電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）9月26日，在“中國芯·存未來”2023存儲產業(yè)趨勢峰會上，專注于推進存儲技術創(chuàng)新發(fā)展的英韌科技宣布，旗下PCIe 5.0 SSD控制器YR S900已正式量產，系首款量產的PCIe 5.0企業(yè)級國產主控，也是全球首批量產的PCIe 5.0 SSD控制器。

根據(jù)英韌科技董事長吳子寧的介紹，英韌科技YR S900采用RISC-V架構，產品各項性能達到國際領先水平，是英韌科技第八顆量產的主控芯片。

英韌科技董事長吳子寧

英韌科技YR S900實力強勁

SSD控制器是固態(tài)硬盤里面的核心器件，被稱為固態(tài)硬盤里面的CPU，承擔著指揮、調度、運算和保護的作用。因此，一款主控芯片的好壞直接決定了固態(tài)硬盤的性能水平。

目前主流的SSD控制器架構包含與Host對接的界面(Host interface)、閃存轉換層FTL以及閃存對接界面(Flash interface)三部分，其中Host interface采用的協(xié)議包括SATA、PCIe/NVMe等，隨著大數(shù)據(jù)傳輸和存儲體量的爆炸式增長，PCIe/NVMe協(xié)議的優(yōu)勢已經愈發(fā)明顯。

當前，存儲產業(yè)仍以PCIe 3.0和PCIe 4.0協(xié)議為主，不過隨著PCIe 5.0協(xié)議SSD控制器陸續(xù)面世，產業(yè)已經來到了PCIe 5.0協(xié)議爆發(fā)的前夜。

作為國內首顆、全球首批量產的PCIe 5.0企業(yè)級主控，英韌科技YR S900將SSD控制器帶到了一個全新的性能水平。根據(jù)吳子寧的介紹，YR S900采用4通道PCIe 5.0接口，支持NVMe 2.0，充分發(fā)揮PCIe 5.0的帶寬優(yōu)勢：
·順序讀取速度高達14GB/s
·順序寫入速度高達12GB/s
·4K隨機讀速度可達3.5M IOPs
·4K隨機寫速度可達2.5M IOPs


這是一個巨大的性能飛躍，目前支持PCIe 4.0協(xié)議的SSD控制器最大順序讀取速度基本在7.5GB/s左右，最大順序寫入速度基本在6.5GB/s左右，英韌科技YR S900帶來了近乎翻倍的性能提升。這里需要特別指出的是，4通道PCIe 5.0協(xié)議SSD控制器的理論峰值速度為16GB/s。

吳子寧博士指出，和同為國際首批發(fā)布的三星1743等競品相比，英韌科技YR S900無論是在順序讀寫，還是在4K隨機讀寫方面都有明顯的性能優(yōu)勢。

他特別強調，除了讀寫性能有優(yōu)勢以外，英韌科技YR S900在安全性和可靠性方面的優(yōu)勢也很明顯?！坝㈨g科技YR S900支持多種數(shù)據(jù)加密、用戶認證等算法，以及先進的密鑰管理設計，完全適配由分布式管理任務組（DMTF）發(fā)布的安全協(xié)議和數(shù)據(jù)模塊（SPDM）中要求的認證和密鑰管理標準?！?br />
隨著英韌科技RainierPC（全球首批量產的PCIe 4.0 SSD控制器）和YR S900的發(fā)布和量產，英韌科技填補了國內在高端SSD控制器方面的空白，打破了三星等國際廠商對高端SSD控制器的壟斷局面。

同時，英韌科技是長江存儲的X-tacking NAND合作伙伴，全力支持固態(tài)硬盤全國產化方案。英韌科技YR S900高度適配長江存儲顆粒，成為國內高端存儲方案的新選擇，突破了國內企業(yè)級數(shù)據(jù)中心存儲應用領域的技術瓶頸。

采用RISC-V架構等多項創(chuàng)新

我們上面提到，SSD控制器被稱為是固態(tài)硬盤里面的CPU，其產品特性和我們講的傳統(tǒng)意義上的微控制器（MCU）很像，那么內核架構和系統(tǒng)設計便顯得尤為重要。

英韌科技YR S900采用RISC-V多核架構，不僅帶來了更好的控制性能和功耗水平，同時產品自身的IP安全得到了保障。RISC-V架構是在x86架構和ARM架構之外的第三大主流架構，由于沒有歷史包袱，RISC-V架構不需要實現(xiàn)兼顧過往ISA擴展，只需要專注于實現(xiàn)特定功能的增量ISA創(chuàng)新，因此硬件架構和系統(tǒng)都更加簡潔，這是英韌科技YR S900實現(xiàn)高性能和低功耗的關鍵所在。

