問。
? 深度休眠
除LSI外的所有時(shí)鐘均已停止工作,相關(guān)的片內(nèi)電源以及外設(shè)被強(qiáng)制關(guān)閉。
此外,在正常工作模式下,還可以通過以下方式降低功耗:
① 失能未被使用的時(shí)鐘源
② 失能未被使用但已被使能的外設(shè)
③ 將不使用的GPIO配置為輸入同時(shí)做下拉處理
1、低 功 耗
1.1.1 低功耗功能
使用ARM Cortex-M0的Wait for Interrupt (WFI)和wait for Event (WFE)兩條指令可以使芯片進(jìn)入休眠模式或深度睡眠模式。當(dāng)執(zhí)行WFI或WFE指令后,芯片進(jìn)入哪種低功耗模式,由系統(tǒng)控制寄存器(SCR)的SLP位決定,具體請(qǐng)參考下文關(guān)于系統(tǒng)寄存器(SCR)的描述。
注 WFI和WFE區(qū)別:執(zhí)行WFI指令后,內(nèi)核會(huì)立即進(jìn)入低功耗模式,直到 WFI的喚醒源發(fā)生。而WFE則稍微不同,執(zhí)行WFE指令后,內(nèi)核會(huì)根據(jù)Event Register的狀態(tài)來決定是否進(jìn)入低功耗,如果Event Register為1,該指令會(huì)把它清零,然后執(zhí)行完成(此時(shí)不會(huì)進(jìn)入低功耗模式);如果Event Register為0,和WFI類似,進(jìn)入低功耗模式,直到有WFE Wakeup events發(fā)生。
普通休眠模式可以通過以下方式喚醒:
① 外部復(fù)位
② 調(diào)試模式請(qǐng)求
③ 所有使能的中斷源(WFI)或者事件喚醒(WFE)
深度休眠模式可以通過以下方式喚醒:
① 外部復(fù)位
② 外部中斷(GPIO的電平中斷以及雙邊沿中斷)
③ 內(nèi)部中斷或事件(低功耗定時(shí)器中斷(事件),獨(dú)立看門狗中斷(事件),比較器中斷(事件),RTC中斷(事件))
④ 調(diào)試模式請(qǐng)求
1.1.2 低功耗寄存器概述
PT32L033進(jìn)入低功耗模式主要配置內(nèi)核系統(tǒng)控制寄存器同時(shí)配合WFI或WFE指令實(shí)現(xiàn)。
SCR(地址:0x E000_ED10)
2、編程示例
2.1.1 示例概述
本示例以血糖儀Demo為載體,針對(duì)進(jìn)入深度休眠在軟件編寫方面的一些注意事項(xiàng)提供參考。本示例正常使用到的外設(shè)有:LCD、RTC(使用外部crystal)、DAC(使用內(nèi)部參考)、ADC等關(guān)鍵外設(shè)資源,而這些外設(shè)除了RTC在低功耗模式下正常使用之外,其他外設(shè)均不工作,本示例使用事件喚醒的休眠方式(WFE)。
2.1.2 注意事項(xiàng)
超低設(shè)計(jì)注意事項(xiàng):
? PB9管腳由于作為Crystal_OUT管腳內(nèi)部存在下拉反饋電阻,因此休眠過程不能存在外部或者內(nèi)部上拉電阻導(dǎo)致漏電;
? 超低功耗模式下,不相關(guān)的模擬外設(shè)軟件需要主動(dòng)關(guān)閉,比如內(nèi)部2V參考以及OPA;
? 超低功耗模式下,不相關(guān)的引腳復(fù)用功能全部清除并且軟件做下拉處理;
? WFE為事件喚醒方式,那么只需要配置NVIC以及中斷類型(無需響應(yīng)中斷)即可產(chǎn)生喚醒;如配置為WFI中斷喚醒方式,那么需要使能中斷(需要響應(yīng)中斷)才可產(chǎn)生喚醒;
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