Nexperia(安世半導體)的高功率氮化鎵場效應晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。

從產(chǎn)品概念和設計到制造和銷售，把握好最小的細節(jié)才能助力全球最嚴苛的行業(yè)實現(xiàn)質(zhì)量和效率雙贏。Nexperia(安世半導體)成功的關鍵是，我們始終致力于滿足甚至超越客戶所期望的嚴格質(zhì)量標準，這種要求嚴格的質(zhì)量標準同樣會應用到我們功率氮化鎵場效應晶體管的研發(fā)中。

安世半導體的產(chǎn)品基于久經(jīng)考驗的零缺陷、六希格瑪和安全量產(chǎn)流程，滿足國際公認的質(zhì)量標準(ISO 9000)、環(huán)境標準(ISO 14001)、健康和安全標準(ISO 45001 / OHSAS 18001)或特定行業(yè)標準(IATF 16949)要求，從而我們所有客戶都能從中受益。我們擁有自有化的晶圓加工和封裝工廠，可嚴格控制每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)，我們的氮化鎵場效應晶體管也將提供與 Nexperia 其它產(chǎn)品相同水平的服務和支持。

任何新技術都需要提高可信度，因此我們在研發(fā)氮化鎵場效應晶體管時，也做了應用和技術方面特有的質(zhì)量和可靠性測試。買元器件現(xiàn)貨上唯樣商城!

硅基氮化鎵(GaN-on-Si)：

用一種封裝實現(xiàn)高功率和高效率

電源轉換效率是推動電力電子發(fā)展的重要因素，但功率密度和效率之間通常需要權衡。

對于高效率和高功率密度的要求，650 V 的硅基氮化鎵場效應晶體管是理想的解決方案。它允許在高電壓和 大電流下進行高頻開關操作。極低的開關品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x QGD)和反向恢復電荷(Qrr)可使器件工作在高頻 以降低系統(tǒng)功耗，實現(xiàn)高效率的功率轉換。

在相同的測試電路中，與硅器件相比，反向恢復損耗低。

硅基氮化鎵：顛覆性工藝

與硅(Si)相比，III-V 化合物半導體，比如 GaN，通常具有性能優(yōu)勢。例如，GaN 物理性能穩(wěn)定，帶隙寬，具有耐高溫性和 相當?shù)膶嵝?。但是，III-V 半導體的加工成本往往更高。在大尺寸的硅基片上生成較厚的 GaN 外延層是近期才取得的 一項技術突破。它可以在現(xiàn)有的 8 寸晶圓廠加工制造，在功率應用中將晶圓成本降低到具有競爭力的水平。

審核編輯：湯梓紅