近日， EEPW 《電子產品世界》值創(chuàng)辦30周年之際，頒布了“影響中國電子30年時代之光評選”獲獎名單。安世半導體憑碳化硅肖特基二極管Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode斬獲了「十大劃時代半導體產品獎功率器件類」，展現(xiàn)了其作為基礎半導體領域全球領導者的創(chuàng)新能力與強大實力。

“十大劃時代半導體產品獎”是 EEPW 舉辦的“影響中國電子產業(yè)30年時代之光”系列評選活動之一，旨在重點回顧過去三十年間中國電子信息產業(yè)具有劃時代意義的產品。安世半導體的該獲獎器件采用合并 PIN（MPS）技術，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關模式電源、AC-DC 和 DC-DC 轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能。

產品優(yōu)勢

PSC1065K 碳化硅肖特基二極管結合了寬禁帶半導體材料（碳化硅）的優(yōu)點和 MPS 器件結構及其“薄型 SiC ”技術帶來的額外優(yōu)勢，具備不受溫度影響的電容開關和零恢復性能，提供先進的性能以及出色的品質因數(shù)（QC x VF)。其突出的開關性能幾乎不受電流和開關速度變化的影響。

合并PIN肖特基（MPS）二極管通過在制造過程中降低芯片厚度而進一步提高其性能，并具備其他優(yōu)勢，例如出色的浪涌電流耐受能力，從而無需額外的保護電路。這些特性可顯著降低系統(tǒng)復雜性，使硬件設計人員能夠在耐用型高功率應用中，以更小的外形尺寸實現(xiàn)更高的效率。

這款 SiC 肖特基二極管采用真2引腳（R2P） TO - 220-2通孔電源塑料封裝。其他封裝選項包括表面貼裝（DPAK R2P and D2PAK R2P）和采用真2引腳配置的通孔（TO-247-2）封裝，可在高達175 °C 的高壓應用中增強可靠性。

Nexperia（安世半導體）計劃不斷增加其 SiC 二極管產品組合，包括工作電壓為650 V 和1200 V、電流范圍為6-20 A 的和車規(guī)級器件。

審核編輯：劉清