來源：中國半導體論壇

編輯：感知芯視界 Link

10月13日消息，日本佳能宣布推出新型光刻設(shè)備：FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設(shè)備！

受此消息影響，納米壓印概念股午后走高，匯創(chuàng)達午后開盤拉升漲超11%，美迪凱、晶方科技、利和興、蘇大維格等紛紛大幅拉升。

據(jù)佳能介紹，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上，而佳能此新產(chǎn)品通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一點，就像郵票一樣。

據(jù)了解，佳能的納米壓印光刻（Nano-Imprint Lithography，NIL）技術(shù)可實現(xiàn)最小線寬14nm的圖案化，相當于生產(chǎn)目前最先進的邏輯半導體所需的5nm節(jié)點。此外，隨著掩模技術(shù)的進一步改進，NIL有望實現(xiàn)最小線寬為10nm的電路圖案，相當于2nm節(jié)點。

資料顯示，納米壓印是一種微納加工技術(shù)，它采用傳統(tǒng)機械模具微復型原理。簡單來說，傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投影到涂有抗蝕劑的晶圓上來轉(zhuǎn)移電路圖案，而納米壓印光刻造芯片則通過將印有電路圖案的掩模壓印在晶圓上的抗蝕劑上，就像印章蓋在橡皮泥上，然后經(jīng)過脫模就能夠得到一顆芯片。

官方消息顯示，佳能早在2004年開始秘密研發(fā)NIL技術(shù)，2014年美國分子壓印公司（現(xiàn)佳能納米技術(shù)）加入佳能集團，該研發(fā)消息才被公開。

審核編輯 黃宇