一区二区三区三上|欧美在线视频五区|国产午夜无码在线观看视频|亚洲国产裸体网站|无码成年人影视|亚洲AV亚洲AV|成人开心激情五月|欧美性爱内射视频|超碰人人干人人上|一区二区无码三区亚洲人区久久精品

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

共創(chuàng)寬禁帶半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

安森美 ? 來源:未知 ? 2023-10-08 19:15 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

點擊藍字關注我們

寬禁帶半導體是指具有寬禁帶能隙的半導體材料,例如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN),由于其能夠承受高電壓、高溫和高功率密度等特性,因此具有廣泛應用前景。根據(jù)市場調研機構的數(shù)據(jù),寬禁帶半導體市場的全球規(guī)模預計將從 2020 年的 27.6 億美元增長到 2027 年的 86. 5億美元,年復合增長率達到 17.5%。其中,碳化硅(SiC)半導體市場規(guī)模較大,占據(jù)了市場份額的大部分。預計未來幾年,隨著新能源汽車的普及和5G基礎設施建設的加速推進,寬禁帶半導體市場將持續(xù)保持高速增長。

由深圳市電子商會和 Bodo’s 功率系統(tǒng)雜志主辦的Bodo’s 寬禁帶半導體論壇將于今年10月12日在深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)線下舉辦,分享寬禁帶半導體領域的技術發(fā)展和最新成就。安森美(onsemi)電源方案部產(chǎn)品經(jīng)理Jerry也將在現(xiàn)場為大家概述安森美的EV充電設計生態(tài)系統(tǒng)和應用于充電樁智能電源產(chǎn)品和方案,包括碳化硅(SiC)、電源模塊和門極驅動器等,以及參考設計和支持工具,助您簡化設計,最大化能效以及減小尺寸。


講主題

碳化硅技術實現(xiàn)下一代直流快速充電樁的發(fā)展

時間地點

2023年10月12日 15:00 - 15:30

深圳國際會展中心(寶安新館) 3號館 3H88 會議區(qū)





掃描
二維碼
免費預約座席


歡迎注冊參加。所有提前注冊的與會者將享受如下禮遇:
  • 免費參會

  • 礦泉水以及會議資料袋

  • 參會當天午餐券

  • 現(xiàn)場抽獎


本次論壇同時提供在線直播,如無法線下參與,論壇主辦方也將于10月10日通過郵件向提前注冊的參會人發(fā)送在線直播地址。



點個星標,茫茫人海也能一眼看到我

點贊、在看,記得兩連~」


原文標題:共創(chuàng)寬禁帶半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

文章出處:【微信公眾號:安森美】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 安森美
    +關注

    關注

    32

    文章

    1797

    瀏覽量

    93194

原文標題:共創(chuàng)寬禁帶半導體未來,看碳化硅技術如何推動下一代直流快充樁發(fā)展

文章出處:【微信號:onsemi-china,微信公眾號:安森美】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    交流充電負載能效提升技術

    功率器件與拓撲優(yōu)化 半導體器件應用 傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET因開關損耗高,限制了系統(tǒng)效率。采用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)
    發(fā)表于 05-21 14:38

    碳化硅功率器件有哪些特點

    隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。
    的頭像 發(fā)表于 04-21 17:55 ?569次閱讀

    碳化硅功率器件的種類和優(yōu)勢

    在現(xiàn)代電子技術飛速發(fā)展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為種新興的
    的頭像 發(fā)表于 04-09 18:02 ?662次閱讀

    碳化硅MOSFET的優(yōu)勢有哪些

    隨著可再生能源的崛起和電動汽車的普及,全球對高效能、低能耗電力電子器件的需求日益增加。在這背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作為種新型
    的頭像 發(fā)表于 02-26 11:03 ?751次閱讀

    碳化硅半導體中的作用

    碳化硅(SiC)在半導體中扮演著至關重要的角色,其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅半導體中的主要作
    的頭像 發(fā)表于 01-23 17:09 ?1370次閱讀

    革新電源體驗!基本半導體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊強勢來襲

    隨著可再生能源、電動汽車等領域的快速發(fā)展,傳統(tǒng)硅基半導體的性能瓶頸逐漸顯現(xiàn)。如何在高壓、大功率應用中實現(xiàn)更高效率、更低損耗?答案是碳化硅(SiC)。作為
    的頭像 發(fā)表于 01-21 16:39 ?492次閱讀
    革新電源體驗!基本<b class='flag-5'>半導體</b>Pcore?2 E2B工業(yè)級<b class='flag-5'>碳化硅</b>半橋模塊強勢來襲

    安森美在碳化硅半導體生產(chǎn)中的優(yōu)勢

    此前的文章“粉末純度、SiC晶錠致性……SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)”中,我們討論了半導體基礎知識及
    的頭像 發(fā)表于 01-07 10:18 ?551次閱讀

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們起跟隨基本半導體市場部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開這一技術領域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    第三半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

    ? 第三功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢,且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以
    的頭像 發(fā)表于 12-05 09:37 ?1458次閱讀
    第三<b class='flag-5'>代</b><b class='flag-5'>寬</b><b class='flag-5'>禁</b><b class='flag-5'>帶</b><b class='flag-5'>半導體</b>:<b class='flag-5'>碳化硅</b>和氮化鎵介紹

    碳化硅半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展

    碳化硅(SiC)在半導體產(chǎn)業(yè)中的發(fā)展呈現(xiàn)出蓬勃的態(tài)勢,其獨特的物理和化學性質使其成為新一代高性能半導體材料的佼佼者。以下是對
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:30 ?947次閱讀

    碳化硅功率器件有哪些應用領域

    碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表,以其優(yōu)越的性能和廣闊的應用前景,成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度,深入探討
    的頭像 發(fā)表于 10-24 15:46 ?1110次閱讀

    碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域

    在電力電子領域,碳化硅(SiC)功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢,逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為
    的頭像 發(fā)表于 09-13 10:56 ?1446次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的優(yōu)勢和應用領域

    碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

    以下是關于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?3084次閱讀

    半導體材料有哪些

    半導體材料是指具有較寬的帶寬度(Eg>2.3eV)的半導體材料。這類材料具有許多獨特的物
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:09 ?2216次閱讀

    功率半導體半導體的區(qū)別

    半導體則由氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等材料制成。 帶寬度:功率半導體帶寬度相對較窄,通常在1eV左右,而
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?1024次閱讀