1、純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素，呈晶體結(jié)構(gòu)，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。

2、半導(dǎo)體有電子導(dǎo)電和空穴導(dǎo)電兩種形式。

3、硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物和硫化物都是半導(dǎo)體。

4、本征半導(dǎo)體內(nèi)部電子和空穴的數(shù)量在任何情況下總是相等的。

5、摻雜是指在本征半導(dǎo)體中摻進(jìn)一定類型和數(shù)量的其它元素（五價(jià)元素或三價(jià)元素）。

6、半導(dǎo)體摻雜的目的是改善導(dǎo)電能力，即摻雜后使半導(dǎo)體在原有“電子-空穴對(duì)”的基礎(chǔ)上，增加大量的電子或空穴。

7、P型半導(dǎo)體中的空穴多，N型半導(dǎo)體中的電子多。

8、PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的方向?yàn)橛蒒區(qū)的正電荷區(qū)指向P區(qū)的負(fù)電荷區(qū)。

9、半導(dǎo)體內(nèi)部的“電子-空穴對(duì)”會(huì)隨外界溫度升高或光照強(qiáng)度增加而明顯增加，使導(dǎo)電能力增強(qiáng)。

10、絕對(duì)零度時(shí)，“電子-空穴對(duì)”消失，半導(dǎo)體失去導(dǎo)電能力，相當(dāng)于絕緣體。

11、在純凈的半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)，半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力將成萬(wàn)倍增加。

12、在同樣的PN結(jié)面積條件下，硅管允許通過(guò)的電流比鍺管大，所以大功率二極管都用硅制造。

13、二極管的主要特性是單向?qū)щ娦?，?dāng)陽(yáng)極處于高電位，陰極處于低電位時(shí)，二極管正向?qū)?，即處于低阻狀態(tài)。當(dāng)陽(yáng)極處于低電位，陰極處于高電位時(shí)，二極管反向截止，即處于高阻狀態(tài)。

14、二極管由截止進(jìn)入到導(dǎo)通所需的電壓稱二極管的閥電壓，一般鍺二極管在0.2V左右，硅二極管在0.5V左右。

15、二極管一經(jīng)擊穿，便不能再恢復(fù)其單向?qū)щ娦浴?/p>

16、最高反向工作電壓是指二極管不被擊穿所允許的最高反向電壓，一般規(guī)定最高反向工作電壓為反向擊穿電壓的1/2～1/3。

17、二極管溫度升高時(shí)，正、反向電流增大，閥電壓降低、反向擊穿電壓降低。

18、二極管使用中電流不能超過(guò)最大正向電流，電壓不能超過(guò)最高反向工作電壓（峰值），否則會(huì)損壞。

19、二極管焊接時(shí)宜使用45W以下的電烙鐵，并且焊接速度要快，否則二極管會(huì)因過(guò)熱而損壞。

20、二極管的正向電阻值一般在幾十歐到幾百歐之間，反向電阻的阻值應(yīng)在幾百千歐以上。

21、如果測(cè)量二極管正、反向阻值都很小，接近零歐姆，說(shuō)明二極管內(nèi)部擊穿或已短路；反之，如阻值都很大，接近無(wú)窮，說(shuō)明內(nèi)部已斷路。

22、用萬(wàn)用表測(cè)量二極管時(shí)不能用Rx10k擋，因?yàn)槿f(wàn)用表高阻檔使用的電池電壓高，超過(guò)了某些檢波二極管的最高反向電壓，會(huì)將二極管擊穿；測(cè)量時(shí)一般也不用Rx1或Rx10檔，因?yàn)闅W姆表的內(nèi)阻很小，和二極管正向連接時(shí)電流很大，容易把二極管燒壞。

22、三極管的三個(gè)電極分別稱為發(fā)射極(e)、基極 (b)和集電極(c)。

23、三極管的主要功能是放大作用，根據(jù)不同需要，可組成電流放大、電壓放大、功率放大、直流放大等不同電路。

24、三極管加上工作電壓后有三個(gè)電流通過(guò)三極管，即發(fā)射極電流、基極電流和集電極電流。發(fā)射極電流等于基極電流和集電極電流之和。

25、三極管的電流放大作用是指當(dāng)基極電流有微小變化時(shí)，集電極電流相應(yīng)有一較大的變化。

26、當(dāng)三極管受熱而引起的參數(shù)變化不超過(guò)允許值時(shí)，集電極所消耗的最大功率稱為集電極最大允許耗散功率P CM 。

27、用萬(wàn)用表的黑筆(表內(nèi)電池的正極)接到基極，用紅筆分別測(cè)三極管另外兩個(gè)電極。如測(cè)得的電阻都很大，則該管為PNP型；如測(cè)得的電阻均較小，則該管為NPN型。

28、溫度對(duì)三極管的參數(shù)有很大影響，溫度上升，則放大倍數(shù)β增大。

29、可控硅有三個(gè)電極，分別稱為陽(yáng)極(A)、陰極(K)和控制極(門極)(G)。

30、用萬(wàn)用表測(cè)量可控硅陽(yáng)極與陰極之間和陽(yáng)極與控制極之間的正、反向電阻，正常值都應(yīng)在幾百千歐以上。

31、可控硅導(dǎo)通的條件，除具有足夠大的正向電源以外，還必須在控制極與陰極基之間施加一個(gè)足夠大的正向觸發(fā)電壓(稱觸發(fā)信號(hào))。

32、可控硅一經(jīng)導(dǎo)通，它的導(dǎo)通狀態(tài)完全依靠自身的正反饋?zhàn)饔脕?lái)維持，即使控制極電流IG消失，可控硅仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。

33、基本邏輯門電路有與門、或門和非門。

34、與門電路的邏輯功能為：輸入有0，輸出為0；輸入全1，輸出為1。

35、或門電路的邏輯功能為：輸入有1，輸出為1；輸入全0，輸出為0。

36、非門電路的邏輯功能為：輸入為0，輸出為1；輸入為1，輸出為0。