英韌科技YR S900強調的IP安全主要是因為RISC-V架構具有開源開放的特性。RISC-V架構由總部位于瑞士的RISC-V國際基金會負責運營，不收取高額的授權費，任何人都可以設計、制造和銷售RISC-V芯片和相關的軟件，徹底打破了傳統(tǒng)國際大廠對于處理器架構的壟斷，對于***而言更是有特殊的意義。

吳子寧博士表示，RISC-V國際基金會開放中立的態(tài)度讓RISC-V架構得到了廣泛的支持。過去幾年，RISC-V市場和生態(tài)都在快速成長?！癛ISC-V架構多核多線程的性能特點對于英韌科技打造高性能的SSD控制器非常重要，在產品設計上提供了很大的便利，能夠有豐富的CPU資源供整個芯片系統(tǒng)去分享。另外，RISC-V架構從成立之初就致力于成為一種通用的ISA，能夠和各種資源加速器無縫對接，能夠更好地實現(xiàn)軟硬件結合，做到產品層面的低功耗?！?br />
“另外，英韌科技通過專用的RISC-V內核完成了數(shù)據(jù)安全加密的管控，從而提高了整個固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)安全特性?！眳亲訉幉┦吭诋a品介紹時講到。

從產品介紹信息中記者還發(fā)現(xiàn)，英韌科技YR S900為了實現(xiàn)低功耗還進行了一些系統(tǒng)級的創(chuàng)新，將一些特定的功能固定到芯片上，用硬件去實現(xiàn)，從而減少了軟件運行的負擔，降低產品運行時的功耗。

除了對RISC-V架構的巧妙運用，英韌科技YR S900芯片上的創(chuàng)新還包括總線加速器和自研第三代ECC糾錯引擎。

英韌科技YR S900芯片內部擁有一個創(chuàng)新的總線加速器，用以連接多核RISC-V CPU、NVMe引擎、閃存控制引擎、SRAM和DDR控制器及I/O。能夠看到，這個總線加速器對于SSD控制器內部的主要功能單元都進行了加速，無論是數(shù)據(jù)接入、數(shù)據(jù)緩存，還是數(shù)據(jù)最終存儲到閃存顆粒中，這也是英韌科技YR S900讀寫速度全面領先國際一線大廠的重要原因。

英韌科技YR S900采用該公司自研第三代ECC糾錯引擎，協(xié)同優(yōu)化4K LDPC編解碼及數(shù)字信號處理技術，并結合一種新型的混合自適應糾錯方案，為TLC和QLC NAND提供更強的糾錯能力和更短的數(shù)據(jù)處理延遲，配合鎧俠 XL-FLASH，實測4K隨機讀延時可低至10us。

奔赴大數(shù)據(jù)爆發(fā)的星辰大海

根據(jù)IDC發(fā)布的《IDC：2025年中國將擁有全球最大的數(shù)據(jù)圈》白皮書，2018至2025年全球數(shù)據(jù)規(guī)模將增長5倍以上，從2018年的33ZB增至2025年的175ZB。得益于龐大的人口基數(shù)和物聯(lián)網產業(yè)規(guī)模，中國正在逐步成為全球首位的數(shù)據(jù)大國，預計到2025年中國大數(shù)據(jù)規(guī)模將增至48.6ZB，占全球大數(shù)據(jù)整體的27.8％，排名第一位。

存儲是指將數(shù)據(jù)或信息保存在介質中以便長時間保存并隨時可以讀取的過程，隨著數(shù)據(jù)規(guī)模爆發(fā)式增長，存儲的重要性將顯著提升。并且，存儲的重要性不僅在于數(shù)據(jù)的保存和保護，也在于數(shù)據(jù)的使用，因此打造更快速、更可靠、更安全的存儲產品是行業(yè)不變的追求。

作為固態(tài)硬盤的“大腦”，SSD控制器肩負重任。吳子寧博士指出：“我們正處于大數(shù)據(jù)行業(yè)發(fā)展的黃金時代。數(shù)據(jù)中心的三大基石為計算、存儲和傳輸，英韌科技從成立之初就扎根于存儲領域。目前，數(shù)據(jù)中心用固態(tài)硬盤成了行業(yè)發(fā)展的核心驅動力，2019年到2023年這四年間，市場規(guī)模擴大了四倍?！?br />
英韌科技的目標就是打造高效、安全、節(jié)能的SSD控制器，全力支持固態(tài)硬盤全國產化方案，解決大數(shù)據(jù)應用中的數(shù)據(jù)存儲和數(shù)據(jù)傳輸問題。英韌科技YR S900是一顆面向數(shù)據(jù)中心應用的主控芯片，此外英韌科技的產品還能夠支持云計算、無人駕駛等廣泛應用?？梢哉f，產業(yè)的黃金時代，就是英韌科技發(fā)展的黃金時代。

面向未來，吳子寧博士表示：“在滿足我國新時期數(shù)字經濟高質量發(fā)展的大前提下，英韌科技的發(fā)展愿景是‘立足中國、放眼世界’，產品同時銷售至國際、國內主流市場?！?br />